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复旦大学宁波研究院诚邀全球英才申报2026年海外优青: 一、项目简介国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者（含非华裔外籍人才）回国（来华）工作，自主选择研究方向开展创新性研究，促 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-27 09:29

从散热到系统可靠性：金刚石正在进入先进封装: 刚刚过去的 CES 2026 上，初次亮相的美国初创公司 Diamond Quanta 展示了 300 mm 金刚石-硅复合晶圆和首款商业化产品 Adamantine Optics™。展会刚结束不久，Diamond Quanta 便于近日正式发布 Adamantine Therm ...; 分类: 新闻通知 2026-1-27 09:28

捷捷微电、国联万众、蓝箭电子等5家厂商披露碳化硅进展: 在新能源汽车、AI算力中心等下游场景需求爆发驱动下，国内碳化硅产业正迎来技术迭代与产能扩张的双重突破。近日，捷捷微电、蓝箭电子、国联万众、精进电动、时代电气等产业链各环节企业密集披露最新进展，涵盖8英寸 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-27 09:27

AI带火的不仅是存储，碳化硅氮化镓“闷声发大财”: 近日，中国科学院院士郝跃、西安电子科技大学教授张进成团队首创“离子注入诱导成核”技术，基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米，将国际纪录提升30%~40%， ...; 分类: 新闻通知 2026-1-27 09:20

2025氧化镓产业发展图景：全球多点突破与中国协同跃升: 引言2025年，全球氧化镓产业格局持续深化演进。在国际层面，日本、德国、美国、韩国等多国企业在产能扩张、战略合作与市场布局上动作频仍，推动全球产业生态加速完善。与此同时，中国氧化镓产业依托长期积累与协同发 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-26 10:29

国内可量产的最大8英寸金刚石热沉片来了，即将量产！: 据河南省科学技术厅消息，河南作为我国超硬材料产业的核心区，正通过持续创新，在半导体芯片制造、高端芯片散热等关键领域实现技术突破与国产化替代，推动产业向高端化、集群化发展。在半导体芯片制造领域，位于郑州 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-26 09:43

【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事: 文章来源：江苏第三代半导体研究院*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-23 10:05

GaN 技术取得重大里程碑！: 德国亚琛工业大学（RWTH Aachen University ）与爱思强（AIXTRON SE）成功在200 mm 蓝宝石衬底上展示了N 极性（N-polar）III-氮化物 HFET（高电子迁移率晶体管），标志着高频 GaN 器件在可扩展、低成本制造道路上迈 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 10:03

SiC渗透率稳步提升，产业将迈向融合普及: 回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:58

慕德微纳亮相 2026 SPIE Photonics West，全矩阵AR光波导引全球瞩目: 前言当地时间2026年1月，全球光电领域顶级盛会SPIE Photonics West在美国旧金山盛大启幕。慕德微纳（杭州）科技有限公司携全系列AR光波导核心技术与量产成果重磅亮相，以硬核技术实力与前瞻性量产布局，吸引了全球光 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:57

西电-中科院团队新成果：航天级封装单晶金刚石辐射探测器: 随着深空探测任务的快速发展，人类探测范围正从近地轨道扩展至月球、火星、木星及太阳附近等极端空间环境。这些区域辐射强度高、温度剧烈波动（温差可超120℃），对粒子探测器的辐射硬度、高温稳定性和长期可靠性提 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:52

MPCVD金刚石：高品质与高速率能否同行？: 微波等离子体化学气相沉积技术( MPCVD)被认为是制备大尺寸高品质单晶金刚石的理想手段之一。然而其较低的生长速率以及较高的缺陷密度是阻碍 MPCVD单晶金刚石应用的主要因素。沉积的金刚石样品01高速率生长MPCVD单晶 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-22 09:43

肖特基与欧姆接触栅极GaN HEMT，在长期硬开关应力下的性能表现: 在追求高功率密度的电力电子领域，氮化镓（GaN）HEMT正面临从“好用”到“耐用”的关键跨越。本文基于最新的DHTOL（动态高温工作寿命）测试研究，深入对比了肖特基栅极与欧姆接触栅极两种主流p-GaN器件。通过创新的 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-22 09:39

宽禁带联盟2026年度第一次团标评审会顺利召开: 2026年1月21日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《β相氧化镓单晶位错密度的测 ...; 分类: 联盟动态 2026-1-22 09:31

2025年碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）领域市场变化及国产替代进展: 2025年，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的领域变化挺大的。汽车电动化和人工智能基础设施建设加速推进，电源管理从幕后走向前台，成为系统性能、效率和可靠性的核心变量。碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）这两种宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-21 15:53

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