中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

AI数据中心HVDC架构与GaN器件应用: 随着 AI 数据中心算力与功率需求快速增长，传统供电架构在转换效率、配电损耗和功率密度方面面临更大挑战。Renesas专家Marco Ruggeri 在APEC 2026专业教育研讨会上系统介绍了面向未来AI数据中心的 800V / ±400V HVD ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 14:00

SiC守着主驱，GaN先进OBC：第三代半导体的分工逻辑: 车载充电机功率电子模块碳化硅（SiC）还没在电车主驱里坐稳，另一种第三代半导体氮化镓（GaN）已经悄悄摸上了车。但它没去抢最显眼的主驱逆变器，而是先占了车载充电机（OBC）这块"不起眼"的阵地。这里面没有运 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:52

薄p-GaN欧姆接触形成工艺：亚10nm镁沉积+短时退火实现低接触电阻: 科研速递、近日，来自日本名古屋大学、美国康奈尔大学、伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校、麻省理工学院、香港城市大学和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的国际联合研究团队，提出了一种改进的薄p型氮化镓欧姆接 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:49

Si掺杂β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ MESFETs的制备与性能研 ...: 近日，美国海军研究实验室及多所高校联合团队在期刊《APL Electronic Devices》发表研究，成功开发了基于超宽禁带（UWBG）β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃沟道的金属-半导体场效应晶体管（MES ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:47

PCIM Asia 2026：20家功率半导体供应商的展品与方向: 8月26日至28日，PCIM Asia Shenzhen 2026在深圳国际会展中心举行，271家展商、3万平方米展览面积，是PCIM Asia落地深圳以来规模最大的一届。14号馆按"算电协同、电气化交通、绿色能源"三大方向设立应用专区，16 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:49

半导体显示材料与芯片重点实验室在氮化镓基光子晶体面发射激光器领域取得新进展: 光子晶体面发射激光器（PCSEL）利用二维光子晶体调控面内光场，可在大面积区域中形成相干振荡，兼具单模、大功率、高亮度、小发散角的优良特性，成为国内外研究热点之一。氮化镓（GaN）基半导体材料为直接带隙，发光 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:46

哈工大朱嘉琦团队自研MPCVD设备稳定产出8英寸金刚石: 前不久，哈尔滨工业大学航天学院朱嘉琦教授团队刚刚攻克一项核心技术——自研的第三代核心装备能稳定长出8英寸高品质金刚石，杂质、缺陷远低于同类设备，造价仅仅是进口机器的六成。走进哈尔滨工业大学实验室，多台 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-31 10:40

GaN-金刚石异构集成四大路径，MIT嵌入式方案改变了什么？: GaN为什么需要金刚石？GaN器件正向更高频率、更高功率密度发展，限制其性能的关键正从电学转向热管理。高功率GaN HEMT存在明显局部热点，器件平均热流可超过1 kW/cm2，栅指附近甚至达到几十kW/cm2。单纯增加铜散热器 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:59

晶旭半导体硅基异质外延氧化镓压电薄膜取得重大突破！: 近日，福建晶旭半导体在硅基异质外延氧化镓（ε-Ga₂O₃）压电薄膜材料领域取得关键性产业化突破，相关产品已正式进入下游客户验证阶段，综合性能全面优于传统体声波（BAW）压电材料，成功从底层材料打破 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:49

广东省科学院半导体研究所在GaN功率器件耐压增强技术取得新突破: 导读近日，广东省科学院半导体研究所先进材料平台苗振林、吴新宇、任星霖和廖富达等成员，在GaN功率器件核心技术领域取得重要突破，提出并验证了一种基于β-Ga₂O₃背势垒GaN HEMT器件新结构，成功解决了 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:47

惠丰钻石成功实现规模化制备8英寸CVD多晶金刚石热沉片: 近日，惠丰钻石宣布，公司已实现高质量8英寸CVD多晶金刚石热沉片的稳定生产，意味着其在大尺寸CVD多晶金刚石散热材料领域取得阶段性突破。金刚石是迄今已知导热性能最优的材料之一，热导率可达铜的5倍以上，被业界视 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:46

晶曜盛巳2英寸氮化铝单晶实现稳定量产，质量达国际先进水平: 近日，宁波前湾新区数字经济产业园二期传来喜讯，园区企业晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司（以下简称“晶曜盛巳”）依托自主研发核心技术，在第四代半导体氮化铝（AlN）单晶生长领域取得里程碑式突破，成功制备出2英 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:41

麻省理工实现创纪录高电流密度与低导通电阻AlGaN沟道MOS-HEMT: 摘要实现高导通电流（ID,MAX）与低导通电阻（RON）是富铝 AlxGa1−xN 等超宽禁带（UWBG）半导体材料面临的核心挑战。本工作展示了基于 UWBGAl0.85Ga0.15N/Al0.65Ga0.35N沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）的先进性 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 10:39

通过低温GaN盖帽层提升InGaN/GaN量子点Micro-LED的效率: 近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队联合复旦大学、河北工业大学，在《Crystals》发表研究论文，系统研究了低温GaN盖帽层厚度对InGaN/GaN量子点Micro-LED热退化与效率的影响。研究发现，4 nm低 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-28 09:51

保时捷采用GaN，规划明年装车量产: 随着汽车座舱向“第三生活空间”演进，高端汽车对音频功放的需求正在经历质的飞跃，目前GaN正成为车载功放领域不可逆转的技术趋势。据调研，今年以来，保时捷、松下汽车、科大讯飞等头部车企及汽车电子供应商已相继 ...; 分类: 新闻通知 2026-8-25 09:06

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 303 / 303 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部