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为什么宽禁带能带来功率半导体性能提升？: 宽禁带的好处，行业里大家都能脱口而出：耐压高、损耗低。但这些优点具体是怎么从"禁带变宽"这一个物理参数推导出来的，很少有文章讲清楚。这篇文章就来把这条逻辑链讲透。功率器件本质上是一个电子开关，理想状 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-15 13:37

【Registration】Welcome to APCSCRM 2026!: BoothSponsorship Packages Booth Price ListChairman of previous conferencesHighlights from previous conferences; 分类: 新闻通知 2026-9-15 13:28

【APCSCRM 2026】注册开启！第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议: APCSCRM 2026第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议2026.11.25-27随着新能源汽车800V高压平台快速普及，AI数据中心单机架功耗向百千瓦乃至兆瓦级演进，传统硅基器件在耐压、损耗、频率与热管理上的物理边界日益临近， ...; 分类: 公告通知 2026-9-14 09:34

西安电子科技大学在耐高温GaN功率器件与电源封装方面取得进展: 近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、赵胜雷教授团队在氮化镓（GaN）功率电子领域取得两项重要突破，相关成果发表于领域知名期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》《IEEE Transactions on Electr ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:25

北大团队攻克氮化镓p型掺杂难题实现互补逻辑电路单片集成: 作为新一代宽禁带核心材料，氮化镓半导体凭借优异的电学性能，已然成为功率变换、射频电子等高端领域的核心材料，是下一代高频、高温、高效率电子系统的重要支撑。不过长期以来，p型掺杂技术瓶颈始终桎梏着氮化镓互 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:17

欢迎新成员——深圳钻耐科思科技有限公司: 深圳钻耐科思科技有限公司（DiamNEX）成立于2025年，由香港大学孵化，落地深圳市前海深港青年梦工场，是一家专注于金刚石薄膜材料研发、生产及商业化应用的高科技企业，致力于成为金刚石半导体与量子材料领域的技术 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-14 09:17

十年前牵手Element Six，如今RFHIC推出金刚石散热: 9月1日，韩国射频与微波半导体企业RFHIC宣布推出全新的热级CVD金刚石散热产品系列DiaFlux™，主要面向高功率RF、微波、光电子及半导体封装等应用。按照公司计划，完整产品规格及产品页面将于9月8日正式上线。从 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:26

金刚石衬底+特斯拉阀：大功率 GaN 器件散热新方案: 随着半导体技术快速发展，电子元器件微型化与高集成化使功率密度逐年攀升。以氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）为代表的大功率器件需求不断增长，热管理已成为关键挑战—研究表明，过高温度约占电子器件失效原因的 5 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:17

新增4起SiC合作！涉及芯联/理想/英飞凌等: 近日，业内又有4家企业达成SiC合作，主要围绕新能源汽车、SST、机器人等领域展开：芯联集成：与理想汽车签订新一轮战略合作协议，双方共同见证8英寸碳化硅晶圆成功下线；英飞凌：与Skeleton Technologies、伊顿围绕S ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:10

赛米控丹佛斯：三位一体，抢占AIDC新赛道: AIDC是今年SiC功率半导体最火热的赛道。从UPS设备、服务器电源到固态变压器，几乎所有功率半导体企业都在讲同一个新故事，赛米控丹佛斯也不例外。PCIM Asia展会期间，赛米控丹佛斯中国区总经理许德慧进行了专访，她 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-7 09:09

超禁带金刚石半导体的挑战、功率器件进展与新兴恶劣环境应用: 近日，美国乔治梅森大学与北京大学团队在《Materials》期刊发表综述“Challenges, Power-Device Progress, and Emerging Harsh-Environment Applications for Ultrawide-Bandgap Diamond Semiconductors”，系统梳理 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:36

SiC需求大幅增长，订单来自哪里？: 据调研，今年以来，碳化硅产业景气度持续走高：多家企业的产品需求与订单量均实现不同程度增长，意法半导体、罗姆等国际大厂的SiC业务更交出两位数增幅的成绩单。营收上扬、订单增加、出货攀升，已成为当下SiC产业的 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:11

英飞凌SiC助力Fox ESS户用储能系统效率逼近99%，开关损耗降低70%: 8月28日，英飞凌宣布其最新的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术已被Fox ESS应用于PQ3-Ultra户用储能系统。该方案将开关损耗降低70%，帮助系统实现光伏逆变器峰值效率98.78%、电池充放电效率98.47%，双双逼近99%的 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-2 09:08

AI数据中心HVDC架构与GaN器件应用: 随着 AI 数据中心算力与功率需求快速增长，传统供电架构在转换效率、配电损耗和功率密度方面面临更大挑战。Renesas专家Marco Ruggeri 在APEC 2026专业教育研讨会上系统介绍了面向未来AI数据中心的 800V / ±400V HVD ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 14:00

SiC守着主驱，GaN先进OBC：第三代半导体的分工逻辑: 车载充电机功率电子模块碳化硅（SiC）还没在电车主驱里坐稳，另一种第三代半导体氮化镓（GaN）已经悄悄摸上了车。但它没去抢最显眼的主驱逆变器，而是先占了车载充电机（OBC）这块"不起眼"的阵地。这里面没有运 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-1 13:52

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