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IMEC最新1200V双栅极GaN开关技术深度解析-重点关注衬底电位管理: 一、800V系统的“紧箍咒”：为什么1200VGaN是势在必行的突破？1200V，是GaN的"禁区"还是"蓝海"？长期以来，GaN器件被"锁死"在650V电压等级。面对汹涌而来的电动汽车800V高压系统，这个天花板必须被打破 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-2 09:23

突破9000V！九峰山实验室刷新氧化镓MOSFET耐压纪录: 近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得重大进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET。这一成果标志着实验室在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。9000V刷新氧化 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-2 09:15

年产1.2万片！晶曜盛巳涉足第四代半导体氮化铝材料产业: 3月26日上午，由前湾人才基金领投、复旦杭州湾科创园重点孵化的沪上人才项目——晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司在宁波前湾新区数字经济产业园二期正式运营。作为国内最早布局氮化铝（AIN）单晶材料研发与产业化的企 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:18

金刚石NV色心埋层生长技术获突破，量子器件制造迎来新路径: 氮-空位（NV）中心是金刚石中一种典型的量子缺陷结构，由一个氮原子与邻近的空位组成。其电子自旋在室温下仍能保持高度稳定的量子态，并且可以通过光学方法实现自旋的初始化、操控与读出。这些特性使其能够在量子精 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:17

瀚天天成&英诺赛科，市占率全球第一的碳化硅和氮化镓龙头企业: 引言：碳化硅外延龙头瀚天天成与氮化镓巨头英诺赛科，以截然不同的路径书写着中国第三代半导体产业的资本叙事。AI 算力、绿色能源、新能源车、智能电网——这些时代主题正在为两家公司铺就通天大道。赛道重塑：第三 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:14

国际专利15强唯一中国企业：富加镓业领跑全球氧化镓产业化赛道: 2026年3月26日，杭州富加镓业科技有限公司（下称“富加镓业”）宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，为“十五五”规划开局之年的中国半导体产业投下了一颗重磅炸弹。而这一历史性突破的背后，是其早已构建 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-1 09:11

宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述: 氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-31 09:49

【Wolfspeed白皮书】响应市场需求：以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能: 【Wolfspeed白皮书】响应市场需求：以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能作者：Ashish Kumar 博士，Wolfspeed 中高电压研究科学家英伟达在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高电压直流架构 — 从根本上改 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-31 09:47

AI算力背后电力推手 GaN加速挺进高压大功率，成AI电源效能必选项: 随着人工智能算力需求呈指数级增长，数据中心的电力挑战正逼近物理极限。在这一背景下，氮化镓(GaN)技术正加速从消费级快充迈向高压大功率领域，成为AI基础设施效能革命的核心支撑。全球AI运算需求的急剧攀升，正推 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-31 09:37

宽禁带联盟闪耀SEMICON China 2026，全链协同构建产业新生态: 2026年3月25日至27日，备受全球半导体产业瞩目的SEMICON China 2026在上海新国际博览中心盛大举行。宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“联盟”）精彩亮相本次展会，系统展示了联盟近年来在推动宽禁带半导体产业化 ...; 分类: 联盟动态 2026-3-31 09:35

吉林大学邹广田院士团队攻克2英寸单晶金刚石制备核心技术: 近日，吉林大学邹广田院士团队在大尺寸单晶金刚石制备领域取得重大突破，成功研发出拥有自主知识产权的“台阶流调控技术”，并制备出2英寸（50×50 mm2）单晶金刚石。相关成果发表于国际学术期刊《Functional Diamon ...; 分类: 新闻通知 2026-3-30 11:15

北京大学“全金刚石-歧管微通道”散热器，突破传统散热技术极限: 随着对高性能、大功率电子器件的需求不断增长，芯片功耗已达到前所未有的水平。芯片的热管理在决定其运行效率、可靠性和使用寿命方面起着关键作用。近年，大量研究集中在硅衬底上制造微通道，以增强对流换热。然而， ...; 分类: 新闻通知 2026-3-30 11:14

碳化硅+原子层沉积=下一代光子芯片？德国团队解锁量子光学新路径: 在ALP-4-SiC项目中，德国联邦研究、技术与航天部推出了“科学预研项目”计划。在该项目中，德国的马克斯·普朗克光科学研究所与弗劳恩霍夫IISB研究所共同致力于开发用于制造高效光子集成电路以及基于碳化硅的微型固 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-30 11:12

英诺赛科：GaN龙头，引领AI数据中心+机器人架构革新: 目录1 英诺赛科：全球氮化镓功率龙头，引领第三代半导体1.1. 市场地位：全球GaN IDM领军企业，多领域渗透驱动增长1.2. 股权结构：创始人主导+多元资本协同，产业资源深度绑定1.3. 财务状况：营收快速增长，减亏趋势 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-30 11:09

国际首次！富加镓业成功制备12英寸氧化镓单晶: 国际首次！富加镓业12英寸氧化镓单晶震撼问世“十五五”规划开局之年，富加镓业再次迎来历史性突破！3月26日，富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓（Ga₂O₃）单晶，这是继2025年12月成功制备 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-30 10:55

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