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西电郝跃院士团队丨深度解析：氧化镓RRAM的材料、基础与应用: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Advanced Materials Technologies 发布了一篇名为Gallium Oxide RRAM: Materials, Fundamentals and Applications（氧化镓 RRAM：材料、基础与应用）的文章。01 背景随着大 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:40

北大&化合积电：GaN-on-Diamond直接异质外延重大突破: 随着GaN器件向高功率密度、小型化迈进，自热效应成为制约其性能和可靠性的主要瓶颈。金刚石作为终极导热材料（热导率高达2200 W/(m·K)），是理想的散热衬底，能从根本上解决热积累问题。然而，传统GaN与金刚石的集 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:32

8英寸SiC量产加速，产业进入关键窗口期: 回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。今天我们 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:29

十五五电网投资将超五万亿，SiC如何重塑储能与绿色微电网新格局: 1月15日，国家电网重磅宣布，“十五五”期间公司的固定资产投资规模预计达到的4万亿元，较“十四五”投资增长40%，创历史新高，将在其服务经营区内的风光装机容量年均新增2亿千瓦左右。据了解，南方电网“十四五”期 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-4 09:28

Insemi数据 | 数说碳化硅2025，我们看到的变化与趋势: 当我们关注的行业某上市公司2025年度财报落定，意识到其实中国碳化硅产业在2025年交出了一份相对令人满意的答卷：国产衬底全球出货量占比历史性突破50%，首次反超海外巨头；新能源主驱逆变器使用的主驱芯片国产化率 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-3 09:17

英飞凌：GaN规模将增长400%: 近日，英飞凌发布了《英飞凌GaN洞察2026》白皮书，对2026年GaN市场展开了8大预测，并预测今年GaN市场规模将增长50%，2030年市场规模将是2025年的4倍。Q：您对2026年GaN行业的整体发展有何预测和判断？Johannes Schoi ...; 分类: 新闻通知 2026-3-3 09:13

国内首条8英寸金刚石热沉片生产线投产: 2月28日，国内首条8英寸金刚石热沉片生产线在位于许昌长葛市的河南风优创材料技术有限公司（以下简称“风优创公司”）正式投产。这标志着我国在大尺寸金刚石散热材料领域实现了从实验室研发到规模化生产的关键跨越， ...; 分类: 新闻通知 2026-3-3 09:11

国创中心（苏州）先进键合中心最新突破！: 当摩尔定律逐步逼近物理极限，通过异质材料融合与三维集成提升系统性能已成为全球半导体产业的重要共识。随着功率电子、射频通信及先进封装技术的快速发展，器件性能提升正日益受到散热能力、可靠性以及多材料集成水 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-3 09:06

氮化镓（GaN ）为人形机器人赋能: 根据 Goldman Sachs 的研究报告，2025 年全球人形机器人出货量约为 15,000 至 20,000 台，未来十年预计将实现超过 40% 的复合年增长率。在这场从科幻走向现实的技术竞赛中，电机驱动的高频化、小型化与热管理能力成 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-14 09:32

东方日升首发全液冷碳化硅储能一体机: 2026年2月12日，东方日升正式首发推出全液冷碳化硅（SiC）131kW/261kWh工商业储能一体机，该产品从系统架构、功率平台到安全与智能运维实现全面升级，针对性解决工商业储能项目效率损失、高温降额、运维复杂等核心痛 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-14 09:29

金刚石 GaN 器件破解高温漂移难题，助力高温高功率应用升级: 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其高击穿电场、高电子迁移率，在雷达、卫星通信和高功率射频领域已成为主流技术。然而，随着器件功率密度持续提升，自热效应和高温运行带来的参数漂移问题日益突出。在众 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-14 09:10

碳化硅2026：规模化渗透、方案化竞争与系统级重构: 2025年是中国碳化硅产业的一道清晰分水岭。这一年，国产碳化硅在车规主驱赛道出货量大幅攀升，国产器件上车占比显著提升——产业从“技术验证”迈入“规模化商用”的新阶段。但也是在这一年，价格战全面打响，8英寸 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-14 09:02

天一晶能突破6英寸3C-SiC晶圆技术，开启国产第三代半导体新征程: 近日，成都天一晶能半导体有限公司研发团队，历经三年时间的潜心深耕，成功以液相法生长出6英寸立方碳化硅（3C-SiC）晶圆，为国产液相法SiC衬底规模化量产打下坚实的基础。01 液相法生长技术的突破碳化硅晶圆作为第 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-13 09:18

3家SiC企业车规进展：导入比亚迪/宁德时代: 近期，多家碳化硅相关企业陆续召开2025年度总结大会，披露年度发展成果与未来规划。其中，智新半导体、元山半导体、汉斯半导体三家企业均提到了他们在车规级SiC领域的关键突破。智新半导体：SiC模块落地装车营收剑 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-13 09:17

观点 | Mordor Intelligence发布碳化硅功率半导体市场分析报告: 近日，全球知名科技行业研究与咨询公司Mordor Intelligence发布《碳化硅功率半导体市场分析报告》。▲全球市场规模预测 | 图源: Mordor Intelligence根据Mordor Intelligence数据，2025年碳化硅功率半导体市场规模为 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-13 09:14

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