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第四代半导体材料量产落地，真的能撑起下一代算力与通信吗？: 近期半导体领域传来重磅消息：国内首条第四代半导体全产业链生产基地落地郑州，8 英寸氧化镓外延生产线实现稳定批量供货，微纳米金刚石产线同步动工。从碳化硅、氮化镓的第三代，到氧化镓、金刚石的第四代，半导体材 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-30 11:50

英飞凌推出EasyPACK S紧凑型功率模块及封装概念: 6月26日，英飞凌科技在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026展会上正式推出EasyPACK S，一款紧凑型功率模块及封装概念，专为满足日益增长的高功率密度需求而设计。图：英飞凌的EasyPACK S模块及封装概念，为高功率密度 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-30 11:49

GaN 上的 SiN 与 Al2O3：介质选择与界面形成: 没有可用的天然氧化层，界面依赖沉积工艺构建导语GaN（氮化镓）功率器件的栅介质，几乎都建立在沉积形成的界面上。Si 有热生长的 SiO2，SiC 也能靠氧化加退火得到可用界面，GaN 偏偏没有这样一层可用的天然氧化物。 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-30 11:46

金刚石铜冷板的成本什么时候能降到铜的1.5倍？: 成本是当前金刚石铜冷板产业化路上最大的"拦路虎"，但这道坎正在被三条降本线同步撕开缺口。本文通过成本拆解和三阶段降本路径分析，给出2026-2028年的成本曲线预判。一、现在到底贵在哪？——成本拆解表在讨论 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-29 13:28

“看不见的隐患”，氧化镓衬底缺陷如何影响器件性能？: 导读：一片衬底能否真正用于器件制造，不能只看尺寸，也不能只看表面是否光亮平整。隐藏在晶体内部和加工表层中的缺陷，往往会对后续外延质量和器件可靠性产生重要影响。在β-Ga2O3单晶中，点缺陷、位错、线状缺陷、 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-29 13:11

德州仪器（TI）：高可靠性GaN是800V AIDC规模化落地的关键: 根据 AIDC Index 的统计，目前全球共有344个AI数据中心项目处于规划、建设或已运营状态，合计装机容量约为154.6GW。随着下一代 AI 数据中心从兆瓦级走向吉瓦级，其对电网、冷却系统和配套基础设施的要求正急剧上升。 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-26 09:29

英飞凌GaN技术助力BRC Solar功率优化器提升效率与功率密度: 6月24日，英飞凌科技宣布，其CoolGaN Transistor 100V器件已被BRC Solar GmbH选为其功率优化器的核心开关技术。BRC Solar总部位于德国埃特林根，是一家为光伏系统提供组件级电力电子的供应商。图1：英飞凌的CoolGaN ...; 分类: 新闻通知 2026-6-26 09:09

韩国首家8英寸SiC IDM启动量产：EYEQ Lab 建成3.6万片/年产能，650V产品率先出货: 韩国本土半导体企业EYEQ Lab已建成8英寸碳化硅功率半导体量产体系，正式启动市场开拓。EYEQ Lab是韩国唯一一家能够自主完成从设计、晶圆工艺到封装全流程的SiC IDM。图1：EYEQ Lab的8英寸SiC功率半导体专用晶圆厂内 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-26 09:05

【行业人才招聘】杭州光机所博士后工作站待遇优厚，欢迎加盟！: 杭州光学精密机械研究所（以下简称杭州光机所）诚邀博士后进站工作，具体情况如下：#1 博士后工作站进站要求（一）基本条件已取得博士学位，品学兼优，身体健康，年龄一般在35周岁以下，取得博士学位不超过3年，有能 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:59

荣耀发布360W氮化镓适配器，这家企业GaN技术助力高功率快充: 近日，荣耀正式推出WIN 360W氮化镓适配器，在功率体积密度和功率重量密度方面实现新的突破。该产品采用氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）双半导体材料方案，在紧凑机身内实现最高360W持续稳定输出，为高性能游戏本、移动 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:50

电子科技大学徐跃杭：超宽带、大功率、高线性度的氮化镓功放MMIC: 在多任务无线电系统和宽带电子战技术发展飞速的今天，“超宽带、大功率、高线性度”简直成了射频工程师心目中的“既要又要还要”。可是，输出功率、效率和线性度之间就像在玩跷跷板，很难同时达到理想状态。为了解决 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:32

AI数据中心的"电力心脏"之争，SiC如何切入固态变压器（SST）赛道: AI数据中心的功率密度，正在以"半年翻一倍"的速度奔跑。NVIDIA MGX参考设计中，单机柜功率从过去的3 kW飙升到60 kW+，集群规模轻松突破17.5 MW。传统"工频变压器+多级整流+UPS+PDU"的供电链路体积大、损耗高 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:29

英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书- 沟槽式SiC MOSFET的雪崩能力: 雪崩鲁棒性是SiC功率MOSFET的另一个可靠性话题，不能忽视。恶劣工况下的雪崩事件可能导致器件退化甚至彻底损坏。因此，摸清器件的极限、确保客户应用中的安全运行，至关重要。电路中的杂散电感（或称为寄生电感）是S ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:27

氧化镓全景解读| EFG：氧化镓衬底商业化的先行路径: 导读：在上期内容中，我们介绍了氧化镓几种主流熔体法生长技术的基本原理。其中，CZ法（提拉法）、EFG法（导模法）以及VB法（垂直布里奇曼法），均已成功用于大尺寸β-Ga2O3单晶衬底的制备。氧化镓全景解读 | 氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:21

SiC JFET和双向GaN推动固态断路器市场增长，2032年全球SSCB市场达81.7亿美元: 以SiC JFET、双向GaN为代表的宽禁带半导体正推动固态断路器市场快速增长。宽禁带半导体（WBG）的转向为固态断路器（SSCB）注入了一剂强心针。凭借更高的击穿电压和开关频率、更低的导通损耗以及更高的工作温度，SSCB ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:16

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