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Modelithics&Guerrilla RF：GaN-on-SiC HEMT模型纳入COMPLETE: Modelithics与Guerrilla RF达成赞助型MVP合作，六款GaN-on-SiC HEMT非线性模型纳入COMPLETE Library2026年5月13日，高精度射频与微波仿真模型领域的领先提供商Modelithics, Inc.宣布，来自Guerrilla RF, Inc.（OTCQX ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 10:43

8寸碳化硅激光剥离迈入40μm超低损耗量产时代！: 近日，国产设备商中微精仪宣布，已率先实现8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗迈入40μm时代，打破行业长期以来60–80μm的损耗瓶颈，为国产大尺寸SiC产业化提供关键技术支撑。图片来源：中微精仪当前，碳化硅应用从新能 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 10:42

Intone Power发布基于SiC、GaN高频有源电力滤波器设计方案: 2026年5月13日，Intone Power于官方网站发布基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的高频有源电力滤波器（APF）设计方案，系统阐述了宽禁带半导体材料如何通过提升开关频率来改善电力系统电能质量。该方案标志着SiC/GaN ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 10:40

意法半导体解析 GaN 趋势：AI数据中心将成GaN增长最快市场: 随着AI数据中心、高性能计算以及新能源汽车等应用快速发展，功率半导体正迎来新一轮技术升级。近日，意法半导体中国区功率分立和模拟产品器件部市场及应用副总裁Francesco Muggeri在接受媒体采访时，围绕氮化镓（GaN ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 09:29

西安3000亿产业目标核心：设50亿元基金，聚焦碳化硅与氮化镓: 2026年4月30日，西安市人民政府办公厅正式印发《西安市促进半导体及光子产业高质量发展实施方案》（市政办发〔2026〕31号），提出到2030年产业产值总规模达到3000亿元，设立不低于50亿元半导体产业基金，并明确将第 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 09:26

宽禁带科技论|超宽禁带AlGaN获得创纪录的低接触电阻率: 近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）李晓航教授团队在富铝AlGaN（Al组分≥80%）欧姆接触领域取得突破性进展。相关成果以“Direct fabrication of record low specific resistivity metal contacts for n-type A ...; 分类: 新闻通知 2026-5-18 09:23

宽禁带科技论|宽禁带与超宽禁带功率半导体中的欧姆接触电阻：从基础物理到界面工程: 近日，斯洛伐克科技大学Martin Weis团队在宽禁带与超宽禁带功率半导体欧姆接触电阻研究方面取得系统性进展。相关成果以“Ohmic Contact Resistance in Wide-Bandgap and Ultrawide-Bandgap Power Semiconductors: Fr ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:27

金刚石产业化步入冲刺阶段: 当 AI 芯片功耗持续飙升，传统铜铝散热材料已逼近物理极限，一场以金刚石为核心的 “终极散热材料” 竞赛，正从实验室全面迈入产业化冲刺期。01 国家级超算落地，全国首次规模化应用近日，记者探访郑州国家超算互联 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:14

厚度突破300微米！浙大科创中心研制出碳化硅超厚外延薄膜: 一片薄到几乎“隐形”的半导体薄膜，厚度仅三根头发丝并排那么宽，却可能在未来，成为电网、高铁、大型船舶的“超强心脏”——更耐高压、更节能、更紧凑。近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:12

Wolfspeed CTO深度解析300 mm SiC：从先进封装到光互连，碳化硅在AI基础设施中的角色 ...: 图片来源：Power Electronics News近期，《Power Electronics News》发布了对Wolfspeed首席技术官Elif Balkas博士的深度访谈，围绕公司300 mm碳化硅技术及其面向AI与高性能计算先进封装的应用前景展开讨论。访谈涵盖 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-14 10:01

学术前沿| 金刚石半导体：高压器件、高效抛光与异质结新进展: “本期将聚焦金刚石，精选7篇发表于《Applied Physics Letters》《Carbon》等顶刊的最新论文。内容涵盖高压功率器件、表面终端化、超精密抛光、异质结光电探测及新型逻辑器件，为您呈现金刚石从材料制备到器件应用的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:44

功率密度抬升之后，半导体的竞争正在从“器件性能”转向“电力路径占位”: 当功率密度持续抬升，半导体公司的增长不再取决于“卖多少芯片”，而取决于“能接入多少电力路径”多数人会把一家功率半导体公司的增长理解为产品结构升级、下游需求扩张，或者单一赛道的景气度变化，但这里呈现的变 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:17

吉林省投入881万元建设宽禁带半导体重点实验室: 图片来源：中国政府购实服务信息平台2026年5月9日，吉林师范大学发布“吉林省宽禁带半导体重点实验室建设项目（一期）”公开招标公告，项目预算金额为881万元人民币，资金来源为财政拨款，合同签订后6个月内完成交货 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:13

Cyient携手Navitas推出印度首款GaN功率IC系列，瞄准AI计算与电动出行市场: 图片来源：cyientsemi官网2026年5月11日，Cyient Semiconductors Private Limited宣布推出七款面向印度市场的650V氮化镓（GaN）功率集成电路，采用美国Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）授权技术开发。这 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:12

斯坦福 & 宾州州立团队：突破GaN HEMT自热限制！金刚石散热方案可降热阻35%: 随着5G通信、雷达以及高频功率电子的发展，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已成为高频、高功率射频器件的重要基础。与传统硅器件相比，GaN材料具备更高击穿电场、更高电子迁移率以及二维电子气（2DEG）特性， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:42

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