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宽禁带半导体可靠性攻坚：从智能系统诊断到芯片精准筛选: 在新能源汽车快速发展的今天，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体器件，凭借其高效、耐高温和高频特性，正逐步成为提升电驱动系统性能的关键。然而，这些优势也伴随着新的可靠性挑战，尤其是在实际车载工况 ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 14:19

12英寸碳化硅时代加速到来！国内领军企业齐聚APCSCRM 2025: 在全球能源转型与数字化浪潮的推动下，碳化硅作为第三代半导体的核心材料，正成为新能源汽车、光伏储能、5G通信和AI数据中心等高端领域的关键支柱。其耐高温、耐高压、高频率、低损耗的独特优势，不断拓展着应用边界 ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 14:04

SiC晶圆良率提升之路从缺陷检测、污染控制到杂质分析的全链突破: 目前碳化硅产业与传统的硅产业相比，仍存在差距，特别是在材料制备、晶圆加工和器件制造环节，仍面临着成本、良率和长期可靠性的多重挑战，这些因素共同制约了碳化硅技术大规模商业化应用的进程。当前碳化硅产业发展 ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 13:28

锁定APCSCRM 2025，与产业领袖共话未来！: 第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议APCSCRM 2025芯联新世界，智启源未来2025.11.25-27中国·郑州抢占席位，机不可失！https://apcscrm2025.casconf.cn扫码报名APCSCRM 2025Information会议信息第六届亚太碳化硅及相 ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 11:46

碳化硅功率器件的发展路径与应用前景: 在能源转型与低碳化发展的全球趋势下，新能源电力电子器件作为连接能源生产与消费的核心纽带，其技术革新直接关乎能源利用效率与系统可靠性。以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，凭借其超宽禁带、高临界击穿 ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 11:22

从核心材料到无线供电：氮化镓技术绘制能源电子应用新蓝图: 随着能源转型与低碳化发展深入推进，氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体的核心材料，凭借其高击穿场强、高电子迁移率、优越的热稳定性和高频特性，成为制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料， ...; 分类: 新闻通知 2025-11-2 11:12

一文读懂化学机械抛光（CMP）: 化学机械抛光在超大规模集成电路制造中，化学机械抛光（CMP）作为实现晶圆全局平坦化的核心技术，其重要性随制程节点推进而愈发凸显。完全平坦化的化学机械拋光(CMP)技术随着器件特征尺寸向纳米级演进，晶圆表面微米 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-26 10:28

主驱将用三电平SiC模块？吉利/长安/联电/赛米控等已发布: 最近，三电平主驱SiC功率模块备受关注。“行家说三代半”最新调研显示，众多企业纷纷推出了三电平主驱级碳化硅（SiC）模块。主机厂/Tier1：吉利、长安、联合汽车电子/博世、德纳Dana、ABB等；SiC 模块企业：富士电机 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-26 10:27

平湖实验室与西安理工合作在SiC光控晶体管研制方面取得新进展: 近期，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterizat ...; 分类: 新闻通知 2025-10-26 10:20

因不完美而完美：量子金刚石如何重塑感知技术的未来？: 在能源转型与科技创新的双轮驱动下，宽禁带半导体技术正成为重塑全球产业格局的战略高地。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体已深入渗透新能源、智能电网等领域，而氧化镓、金刚石等超宽禁带材料则引领着第四代半 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-26 10:18

AI 芯片散热又添新思路！从 SiC 中介层到金刚石“毯层”: 当英伟达在封装层用 SiC 中介层降温，斯坦福团队却选择从晶体管内部铺上“金刚石毯”。两条路径，一场关于热的系统级革命。当生成式 AI 把算力需求推向前所未有的极限，热，正在成为整个半导体体系最难以忽视的现实 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-23 10:37

具有数千个电导态的超高线性度Ga₂O₃基级联异质结光电突触: 东北师范大学光学顶刊发表！用于神经形态视觉系统的具有数千个电导态的超高线性度Ga₂O₃基级联异质结光电突触由东北师范大学的研究团队在学术期刊 light: science applications 发布了一篇名为 Ultra-hi ...; 分类: 新闻通知 2025-10-23 10:17

金刚石半导体，产业化还有多远？: 金刚石半导体，是新一轮焦点之一。2025年10月9日，商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》，为维护 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-23 10:08

半导体制造新革命：先进键合技术将成为下一代芯片核心工艺: 当前，半导体产业正经历深刻变革。随着摩尔定律逼近物理极限，三维集成和异质融合成为延续半导体性能提升的关键路径。在这一背景下，先进键合技术作为实现芯片立体堆叠的核心工艺，正受到业界前所未有的重视。在半导 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-23 09:58

1200 V 已到极限英飞凌推出新一代 1400 V CoolSiC，重新定义高压裕量: 在功率半导体的高端赛道上，英飞凌持续推进碳化硅（SiC）技术的工程化落地。近日，英飞凌科技（Infineon Technologies AG）正式发布CoolSiC MOSFET 1400 V G2系列，并率先采用TO-247PLUS-4 Reflow封装形式，为新一代 ...; 分类: 新闻通知 2025-10-22 10:42

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