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深圳平湖实验室攻克“超高开关比、超万伏耐压”氧化镓光导开关
深圳平湖实验室攻克“超高开关比、超万伏耐压”氧化镓光导开关
在半导体世界,有一类器件被称为“高压命脉”——光导开关。它是高压直流输电、先进雷达、脉冲功率装置的核心,谁掌握了更高耐压、更快响应的光导开关,谁就握住了未来超高压科技的钥匙。近日,深圳平湖实验室第四代 ...
分类:    2026-5-25 10:17
Wolfspeed深耕大中华区:三股浪潮并行,碳化硅产业迎来关键窗口
Wolfspeed深耕大中华区:三股浪潮并行,碳化硅产业迎来关键窗口
近期,Wolfspeed大中华区总裁于代辉先生接受了三家行业媒体的深度专访,系统阐述了公司在碳化硅领域的战略布局与市场判断。大中华区已被定位为驱动Wolfspeed全球战略的核心力量,而不仅仅是销售市场。 综合多篇访谈 ...
分类:    2026-5-25 10:15
RCR新文:1999-2022 年中国人造金刚石动态物质流研究
RCR新文:1999-2022 年中国人造金刚石动态物质流研究
文章信息原文标题:The dynamic material flow of synthetic diamond in China for 1999-2022原文作者:Wanjun Wang, Jingyi Cheng, Qianglei Hou, Zhaoda Sun, Lijuan Li, Kewen Lyu, Changhong Miao作者单位:河南 ...
分类:    2026-5-25 10:14
氧化镓全景解读| 一材多相:读懂氧化镓的五种晶体结构
氧化镓全景解读| 一材多相:读懂氧化镓的五种晶体结构
导读:在上一期中,我们系统介绍了氧化镓在超宽禁带半导体领域中的重要地位。作为近年来备受关注的新型半导体材料,氧化镓具有约4.9 eV的超宽禁带宽度,临界击穿场强可达约8 MV/cm。凭借这些突出的材料参数,氧化镓 ...
分类:    2026-5-25 10:11
Wolfspeed 发布两款 3.3kV 碳化硅功率模块系列,应对电力瓶颈
Wolfspeed 发布两款 3.3kV 碳化硅功率模块系列,应对电力瓶颈
5 月 21 日,Wolfspeed 推出了两款全新的 3.3kV 碳化硅功率模块系列,采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块,以及可扩展的全桥无基板模块,旨在应对由人工智能数据中心及更广泛的能源转型所带来的电力瓶颈问题。 ...
分类:    2026-5-25 09:55
宽禁带科技论|固态变压器:概念、拓扑及其在智能电网中的应用综述
宽禁带科技论|固态变压器:概念、拓扑及其在智能电网中的应用综述
本篇为大家介绍的是伊朗塞姆南大学Asghar Akbari Foroud团队在固态变压器(SST)技术领域发表了一篇综述文章。相关成果以“Solid-state transformers: An overview of the concept, topology, and its applications ...
分类:    2026-5-20 11:16
团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布
团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布
2026年5月19日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》。该标准于2025年6月正式立项,历经近12个月的深入调研、多轮试验验证和跨单位比对研讨,以技术深度和产业适用性为 ...
分类:    2026-5-20 10:41
斯莱克联手北科大,金刚石复合材料热沉样品进入测试阶段
斯莱克联手北科大,金刚石复合材料热沉样品进入测试阶段
2026年5月18日,斯莱克(300382.SZ)官微宣布,公司与北京科技大学联合研发的金刚石复合材料热沉样品已完成开发,即将进入测试阶段。 这一消息之所以引发业内关注,核心在于一个“快”字——从双方签约到完成样品开 ...
分类:    2026-5-20 10:36
西安电子科技大学:金刚石n型掺杂研究进展与展望
西安电子科技大学:金刚石n型掺杂研究进展与展望
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表,理论上拥有禁带宽度大、热导率极高、载流子迁移率高等诸多优异特性。自1796年Tennant证明金刚石是碳的一种同素异形体以来,人造金刚石的探索便从未间断。近年来,随着制造成本 ...
分类:    2026-5-19 09:28
报告分享| SiC MOSFETs非侵入式结温均衡与平滑方法研究
报告分享| SiC MOSFETs非侵入式结温均衡与平滑方法研究
张擎昊 博士后张擎昊,本博均毕业于清华大学电机工程与应用电子技术系,师从国家杰青张品佳教授,现为清华大学 “水木学者”博士后;研究方向为功率装备可靠性健康管理与智能感知。近年来,以第一作者、通讯作者在电 ...
分类:    2026-5-19 09:26
武汉大学刘胜团队:金刚石直接键合取得新进展
武汉大学刘胜团队:金刚石直接键合取得新进展
随着AI芯片、3D封装和高功率器件的发展,芯片间互连和热管理问题正变得越来越关键。相比传统材料,金刚石因具有超宽禁带、高热导率、高载流子迁移率以及优异的化学稳定性,被认为是下一代半导体与热管理的重要候选材 ...
分类:    2026-5-19 09:18
Navitas募资1.22亿美元:双线推进GaN SiC在AI数据中心的应用拓展
Navitas募资1.22亿美元:双线推进GaN SiC在AI数据中心的应用拓展
2026年5月,Navitas Semiconductor完成了一轮市价增发,净募资约1.22亿美元,由Craig-Hallum Capital Group与瑞银证券共同担任销售代理。此次募资为公司此前已备案的2.5亿美元搁架注册计划的一部分,资金将用于补充 ...
分类:    2026-5-19 09:01
Modelithics&Guerrilla RF:GaN-on-SiC HEMT模型纳入COMPLETE
Modelithics&Guerrilla RF:GaN-on-SiC HEMT模型纳入COMPLETE
Modelithics与Guerrilla RF达成赞助型MVP合作,六款GaN-on-SiC HEMT非线性模型纳入COMPLETE Library2026年5月13日,高精度射频与微波仿真模型领域的领先提供商Modelithics, Inc.宣布,来自Guerrilla RF, Inc.(OTCQX ...
分类:    2026-5-18 10:43
8寸碳化硅激光剥离迈入40μm超低损耗量产时代!
8寸碳化硅激光剥离迈入40μm超低损耗量产时代!
近日,国产设备商中微精仪宣布,已率先实现8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗迈入40μm时代,打破行业长期以来60–80μm的损耗瓶颈,为国产大尺寸SiC产业化提供关键技术支撑。图片来源:中微精仪当前,碳化硅应用从新能 ...
分类:    2026-5-18 10:42
Intone Power发布基于SiC、GaN高频有源电力滤波器设计方案
Intone Power发布基于SiC、GaN高频有源电力滤波器设计方案
2026年5月13日,Intone Power于官方网站发布基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的高频有源电力滤波器(APF)设计方案,系统阐述了宽禁带半导体材料如何通过提升开关频率来改善电力系统电能质量。该方案标志着SiC/GaN ...
分类:    2026-5-18 10:40

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