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瞻芯电子招募海外 Foundry Sales & Customer Service，拓展全球市场: 中国领先的碳化硅功率半导体（IDM）和芯片商——瞻芯电子，为进一步拓宽海外渠道、完善一站式商务与销售服务水平，支撑海外业务长效增长，现面向业界招募海外销售客户服务相关人才。Application Address/投递地址 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 13:09

氧化镓全景解读 | 氧化镓衬底产品盘点：类型与供应格局: 在氧化镓产业链中，衬底是外延生长、器件制备与性能验证的起点，也是决定后续产业化进程的关键基础。随着β-Ga2O3单晶制备技术不断成熟，全球氧化镓衬底供应正逐步从小尺寸科研样品，向多晶向、大尺寸、可定制、可外 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 12:03

《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布: 2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 12:01

是德科技与稳懋半导体携手合作，降低氮化镓单片微波集成电路风险: 联合设计流程可大幅降低 5G、卫星及国防领域产品的流片制造风险是德科技与稳懋半导体联合推出一套一体化单片微波集成电路设计流程，助力氮化镓芯片设计企业实现一次流片即成功的研发目标。这套一体化设计平台将片上 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:50

国家重点新材料研发及应用科技重大专项2026年度第二批项目申报: 关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项（科技创新2030重大项目）2026年度第二批项目的通知发布时间：2026年07月03日来源：新材料重大专项专项办各有关单位：根据重点新材料研发及应用国家科技重大专项 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:47

宽禁带科技论|单晶4英寸超薄氧化镓及其日晷启发的高维日盲光电探测超系统: 近日，东北师范大学刘为振、徐海洋团队与新加坡国立大学仇成伟团队在《Nature Communications》发表研究论文，报道了一种液态金属辅助合成与转移单晶、4英寸、超薄β-Ga₂O₃的方法。所制备的β-Ga₂ ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:46

onsemi访谈：欧洲SiC设计周期比中国慢一倍，GaN和SiC是互补关系: PCIM Europe 2026期间，Power Electronics News与onsemi欧洲销售与运营副总裁Sam Francis进行了一场对话。话题覆盖SiC在中欧汽车市场的采用差距、GaN与SiC的互补定位、垂直GaN的应用方向等。onsemi在PCIM上展示了从M ...; 分类: 新闻通知 2026-7-6 09:40

上海临港发布第四代半导体三年行动方案：氧化镓、金刚石、氮化铝: 7月2日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会正式印发《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》（沪自贸临管委〔2026〕48号）。方案聚焦以氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C） ...; 分类: 新闻通知 2026-7-6 09:36

742GHz超高频率45纳米GaN HEMT问世，庆北大学突破射频器件性能天花板: 在2026年6月22日举办的VLSI技术与电路研讨会上，韩国庆北大学研究团队对外发布了一项极具行业突破性的射频半导体研究成果，一款依托IVWorks reGaN工艺技术研发的45纳米氮化镓高电子迁移率晶体管器件正式亮相，该器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 10:04

SiC MOSFET 芯片解说— 看懂结构图中的栅极下方的P⁺，P shielding: 上次聊了P-base（P基区）旁边的P⁺——它的作用是防止寄生三极管导通。SiC MOSFET 芯片结构解说：— 看懂结构图中的P base中的 P⁺，炸管元凶之一芯片结构图里还有另一个P⁺，位置在栅极下方，如下图 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 10:02

氧化镓MOSFET：界面为何至关重要: 得益于超宽禁带特性以及原生衬底的可用性，β-Ga₂O₃正从一种令人关注的实验室材料，逐步成为下一代功率电子领域一个值得认真对待的技术选项。对于致力于这一目标的研究人员和技术人员来说，核心问题已不 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-2 09:31

全GaN单片集成取得突破：迈向“显示+通信+感知”三合一芯片: 随着Micro LED技术不断向AR/VR、智能穿戴和可见光通信（VLC）等领域拓展，如何在有限的芯片面积内实现显示、通信与感知功能的深度融合，成为业界关注的重要方向。近日，山东大学研究人员提出了一种全新的全氮化镓（A ...; 分类: 新闻通知 2026-7-1 10:09

下一代AI数据中心供电链路与功率器件重构: 6月26日，由InSemi和天科合达共同举办的AIDC POWER×SEMICONDUCTOR闭门沙龙在上海张江之尚顺利举办。本次交流围绕AI数据中心供电架构演进、HVDC高压直流路线发展、SST技术路径，以及SiC、GaN等功率器件在新一代电源 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-1 09:54

智元第15000台具身机器人下线：GaN已批量部署于关节驱动: 6月28日，智元机器人宣布第15000台具身智能机器人正式下线，距离今年3月突破万台量产仅用时不足3个月，再次刷新全球具身智能机器人量产纪录。本次下线的第15000台产品型号为智元精灵G2，当天即交付给龙旗科技工厂， ...; 分类: 新闻通知 2026-7-1 09:52

第四代半导体材料量产落地，真的能撑起下一代算力与通信吗？: 近期半导体领域传来重磅消息：国内首条第四代半导体全产业链生产基地落地郑州，8 英寸氧化镓外延生产线实现稳定批量供货，微纳米金刚石产线同步动工。从碳化硅、氮化镓的第三代，到氧化镓、金刚石的第四代，半导体材 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-30 11:50

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