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新增8吋SiC晶圆线,目标取代数据中心硅光子
新增8吋SiC晶圆线,目标取代数据中心硅光子
近日,又有一家企业宣布将要建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂,不过,该晶圆厂生产的不是SiC功率器件或者GaN射频器件,而是光子集成电路或GPU处理器。据推测,这个项目有机会在多个环节中导入SiC和GaN,潜在市场规模约2 ...
分类:    2025-12-19 10:55
从材料到封装,功率GaN HEMT要关注的8大问题
从材料到封装,功率GaN HEMT要关注的8大问题
近年来,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借其高频率、高效率和高功率密度的优势,正在革新电源管理和射频领域。然而,要将外延片真正转化为高性能芯片,GaN HEMT的制造工艺面临着一系列严峻的工程挑战。对于 ...
分类:    2025-12-19 10:53
半导体所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光
半导体所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光
193nm深紫外(DUV)激光因具有高空间分辨率、高光子能量等特点,在半导体器件先进制造、微纳材料分析、生物医学检测等领域具有重要应用价值。目前广泛应用的193nm氟化氩(ArF)准分子气体激光器存在体积大、效率低、 ...
分类:    2025-12-19 10:51
日本Oxide、名古屋大学等:利用液相法成功制备6英寸P型衬底
日本Oxide、名古屋大学等:利用液相法成功制备6英寸P型衬底
12月16日,援引日刊工业新闻消息,由日本Oxide Power Crystal 株式会社携手名古屋大学等产学研单位组建的联合研发团队,依托名古屋大学在溶液生长法领域积淀的成熟技术经验,成功研制出6英寸P型碳化硅衬底,同时在6 ...
分类:    2025-12-19 10:50
报告分享 | 碳化硅高速增长的前夕:功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动
报告分享 | 碳化硅高速增长的前夕:功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动
2025年11月25日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议系列活动——宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛在郑州成功举办。论坛上,五矿证券研究所半导体行业分析师金凯笛带来了深度解读。她的报告《碳化硅高速增长的 ...
分类:    2025-12-19 10:48
【会场回顾--超宽禁带半导体专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025 ...
【会场回顾--超宽禁带半导体专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025 ...
2025年11月27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...
分类:    2025-12-19 10:31
【会场回顾--器件与应用专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
【会场回顾--器件与应用专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
2025年11月27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...
分类:    2025-12-19 10:19
【会场回顾--材料与装备专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
【会场回顾--材料与装备专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
2025年11月27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...
分类:    2025-12-19 10:13
【会场回顾--主旨报告】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
【会场回顾--主旨报告】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)
2025年11月27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...
分类:    2025-12-19 09:48
可重构SiC光栅突破空间微小平台激光通信组网瓶颈——长春理工大学姜会林院士团队联合 ...
可重构SiC光栅突破空间微小平台激光通信组网瓶颈——长春理工大学姜会林院士团队联合 ...
导读近日,长春理工大学姜会林院士团队联合吉林大学张永来教授团队,利用飞秒激光加工技术在PDMS内部制备了可重构SiC光栅,构建了级联SiC光栅发射单元,在225米的真实大气信道中实现了1对9的动态激光信息传输,大幅 ...
分类:    2025-12-19 09:42
声子热桥”破解散热难题!复旦大学宁波研究院马宏平团队实现Ga₂O₃/SiC界 ...
声子热桥”破解散热难题!复旦大学宁波研究院马宏平团队实现Ga₂O₃/SiC界 ...
编者按近日,复旦大学宁波研究院双聘青年杰出人才、宽禁带半导体材料与器件研究所副所长马宏平博士团队在国际顶级期刊《Nature Communications》上发表了最新成果。该研究以《Improving interfacial thermal conduct ...
分类:    2025-12-19 09:39
全国首家:南方半导体车规功率半导体检测实验室新增项目获批
全国首家:南方半导体车规功率半导体检测实验室新增项目获批
11月初,东莞南方半导体科技有限公司车规级功率半导体检测中心又传捷报,暨8月份CNAS年度评审顺利通过后,依据2025版碳化硅模块车规级检测标准AQG324,DRB(动态反偏)和DGS(动态栅偏)两个新测试项目被正式纳入检 ...
分类:    2025-12-19 09:33
深圳平湖实验室建立 无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度能力
深圳平湖实验室建立 无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度能力
近日,深圳平湖实验室分析检测中心已成功构建“无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度”能力。该技术攻克LO声子-等离子体耦合(LOPC)精准利用、干扰排除等行业技术瓶颈,建立了完整的4H-SiC载流子浓度非破坏性测量 ...
分类:    2025-12-17 11:14
直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心
直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心
随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来,碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结,强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场,已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。今年10月,英伟达公布了最新一批800VDC数据中心 ...
分类:    2025-12-17 11:09
广东工业大学熊晓明团队综述:我国集成电路关键技术挑战与协同创新路径
广东工业大学熊晓明团队综述:我国集成电路关键技术挑战与协同创新路径
我国集成电路关键技术挑战与协同创新路径在全球科技博弈加剧、关键技术受限的背景下,集成电路产业已成为国家战略安全和科技自主的核心领域。广东工业大学熊晓明教授团队在《广东工业大学学报》2025年第6期发表的特 ...
分类:    2025-12-17 11:04

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