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下级分类:  公告通知|联盟动态
交流电机驱动器采用碳化硅的优势
交流电机驱动器采用碳化硅的优势
电压源逆变器驱动系统广泛应用于工业变速电机控制领域。虽然硅IGBT仍然是此类驱动系统中最主要的功率器件,但碳化硅(SiC)在性能和成本方面的提升,使得评估SiC在此应用中所能带来的系统整体优势变得极具吸引力。交流 ...
分类:    2026-2-11 13:16
长飞先进完成超10亿元A+轮融资 加速碳化硅全产业链布局
长飞先进完成超10亿元A+轮融资 加速碳化硅全产业链布局
近日,长飞先进正式宣布完成超10亿元A+轮股权融资,这是继2023年其斩获超38亿元A轮融资后,再次获得资本市场的高度认可与重磅加持。本轮融资由江城基金、长江产业集团联合领投,光谷金控持续参投,奇瑞旗下芯车智联 ...
分类:    2026-2-11 13:14
面向日盲紫外探测的MOCVD法制备Ga₂O₃薄膜:相演化与光电性能
面向日盲紫外探测的MOCVD法制备Ga₂O₃薄膜:相演化与光电性能
由北京邮电大学吴真平教授联合南京邮电大学唐为华教授团队的研究团队在学术期刊 Chinese Physics B 发布了一篇名为 Phase Evolution and Optoelectronic Properties of Ga2O3 Films via MOCVD for Solar-Blind UV De ...
分类:    2026-2-11 13:07
宽禁带半导体前沿速递 | 2026产业信息简报(一月)
宽禁带半导体前沿速递 | 2026产业信息简报(一月)
2026年初,宽禁带半导体产业全面进入规模化应用新阶段:碳化硅加速上车,9款新车密集发布,8英寸产线通线;氮化镓向中高压与智能集成突破,5 kV开关、300mm Chiplet刷新性能边界;超宽禁带材料在散热、探测、光学等 ...
分类:    2026-2-11 11:28
深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关
深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关
近日,深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展,成功研制出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。该团队和山东大学肖龙飞教授团队紧密合作对该器件进行了系统性分析,实现了 ...
分类:    2026-2-10 15:51
200mm 碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响
200mm 碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响
我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能?这是我们几十年来一直在追问的问题,同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC) 材料性能的极限——因为我们知道下一代碳化硅 (SiC) 器件技术正依赖于此。这篇文章探 ...
分类:    2026-2-10 15:37
张清纯博士:SiC器件产业化才刚刚起步
张清纯博士:SiC器件产业化才刚刚起步
为解读当前产业态势,明晰未来发展路径,我们邀请到了为清纯半导体董事长、复旦大学特聘教授张清纯博士。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。对于清纯半导体而言,2025年是他们“在激流中勇进、于 ...
分类:    2026-2-10 15:33
芯联集成/天域/基本公布SiC合作进展
芯联集成/天域/基本公布SiC合作进展
近期,国内又有3家SiC企业宣布合作动态:芯联集成浩思动力:双方将开发高性能IGBT/SiC功率模组,预计覆盖约10款混动车型。天域半导体EYEQ Lab:达成6至8英寸SiC外延片合作,后者8吋工厂已运行。基本半导体麦田能源: ...
分类:    2026-2-10 15:30
90%转移良率!金刚石薄膜高效异质集成
90%转移良率!金刚石薄膜高效异质集成
金刚石在高功率电子(如GaN-金刚石复合器件)、X射线探测器、量子传感等领域展现出巨大潜力,但高质量大尺寸金刚石衬底的获取始终是瓶颈。目前主流方法包括同质外延和异质外延CVD生长,但均存在缺陷密度高、生长时间 ...
分类:    2026-2-9 09:42
浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队开展面向器件应用的 4 英寸 Fe 掺杂 β-Ga₂O& ...
浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队开展面向器件应用的 4 英寸 Fe 掺杂 β-Ga₂O& ...
由浙江大学杨德仁院士、张辉教授的研究团队在学术期刊《人工晶体学报》发布了一篇名为Growth and Properties of 4-Inch Fe Doped (010) β-Gallium Oxide Using Vertical Bridgman Method(垂直布里奇曼法生长4英寸F ...
分类:    2026-2-9 09:41
困扰PGaN栅制造多年的“刻蚀”难题,被一个“三明治”结构破解了
困扰PGaN栅制造多年的“刻蚀”难题,被一个“三明治”结构破解了
一、行业痛点:增强型GaN的栅极刻蚀问题如果我们把目光投向当下的功率半导体市场,氮化镓(GaN)无疑是最耀眼的明星。从快充头到激光雷达,再到数据中心电源,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)正在重塑电力电子 ...
分类:    2026-2-9 09:31
固态变压器爆发在即,SiC如何撬动千亿蓝海市场?
固态变压器爆发在即,SiC如何撬动千亿蓝海市场?
全球人工智能数据中心“军备竞赛”拉开了800 VDC新型电力系统的序幕。固态变压器作为核心设备,已在多个数据中心落地应用。据调研,国内某固态变压器企业的订单将增长700%,整个行业正处于大规模商用的爆发前夜,一 ...
分类:    2026-2-9 09:27
中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心招聘启事
中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心招聘启事
No.1 中心简介中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心(以下简称“中心”)面向凝聚态物理与材料科学的重大前沿问题,聚焦“数据—模型—计算—实验—验证”一体化的新范式,围绕AI for Science(AI4S)与AI fo ...
分类:    2026-2-6 09:57
在GaN衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极
在GaN衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极
AOM丨厦门大学张洪良教授团队:在GaN(0001)衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极用于光电子学应用由厦门大学张洪良教授的研究团队在学术期刊 Advanced Optical Materials 发布了一篇名为Epitaxial ...
分类:    2026-2-6 09:56
射频氮化镓,持续增长
射频氮化镓,持续增长
5G的发展以及国防和卫星通信领域对高功率射频氮化镓技术的日益普及,推动了该技术的持续增长。根据Yole Group最新发布的射频氮化镓(RF GaN)市场报告,氮化镓器件在高功率射频信号的产生和放大中发挥着关键作用,其 ...
分类:    2026-2-6 09:50

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