中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

学术前沿| 金刚石半导体：高压器件、高效抛光与异质结新进展: “本期将聚焦金刚石，精选7篇发表于《Applied Physics Letters》《Carbon》等顶刊的最新论文。内容涵盖高压功率器件、表面终端化、超精密抛光、异质结光电探测及新型逻辑器件，为您呈现金刚石从材料制备到器件应用的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:44

功率密度抬升之后，半导体的竞争正在从“器件性能”转向“电力路径占位”: 当功率密度持续抬升，半导体公司的增长不再取决于“卖多少芯片”，而取决于“能接入多少电力路径”多数人会把一家功率半导体公司的增长理解为产品结构升级、下游需求扩张，或者单一赛道的景气度变化，但这里呈现的变 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:17

吉林省投入881万元建设宽禁带半导体重点实验室: 图片来源：中国政府购实服务信息平台2026年5月9日，吉林师范大学发布“吉林省宽禁带半导体重点实验室建设项目（一期）”公开招标公告，项目预算金额为881万元人民币，资金来源为财政拨款，合同签订后6个月内完成交货 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:13

Cyient携手Navitas推出印度首款GaN功率IC系列，瞄准AI计算与电动出行市场: 图片来源：cyientsemi官网2026年5月11日，Cyient Semiconductors Private Limited宣布推出七款面向印度市场的650V氮化镓（GaN）功率集成电路，采用美国Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）授权技术开发。这 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-13 09:12

斯坦福 & 宾州州立团队：突破GaN HEMT自热限制！金刚石散热方案可降热阻35%: 随着5G通信、雷达以及高频功率电子的发展，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已成为高频、高功率射频器件的重要基础。与传统硅器件相比，GaN材料具备更高击穿电场、更高电子迁移率以及二维电子气（2DEG）特性， ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:42

固态变压器爆发，为何说10kV SiC是“皇冠上的明珠”？: 2025年以来，国内外已有15家企业披露固态变压器（SST）产品进展，这一态势不仅标志着SST技术迈向落地阶段，更为10kV SiC 技术的商用化进程提供了契机。有企业预测，随着SST等核心市场的持续扩容，10kV SiC将逐步成为 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:41

破解GaN成本难题！Atomera GaN-on-Si技术进入PowerAmerica提案阶段，宽禁带功率半导体 ...: 半导体材料与技术授权公司Atomera宣布，其关于氮化镓硅基（GaN-on-Si）技术的概念书已获批进入PowerAmerica研究所主导提案（IIP）阶段，旨在推动宽禁带功率半导体技术发展。该提案提出与行业及科研伙伴合作，利用Ato ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:33

韩国投入5000亿韩元推进下一代功率半导体国产化: 在AI数据中心、电动汽车及新能源基础设施快速扩张的背景下，功率半导体的战略价值日益凸显。据韩媒《ETNEWS》报道，韩国政府正计划投入5000亿韩元（约合3.443亿美元）国家专项资金，启动下一代功率半导体国产化大型 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-12 10:26

2035年功率半导体市场全景：SiC/GaN将占1/3，氧化镓成新变量: 2026年4月28日，富士经济发布了2035年全球功率半导体市场预测报告。预计到2035年，全球功率半导体市场规模将达到73495亿日元（约3189 亿元人民币）。其中，硅（Si）功率半导体市场规模将达到48418亿日元，下一代功率 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:12

60款SiC新车型亮相，北京车展释放哪些信号？: 近日，历经10天的2026北京国际汽车展览会圆满落幕。据主办方透露，本届展会共展出展车1451辆，其中首发车181台、概念车71台，数量居全球车展前列，成为全球汽车产业变革的风向标。据调研发现，此次北京车展共展出60 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 10:09

超晶热导发布大尺寸光学级金刚石晶圆，自研16英寸“长晶炉”!: 近日，深圳市超晶热导技术有限公司（简称“超晶热导”）正式发布新一代大尺寸光学级金刚石晶圆，并同步宣布成功研制16英寸高真空热丝CVD金刚石生长设备（“长晶炉”）。这一系列突破标志着我国在高端金刚石材料制备 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-11 09:56

山东大学：氢终止金刚石 2DHG 的界面调控、形成机制及器件应用研究综述: 金刚石作为超宽禁带半导体（带隙约5.5 eV），凭借高击穿场强、高载流子迁移率及极高热导率的优异特性，被公认为潜在的“终极半导体”。然而，其本征材料难以通过传统掺杂实现有效导电，尤其是n型掺杂困难、p型激活能 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:04

2026年宽禁带半导体地方政策密集落地，各地产业布局加速深化: 进入2026年，宽禁带半导体产业的地方政策竞争明显提速。此前数年“国家定调、地方跟进”的节奏已经改变，各省市正以显著增强的政策密度和资金力度，将宽禁带导体深度嵌入各自的“十五五”发展蓝图。从广东针对设备投 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 10:01

38.12亿欧元 vs 15.13亿美元：英飞凌、安森美最新财报里SiC新格局: 5月4日至6日，全球功率半导体两大头部厂商安森美（onsemi）与英飞凌（Infineon）相继披露最新财季业绩。前者宣告"已走出周期底部"，后者大幅上调全年指引并启动组织架构重组。在AI数据中心电源需求爆发、汽车SiC ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:53

AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产: 图片来源：EQS-Media2026年5月7日，AIXTRON SE宣布向瑞萨电子（Renesas）供应多台Planetary G5+C MOCVD系统，用于其氮化镓（GaN）功率器件在量产环境中的产能扩充。该设备已交付并全面投入运行。此次交付并非孤立的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-9 09:41

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 289 / 289 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部