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电控上市企业战略投资镓创未来，共拓第四代半导体新征程！: 近日，蓝海华腾（股票代码：300484）在产业布局上迈出重要一步，正式完成对第四代半导体新锐企业“镓创未来”的战略投资。此次投资不仅为镓创未来注入了新的发展动力，也标志着蓝海华腾在第四代半导体领域的探索与实 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-12 10:57

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）国产装备联盟系列突破: 在全球科技竞争格局加速重构、关键技术自主可控成为国家战略核心的当下，半导体装备的国产化突破已上升到关乎产业发展全局的战略高度。作为全球最大的制造业经济体，中国在智能化转型过程中对芯片的依赖程度与日俱增 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-12 10:56

爱仕特：SiC业务成效显著，成功切入多家头部车企: 为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，我们邀请了爱仕特科技SiC业务总经理陈宇。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。2025年底，爱仕特迎来成立八周年里程碑。自扎根碳化硅功率半导体领域以来， ...; 分类: 新闻通知 2026-2-12 10:51

硅基氮化镓功率外延：走向机器人“心脏”革命，重塑机器人的未来: 高转换效率、小型化和低功耗的硅基氮化镓功率半导体，正在悄悄改变电子设备的供电方式。过去几年，这项技术已在小功率快充领域证明了自己的商业价值。而现在，它正准备向更高电压、更高功率的机器人工业市场发起冲击 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-12 10:48

交流电机驱动器采用碳化硅的优势: 电压源逆变器驱动系统广泛应用于工业变速电机控制领域。虽然硅IGBT仍然是此类驱动系统中最主要的功率器件，但碳化硅(SiC)在性能和成本方面的提升，使得评估SiC在此应用中所能带来的系统整体优势变得极具吸引力。交流 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-11 13:16

长飞先进完成超10亿元A+轮融资加速碳化硅全产业链布局: 近日，长飞先进正式宣布完成超10亿元A+轮股权融资，这是继2023年其斩获超38亿元A轮融资后，再次获得资本市场的高度认可与重磅加持。本轮融资由江城基金、长江产业集团联合领投，光谷金控持续参投，奇瑞旗下芯车智联 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-11 13:14

面向日盲紫外探测的MOCVD法制备Ga₂O₃薄膜：相演化与光电性能: 由北京邮电大学吴真平教授联合南京邮电大学唐为华教授团队的研究团队在学术期刊 Chinese Physics B 发布了一篇名为 Phase Evolution and Optoelectronic Properties of Ga2O3 Films via MOCVD for Solar-Blind UV De ...; 分类: 新闻通知 2026-2-11 13:07

宽禁带半导体前沿速递 | 2026产业信息简报（一月）: 2026年初，宽禁带半导体产业全面进入规模化应用新阶段：碳化硅加速上车，9款新车密集发布，8英寸产线通线；氮化镓向中高压与智能集成突破，5 kV开关、300mm Chiplet刷新性能边界；超宽禁带材料在散热、探测、光学等 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-11 11:28

深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关: 近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展，成功研制出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。该团队和山东大学肖龙飞教授团队紧密合作对该器件进行了系统性分析，实现了 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-10 15:51

200mm 碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响: 我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能？这是我们几十年来一直在追问的问题，同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC) 材料性能的极限——因为我们知道下一代碳化硅 (SiC) 器件技术正依赖于此。这篇文章探 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-10 15:37

张清纯博士：SiC器件产业化才刚刚起步: 为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，我们邀请到了为清纯半导体董事长、复旦大学特聘教授张清纯博士。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。对于清纯半导体而言，2025年是他们“在激流中勇进、于 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-10 15:33

芯联集成/天域/基本公布SiC合作进展: 近期，国内又有3家SiC企业宣布合作动态：芯联集成浩思动力：双方将开发高性能IGBT/SiC功率模组，预计覆盖约10款混动车型。天域半导体EYEQ Lab：达成6至8英寸SiC外延片合作，后者8吋工厂已运行。基本半导体麦田能源： ...; 分类: 新闻通知 2026-2-10 15:30

90%转移良率！金刚石薄膜高效异质集成: 金刚石在高功率电子（如GaN-金刚石复合器件）、X射线探测器、量子传感等领域展现出巨大潜力，但高质量大尺寸金刚石衬底的获取始终是瓶颈。目前主流方法包括同质外延和异质外延CVD生长，但均存在缺陷密度高、生长时间 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-9 09:42

浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队开展面向器件应用的 4 英寸 Fe 掺杂 β-Ga₂O& ...: 由浙江大学杨德仁院士、张辉教授的研究团队在学术期刊《人工晶体学报》发布了一篇名为Growth and Properties of 4-Inch Fe Doped (010) β-Gallium Oxide Using Vertical Bridgman Method（垂直布里奇曼法生长4英寸F ...; 分类: 新闻通知 2026-2-9 09:41

困扰PGaN栅制造多年的“刻蚀”难题，被一个“三明治”结构破解了: 一、行业痛点：增强型GaN的栅极刻蚀问题如果我们把目光投向当下的功率半导体市场，氮化镓（GaN）无疑是最耀眼的明星。从快充头到激光雷达，再到数据中心电源，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）正在重塑电力电子 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-9 09:31

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