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功率GaN为什么开始从200毫米走向300毫米晶圆？: 功率GaN已经进入快充、数据中心电源、工业电源和汽车电力电子。随着需求扩大，一个看似熟悉的问题出现了：既然硅逻辑早已使用300毫米晶圆，GaN为什么还大量停留在200毫米，又为什么现在才开始向300毫米推进？核心结 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-16 11:48

安森美与阳光电源携手推进碳化硅混合技术应用，提升储能系统性能: 随着人工智能驱动的电力需求在全球加速增长，公用事业公司和能源供应商面临着更高效地储存和输送电能的压力。电池储能系统（BESS）供应商正在寻求先进的电源转换技术，以提升性能和系统经济性。为满足这些需求，阳光 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-16 11:47

超10家企业卡位，超结SiC MOSFET量产还有多远？: 近期，国内企业在超结SiC MOSFET领域取得工艺突破，海外大厂则规划于2027至2031年陆续实现量产，一场围绕下一代SiC器件结构的技术竞逐已然展开。不过，超结SiC MOSFET要实现商业化落地，仍需解决制造工艺、电荷平衡 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-16 11:46

【委员会公布】第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议邀您参会: Advisory committee！顾问委员会公布NVITATION·作为宽禁带半导体领域的重要国际交流平台，亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM）自2018年在 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-16 11:45

【行业人才招聘】优艾智合机器人2027届校园招聘正式启动！: 来源：优艾智合人才智核注：本文由作者原创,由联盟编辑整理。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-10-16 11:34

氮化镓赋能具身智能英诺赛科×优联智能Dexa Cyclo摆线关节模组落地: 当前具身智能产业快速发展，机器人关节模组正迎来技术变革。传统硅基功率器件受限于损耗、体积瓶颈，难以同时实现高扭矩、小体积、轻量化、长续航等诉求。英诺赛科携手优联智能，助力 Dexa Cyclo 摆线系列关节模组实 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-14 09:29

南京大学叶建东教授等人团队利用氮梯度工程协同调控沟道与电场，β-Ga₂O₃ ...: 由南京大学叶建东教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张晓东研究员、香港大学张宇昊教授的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Nitrogen-graded electrostatic compensation for n ...; 分类: 新闻通知 2026-10-14 09:24

晶能联手Wolfspeed，并不简单: 10月12日，晶能发文宣布与Wolfspeed签署合作备忘录，还特别提到了签约地点——杭州市吉利科技大厦。这项合作是晶能完成股改和6.3亿元C轮融资后的又一关键动作，也是Wolfspeed大中华区战略落地的重要动作。这不是简单 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-14 09:18

大连理工大学与清华大学合作团队：基于电容瞬态谱揭示InGaNGaN多量子阱中非对称载流子 ...: 背景与痛点（Why）InGaN/GaN多量子阱是高亮LED、半导体激光器及Micro-LED等核心光电子器件的基础结构。在强内置极化电场的作用下，量子阱中的载流子捕获、局域化及逃逸动力学过程极为复杂。其中，载流子从量子阱2D束 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-13 14:23

中共中央、国务院印发《关于发展新质生产力的意见》：19 项举措下的半导体材料、金刚 ...: 据新华社，中共中央、国务院近日印发《关于发展新质生产力的意见》（以下简称《意见》），为加快发展新质生产力作出系统部署。文件明确以全要素生产率大幅提升为核心标志，坚持创新主导、改革为要、因地制宜、先立后 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-13 14:18

长飞先进——碳化硅器件企业启动IPO: 近日，长飞先进宣布召开IPO项目启动会，意味着又有一家国内碳化硅企业将踏入上市进程。2025年至今，国内已有多家碳化硅企业参与上市进程，这既是碳化硅企业发展壮大的体现，也说明碳化硅赛道正受到资本市场更多关注 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-13 14:12

沟槽型SiC MOSFET为什么能降电阻，却更难保证可靠性？: 在功率器件里，“沟槽型”常被简单理解为更先进、导通电阻更低。这个判断只说对了一半：把栅极从芯片表面移进刻蚀沟槽，确实能缩小单元间距、增加沟道密度，并减弱平面型结构中的电流收窄；但沟槽底部和拐角也更接近 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-13 14:10

广州拓诺稀科技有限公司实现(010)氧化镓SBD器件技术突破: 实现(010)氧化镓SBD器件技术突破近日，广州拓诺稀科技有限公司（以下简称“公司”）在氧化镓（Ga₂O₃）功率器件领域取得阶段性进展。继（010）厚膜同质外延技术突破后，公司基于自主外延材料完成肖特基势 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 12:01

观察｜9580万美元加单背后：SiC外延环节的价值重估: ”9580万美元，约合7.5亿港币，2026年底前交完“。我们今天来回顾一下节前业内讨论最热闹的新闻，瀚天天成9月24日这则公告。简化一下新闻内容用一句话说就是，瀚天的一个主要国际客户增购6英寸和8英寸SiC外延片，" ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 12:00

金刚石散热，到底卡在哪一步电子科大联合微电子中心联合综述分析: 芯片散热讨论中，金刚石很容易被一个数字概括：高质量单晶在室温下的热导率可超过2000 W/(m·K)。这个数字足够亮眼，却没有回答一个更实际的问题——芯片里的热，能不能真正用上它？热量要先离开发热区域，穿过半导 ...; 分类: 新闻通知 2026-10-12 11:58

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