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天一晶能突破6英寸3C-SiC晶圆技术,开启国产第三代半导体新征程
天一晶能突破6英寸3C-SiC晶圆技术,开启国产第三代半导体新征程
近日,成都天一晶能半导体有限公司研发团队,历经三年时间的潜心深耕,成功以液相法生长出6英寸立方碳化硅(3C-SiC)晶圆,为国产液相法SiC衬底规模化量产打下坚实的基础。01 液相法生长技术的突破碳化硅晶圆作为第 ...
分类:    2026-2-13 09:18
3家SiC企业车规进展:导入比亚迪/宁德时代
3家SiC企业车规进展:导入比亚迪/宁德时代
近期,多家碳化硅相关企业陆续召开2025年度总结大会,披露年度发展成果与未来规划。其中,智新半导体、元山半导体、汉斯半导体三家企业均提到了他们在车规级SiC领域的关键突破。智新半导体:SiC模块落地装车 营收剑 ...
分类:    2026-2-13 09:17
观点 | Mordor Intelligence发布碳化硅功率半导体市场分析报告
观点 | Mordor Intelligence发布碳化硅功率半导体市场分析报告
近日,全球知名科技行业研究与咨询公司Mordor Intelligence发布《碳化硅功率半导体市场分析报告》。▲全球市场规模预测 | 图源: Mordor Intelligence根据Mordor Intelligence数据,2025年碳化硅功率半导体市场规模为 ...
分类:    2026-2-13 09:14
宽禁带科技论|北京大学成功研制无衬偏效应的GaN-on-Si单芯片集成双向开关器件
宽禁带科技论|北京大学成功研制无衬偏效应的GaN-on-Si单芯片集成双向开关器件
拥有双向导通、双向耐压的能力的双向功率开关(BDS)是诸多高效转换器拓扑,例如T型逆变器、矩阵逆变器、双有源电桥等的核心元件。传统的双向器件通常由两个分立的硅(Si)基或碳化硅(SiC)基器件串联形成,其电阻 ...
分类:    2026-2-13 09:07
电控上市企业战略投资镓创未来,共拓第四代半导体新征程!
电控上市企业战略投资镓创未来,共拓第四代半导体新征程!
近日,蓝海华腾(股票代码:300484)在产业布局上迈出重要一步,正式完成对第四代半导体新锐企业“镓创未来”的战略投资。此次投资不仅为镓创未来注入了新的发展动力,也标志着蓝海华腾在第四代半导体领域的探索与实 ...
分类:    2026-2-12 10:57
国家第三代半导体技术创新中心(苏州)国产装备联盟系列突破
国家第三代半导体技术创新中心(苏州)国产装备联盟系列突破
在全球科技竞争格局加速重构、关键技术自主可控成为国家战略核心的当下,半导体装备的国产化突破已上升到关乎产业发展全局的战略高度。作为全球最大的制造业经济体,中国在智能化转型过程中对芯片的依赖程度与日俱增 ...
分类:    2026-2-12 10:56
爱仕特:SiC业务成效显著,成功切入多家头部车企
爱仕特:SiC业务成效显著,成功切入多家头部车企
为解读当前产业态势,明晰未来发展路径,我们邀请了爱仕特科技SiC业务总经理陈宇。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。2025年底,爱仕特迎来成立八周年里程碑。自扎根碳化硅功率半导体领域以来, ...
分类:    2026-2-12 10:51
硅基氮化镓功率外延:走向机器人“心脏”革命,重塑机器人的未来
硅基氮化镓功率外延:走向机器人“心脏”革命,重塑机器人的未来
高转换效率、小型化和低功耗的硅基氮化镓功率半导体,正在悄悄改变电子设备的供电方式。过去几年,这项技术已在小功率快充领域证明了自己的商业价值。而现在,它正准备向更高电压、更高功率的机器人工业市场发起冲击 ...
分类:    2026-2-12 10:48
交流电机驱动器采用碳化硅的优势
交流电机驱动器采用碳化硅的优势
电压源逆变器驱动系统广泛应用于工业变速电机控制领域。虽然硅IGBT仍然是此类驱动系统中最主要的功率器件,但碳化硅(SiC)在性能和成本方面的提升,使得评估SiC在此应用中所能带来的系统整体优势变得极具吸引力。交流 ...
分类:    2026-2-11 13:16
长飞先进完成超10亿元A+轮融资 加速碳化硅全产业链布局
长飞先进完成超10亿元A+轮融资 加速碳化硅全产业链布局
近日,长飞先进正式宣布完成超10亿元A+轮股权融资,这是继2023年其斩获超38亿元A轮融资后,再次获得资本市场的高度认可与重磅加持。本轮融资由江城基金、长江产业集团联合领投,光谷金控持续参投,奇瑞旗下芯车智联 ...
分类:    2026-2-11 13:14
面向日盲紫外探测的MOCVD法制备Ga₂O₃薄膜:相演化与光电性能
面向日盲紫外探测的MOCVD法制备Ga₂O₃薄膜:相演化与光电性能
由北京邮电大学吴真平教授联合南京邮电大学唐为华教授团队的研究团队在学术期刊 Chinese Physics B 发布了一篇名为 Phase Evolution and Optoelectronic Properties of Ga2O3 Films via MOCVD for Solar-Blind UV De ...
分类:    2026-2-11 13:07
宽禁带半导体前沿速递 | 2026产业信息简报(一月)
宽禁带半导体前沿速递 | 2026产业信息简报(一月)
2026年初,宽禁带半导体产业全面进入规模化应用新阶段:碳化硅加速上车,9款新车密集发布,8英寸产线通线;氮化镓向中高压与智能集成突破,5 kV开关、300mm Chiplet刷新性能边界;超宽禁带材料在散热、探测、光学等 ...
分类:    2026-2-11 11:28
深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关
深圳平湖实验室成功研制万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关
近日,深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展,成功研制出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。该团队和山东大学肖龙飞教授团队紧密合作对该器件进行了系统性分析,实现了 ...
分类:    2026-2-10 15:51
200mm 碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响
200mm 碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响
我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能?这是我们几十年来一直在追问的问题,同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC) 材料性能的极限——因为我们知道下一代碳化硅 (SiC) 器件技术正依赖于此。这篇文章探 ...
分类:    2026-2-10 15:37
张清纯博士:SiC器件产业化才刚刚起步
张清纯博士:SiC器件产业化才刚刚起步
为解读当前产业态势,明晰未来发展路径,我们邀请到了为清纯半导体董事长、复旦大学特聘教授张清纯博士。为大家带来关于产业发展逻辑与未来趋势的独家前沿洞察。对于清纯半导体而言,2025年是他们“在激流中勇进、于 ...
分类:    2026-2-10 15:33

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