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800V车型SiC渗透率77%，功率半导体景气度上行信号明确: 7月17日，国信证券发布能源电子行业月报，指出功率器件交期持续拉长，行业景气度稳步提升。从2025年第一季度开始，功率器件交期逐步拉长；2026年第一季度部分器件价格开启上涨；进入二季度，交期持续延长，价格保持 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:58

【科研速递】吉林大学实现N极性GaN/AlGaN异质结构2DEG迁移率1947 cm2/V·s，创SiC衬底 ...: 近日，吉林大学研究人员在碳化硅（SiC）衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长的氮极性（N-polar）GaN/AlGaN异质结构中，实现了二维电子气（2DEG）迁移率的显著提升。该成果发表于《Applied Physics Lett ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:56

从“好用”到“卓越”：博世第三代碳化硅 MOSFET，如何真正满足车规级需求？: 电动化出行的发展，始终围绕几个关键的系统级需求展开：续航、性能，以及在真实工况下的长期可靠性。而这些需求，最终都会汇聚到电驱系统中最关键的核心部件之一——牵引逆变器。牵引逆变器不仅需要在动态负载条件下 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:32

氧化镓：超宽禁带半导体的新进展: AI驱动下的数据中心热潮或许终有一天会降温。但在资金持续涌入的当下，将AI加速器塞进19英寸机架的需求，正在深刻改变电力输送的方式。几年前，在板卡级别直接从800V转换到12V似乎还不切实际。但随着机架级配电中的 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:29

苏州纳米所孙钱团队在ISPSD 2026连发两项GaN功率器件突破: 在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上，中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展。针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的“栅极阈值电压漂移”和“导通电阻居高不下”两大瓶 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:28

全球首款硅基氮化镓射频芯片完成百万级交付，国产智能终端“信号心脏”实现换道超车: 近日，中国电科五十五所下属南京国博电子股份有限公司传来重磅消息：企业完成了全球首款面向智能终端的硅基氮化镓射频芯片大批量交付，成为全球范围内首次实现该品类芯片在消费级、民用通信终端的规模化商用落地。射 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-22 09:19

英飞凌推出用于航天电源系统的辐射强化氮化镓驱动器: 卫星电源系统越来越需要辐射强化组件，以便在极端环境条件下实现高效电力转换。英飞凌科技推出了RIC70115，这是一种用于氮化镓高迁移率晶体管（GaN HEMT）的辐射强化栅极驱动器，专为卫星及其它高可靠性空间应用开发 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:37

800V电动汽车创新正在重新定义AI数据中心供电架构: 根据IDTechEx在《Power Electronics Market 2026-2036: Data Centers, Electric Vehicles, and Renewables》市场报告中的预测，数据中心的电力电子市场到2036年将增长2.5倍。IDTechEx分析师指出，过去十年间，电动汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:35

碳化硅如何支撑世界杯的绿色与智能？: 当全球观众为绿茵场上的进球欢呼时，很少有人会留意到，一场顶级足球盛会的平稳运转，其背后是一套庞大科技基建系统在协同作战。从场馆屋顶源源不断输出的绿电，到穿梭于城市间的零碳接驳车；从全场覆盖的5G超高清转 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:34

氧化镓全景解读：外延生长——从衬底走向器件的关键环节: 导读：在氧化镓材料体系中，高质量单晶衬底解决了器件制造所需的材料基础问题，但要进一步实现高耐压、低导通损耗以及可控的器件结构，仅依靠衬底本身是不够的。外延层承担着构建器件关键功能区域的重要作用。通过外 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-20 09:18

芯聚能、芯粤能完成7亿元融资，SiC MOS已批量上车: 7月15日，芯聚能、芯粤能共同在官微宣布，他们顺利完成D轮配套股权融资交割，融资总额超7亿元人民币。本次融资由万联天泽旗下天泽晶芯基金领投，上海云泽锦沃、西交一八九六两大机构跟投。据了解，芯聚能、芯粤能已 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:29

SK Powertec与RootSemicon合作开发1200V SiC MOSFET: 2026-07-17 09:21·宽禁带联盟7月15日，韩国媒体报道，功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET已完成首轮工程流片，平均良率达到80%。对于大尺寸高 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:28

郑州大学：金属辅助外延策略实现氧化镓/金刚石共价键合: 2026-07-17 09:13·宽禁带联盟近日，郑州大学金刚石材料与器件团队在金刚石散热应用方面取得重要进展，通过“金属辅助外延生长策略”实现了高质量高取向b-Ga2O3在金刚石上的异质外延，该异质界面表现出高界面结合力 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-17 09:27

德国博世，斥巨资在美国建SiC工厂: 德国汽车零部件和芯片制造商博世周一表示，该公司已开始在其美国第一家半导体工厂进行样品生产，并与美国商务部最终敲定了一项价值 2.25 亿美元的协议，以加强美国国内碳化硅芯片的制造。在唐纳德·特朗普总统执政期 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:36

苏州纳米所纳米加工平台氧化镓垂直功率器件取得系列进展: 超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）兼具高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、本征日盲紫外响应，且大尺寸单晶衬底可熔体法低成本制备的特点，近年来在功率射频电子、深紫外探测、压电铁电和智能感知等方面广受关注。国 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-15 09:31

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