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山东大学张雷：蓝宝石图形-多孔薄膜复合衬底生长GaN单晶研究: 原文DOI：10.15541/jim20250481引用本文：SHAO H H, LI Q B, WANG S Z, et al. Research on Growth of GaN Single Crystals on Sapphire Patterned-porous Thin Film Composite Substrate. J. Inorg. Mater., DOI: 1 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 10:08

赵志斌团队在碳化硅器件高温封装及无水冷化柔直电力装备取得进展: 随着柔性直流输电技术不断发展，对以直流断路器为代表的电力装备提出了更高要求。其中的核心电力电子器件由于受到硅材料的限制，必须配备复杂的水冷系统才能保证其可靠性，严重阻碍了电力装备的小型化、轻量化与可靠 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 10:04

N-polar 射频氮化镓晶体管的未来: 在射频功率器件里，GaN 已经是“高频 + 高功率”的代表材料。今天主流 GaN HEMT 大多采用 Ga-polar 结构，工艺成熟、生态完整，也已经在基站、雷达和毫米波前端中证明了价值。但如果频率继续向 W-band、D-band 乃至 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 09:55

UCSB实现860V横向GaN超级结肖特基二极管，无需选择性外延再生长: 7月6日，Power Electronics News报道了加州大学圣塔芭芭拉分校Zachary Biegler团队在氮化镓功率器件领域的一项研究成果。该团队成功演示了一款横向GaN超级结肖特基二极管，击穿电压达到860V，且整个制备过程未采用选 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-13 09:48

《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》等两项团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》两项团体标准。上述标准于2026年6月3日正式发布，并 ...; 分类: 联盟动态 2026-7-13 09:22

Yole报告 2025-2031年功率器件市场CAGR达7.1%，中国玩家加速崛起: 7月7日，Yole Group发布最新报告《Status of the Power Electronics Industry 2026》。报告指出，全球电力电子行业在经历了多年由电气化和可再生能源驱动的快速扩张后，正进入一个更为复杂的阶段——产能过剩、价格 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:01

SiC成光储“标配”？华为、海尔等集中采用: 近期，华为数字能源、中车株洲所、海尔新能源、海博思创、林洋储能等光储企业在业界展会上集中发布了基于碳化硅技术的最新产品。这表明碳化硅正加速渗透光储应用领域，从组串式储能平台到工商业储能柜，碳化硅已成提 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 14:00

昕感科技与蔚来达成合作！联合布局车规碳化硅技术: 7月6日，碳化硅功率半导体企业昕感科技与新能源汽车企业蔚来在无锡签署战略合作协议，并宣布共建“车规功率半导体联合实验室”。此次合作不仅标志着双方将在车规级碳化硅功率器件领域展开深度协同，也反映出新能源汽 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 13:55

深圳平湖实验室两项氮化铝功率器件指标刷新全球文献纪录: 近日，深圳平湖实验室氮化铝研发团队，在氮化铝（AlN）功率器件研发领域取得重要进展，通过核心工艺优化实现关键性能跃升，两类核心器件指标双双刷新全球公开文献报道纪录，为我国超高压、极端环境电力电子装备发展 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-9 13:53

瞻芯电子招募海外 Foundry Sales & Customer Service，拓展全球市场: 中国领先的碳化硅功率半导体（IDM）和芯片商——瞻芯电子，为进一步拓宽海外渠道、完善一站式商务与销售服务水平，支撑海外业务长效增长，现面向业界招募海外销售客户服务相关人才。Application Address/投递地址 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 13:09

氧化镓全景解读 | 氧化镓衬底产品盘点：类型与供应格局: 在氧化镓产业链中，衬底是外延生长、器件制备与性能验证的起点，也是决定后续产业化进程的关键基础。随着β-Ga2O3单晶制备技术不断成熟，全球氧化镓衬底供应正逐步从小尺寸科研样品，向多晶向、大尺寸、可定制、可外 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-8 12:03

《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布: 2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准 ...; 分类: 公告通知 2026-7-8 12:01

是德科技与稳懋半导体携手合作，降低氮化镓单片微波集成电路风险: 联合设计流程可大幅降低 5G、卫星及国防领域产品的流片制造风险是德科技与稳懋半导体联合推出一套一体化单片微波集成电路设计流程，助力氮化镓芯片设计企业实现一次流片即成功的研发目标。这套一体化设计平台将片上 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:50

国家重点新材料研发及应用科技重大专项2026年度第二批项目申报: 关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项（科技创新2030重大项目）2026年度第二批项目的通知发布时间：2026年07月03日来源：新材料重大专项专项办各有关单位：根据重点新材料研发及应用国家科技重大专项 ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:47

宽禁带科技论|单晶4英寸超薄氧化镓及其日晷启发的高维日盲光电探测超系统: 近日，东北师范大学刘为振、徐海洋团队与新加坡国立大学仇成伟团队在《Nature Communications》发表研究论文，报道了一种液态金属辅助合成与转移单晶、4英寸、超薄β-Ga₂O₃的方法。所制备的β-Ga₂ ...; 分类: 新闻通知 2026-7-7 13:46

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