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英伟达×意法半导体联手突破,这一项目迈入新阶段
英伟达×意法半导体联手突破,这一项目迈入新阶段
“意法半导体”官微消息,近期,英伟达已完成对意法半导体12kW配电概念验证板的设计验证测试,该项目正式迈入生产验证测试阶段。图片来源:意法半导体中国在开放计算项目(OCP)2025峰会上,英伟达正式发布《800 VDC ...
分类:    2025-10-21 09:35
SiC上车/出货1500万颗!2家企业公布车载新进展
SiC上车/出货1500万颗!2家企业公布车载新进展
近日,两家SiC企业相继公布其SiC业务最新进展:华润微电子:第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。瀚薪科技:今年前三季度SiC产品总出货量2143万颗;车载产品出货量1503万颗,同比大幅增长1046% ...
分类:    2025-10-21 09:34
【政策发布】国家发改委、国家能源局等六部门联合发布:充电设施服务能力“三年倍增” ...
【政策发布】国家发改委、国家能源局等六部门联合发布:充电设施服务能力“三年倍增” ...
据中国电源产业网获悉,10月15日,国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案(2025—2027年)》的通知。其中,方案提出,到2027年底,在全国范围内建成2800万个充电设施,提 ...
分类:    2025-10-21 09:28
为什么你的SiC模块老是炸?这个细节九成人忽略了
为什么你的SiC模块老是炸?这个细节九成人忽略了
SiC Driver CourseSiC驱动小讲堂(一)米勒钳位Introduction引言近年来,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体技术正迎来爆发式增长。SiC MOSFET 以前所未有的速度从实验室迈向产业化,凭借其高频高效、低损耗、耐高 ...
分类:    2025-10-20 10:51
比亚迪/特斯拉/阳光电源储能“三国杀”,SiC开启新增长曲线
比亚迪/特斯拉/阳光电源储能“三国杀”,SiC开启新增长曲线
在储能市场的激烈竞争中,比亚迪、特斯拉和阳光电源这三大巨头正掀起一场技术革命。他们纷纷将碳化硅(SiC)作为核心战略支点,推动储能系统迈向更高效率、更高容量的新时代。从阳光电源的PowerTitan 3.0到特斯拉的M ...
分类:    2025-10-20 09:33
国家第三代半导体技术创新中心(深圳)发布多项技术成果及服务平台
国家第三代半导体技术创新中心(深圳)发布多项技术成果及服务平台
10月15日,2025湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)在深圳会展中心(福田)开幕,依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台(简称“深圳综合平台”)在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项 ...
分类:    2025-10-20 09:20
加码SiC产能建设!又有3家企业获融资
加码SiC产能建设!又有3家企业获融资
近日,联盟的3家成员单位宣布获得新一轮融资,分别是昂坤视觉、卓远半导体、科友半导体他们都相继完成了A+/E轮融资:昂坤视觉:完成E轮融资,今年已获3轮融资近日,昂坤视觉完成E轮融资。本轮融资由浑璞投资领投,上 ...
分类:    2025-10-20 09:14
对话博世汽车电子,碳化硅的竞争是全方面的,技术领先是前提,价格、服务也必须到位
对话博世汽车电子,碳化硅的竞争是全方面的,技术领先是前提,价格、服务也必须到位
去年PCIM期间,NE时代与时任博世汽车电子事业部(以下统称博世)中国区总裁Norman Roth博士进行过深度的交流。交流的核心主题是品质和价格之间博世的选择。期间我们交流了博世第二代碳化硅芯片的特点,8英寸碳化硅的 ...
分类:    2025-10-16 09:42
富加镓业发布(011)面氧化镓衬底新品
富加镓业发布(011)面氧化镓衬底新品
富加镓业今日正式推出新型(011)晶面氧化镓衬底产品,涵盖小片及2英寸标准规格,并全面开放 4 英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务,丰富了公司氧化镓衬底及外延产品体系,为高压功率器件等高端应用提供关键材料解决方 ...
分类:    2025-10-16 09:38
南京邮电大学唐为华教授团队:共掺杂通过多重杂质能级改善InSn-Ga₂O₃探测 ...
南京邮电大学唐为华教授团队:共掺杂通过多重杂质能级改善InSn-Ga₂O₃探测 ...
由南京邮电大学唐为华教授研究团队在学术期刊Science China Technological Sciences发布了一篇名为 Co-doping improves memory characteristics in InSn-Ga2O3 detector via multiple impurity energy levels(共掺 ...
分类:    2025-10-16 09:33
SiC MOSFET分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析
SiC MOSFET分立器件和功率模块在车载充电器应用中的性能分析
作者意法半导体:Giuseppe Aiello、Dario Patti、Francesco Gennaro、Domenico Nardo摘要本文围绕基于SiC分立器件和功率模块的功率因数校正器(PFC)级,分析并比较了二者在车载充电器(OBC)应用中的性能。热性能因 ...
分类:    2025-10-15 10:23
全碳化硅充电系统落地湖南,最快1秒1公里
全碳化硅充电系统落地湖南,最快1秒1公里
近日,国网湖南电科院“全碳化硅构网型10千伏直挂超级充电系统”通过国家能源局能源领域首台(套)重大技术装备评审,并在湖南湘江新区一处超级充电站试运行,充电速度最快达1秒1公里。该超级充电站配备了6个充电桩 ...
分类:    2025-10-15 10:07
【成员风采】深圳平湖实验室两项成果亮相ICSCRM
【成员风采】深圳平湖实验室两项成果亮相ICSCRM
2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议(The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025)在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会 ...
分类:    2025-10-15 10:03
构建宽禁带新生态:APCSCRM 2025嘉宾与展商阵容持续更新!
构建宽禁带新生态:APCSCRM 2025嘉宾与展商阵容持续更新!
2025年已经进入第四季度,宽禁带半导体迈入年度战略决胜期:SiC/GaN技术路线如何开启协同创新新范式?氧化镓与金刚石等第四代材料能否突破产业化临界点?哪些新兴应用场景将重塑行业价值版图?全球产学研生态正通过 ...
分类:    2025-10-15 10:00
KAUST:首个基于氧化镓的可高性能运行的半导体自由空间栅极晶体管
KAUST:首个基于氧化镓的可高性能运行的半导体自由空间栅极晶体管
阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授等人发表了题为 Lateral Semiconductor−Free-Space Gate Transistors 的工作于Nano Letters期刊上。本文介绍了一种新型的横向半导体-自由空间栅极晶体管(SFGT),该晶体管用半 ...
分类:    2025-10-14 09:23

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