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中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心招聘启事: No.1 中心简介中国科学院物理研究所凝聚态物质科学数据中心（以下简称“中心”）面向凝聚态物理与材料科学的重大前沿问题，聚焦“数据—模型—计算—实验—验证”一体化的新范式，围绕AI for Science（AI4S）与AI fo ...; 分类: 新闻通知 2026-2-6 09:57

在GaN衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极: AOM丨厦门大学张洪良教授团队：在GaN(0001)衬底上外延生长掺杂过量的氧化镓薄膜作为深紫外透明电极用于光电子学应用由厦门大学张洪良教授的研究团队在学术期刊 Advanced Optical Materials 发布了一篇名为Epitaxial ...; 分类: 新闻通知 2026-2-6 09:56

射频氮化镓，持续增长: 5G的发展以及国防和卫星通信领域对高功率射频氮化镓技术的日益普及，推动了该技术的持续增长。根据Yole Group最新发布的射频氮化镓（RF GaN）市场报告，氮化镓器件在高功率射频信号的产生和放大中发挥着关键作用，其 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-6 09:50

国产首款SiC MOS固态变压器实现批量供货: 2月5日，凌锐半导体正式宣布，全国首款基于国产SiC MOS芯片的固态变压器（SST）研发取得圆满成功。该项目由凌锐半导体提供SiC芯片方案，目前相关产品已顺利进入批量供货阶段，标志着我国在第三代半导体功率器件应用 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-6 09:23

中电科装备首台套12英寸碳化硅减薄设备交付: 近日，由电科装备下属北京中电科公司自主研制的国内首台套12英寸碳化硅晶锭减薄设备、衬底减薄设备成功发货，顺利交付行业龙头企业，标志着国产设备在大尺寸碳化硅加工领域实现新突破，为大尺寸衬底产能升级提供重要 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-6 09:18

注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响: 今天为大家介绍一篇2025年的文章，来自阳明交通大学，主要内容是注入工艺对SiC MOSFET栅氧质量的影响，先介绍背景，近年，SiC功率器件的商业应用不断拓展，商用器件的主要类型包括SiC MOSFET、SiC SBD和SiC JFET，对 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:23

强强联合！芯塔电子与楚睿智能达成战略合作！: 2月4日，安徽芯塔电子科技有限公司与芜湖楚睿智能科技有限公司举行战略合作签约仪式。芯塔电子董事长兼总经理倪炜江博士与楚睿智能常务副总汪明先生分别代表双方签署协议。此举标志着两家在产业链上深度互补的创新企 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:20

英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链: 2月3日，英诺赛科在官网发布《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》：公司旗下氮化镓相关产品已成功完成在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并正式签订合规供货协议。图片来源：英诺赛科公告截图作为全球氮化镓 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:19

三代半新应用：InGaN/GaN超晶格实现高效光解水，太阳能制氢效率突破3%: 第一作者：Yuyang Pan, Bingxing Zhang, Zhengwei Ye通讯作者：Bingxing Zhang, Zetian Mi通讯单位：美国密歇根大学摘要美国密歇根大学研究团队在《Nature Energy》发表最新研究成果，通过基于第三代半导体氮化铟镓/ ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:18

GaN 双向开关：器件技术、应用与未来展望: 编者按功率器件的持续创新始终是驱动电力电子技术演进的核心力量。近年来，单片集成的 GaN 双向功率器件（GaN Bidirectional Switch, GaN BDS）迅速崛起，凭借其天然具备的四象限开关能力，为交流电能转换带来了前所 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:30

2026款小鹏P7+携800V高压SiC平台海外发运: 2月2日，小鹏汽车正式宣布，全球首款AI汽车2026款小鹏P7+开启大规模海外发运，首批车辆从连云港启运，将送达全球18个国家和地区，标志着搭载国产混合碳化硅技术的800V高压平台正式迈向全球化市场验证阶段。图片来源 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:21

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）发布GaN关键技术系列突破: 在人工智能浪潮席卷全球、绿色能源转型加速推进的今天，能源与算力的效率已成为决定未来产业的关键。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，凭借其高频率、高功率、高效率及耐高温高压的物理特性，是提升能源转换效 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:20

SiC成功切入高压直流输电市场，三大项目先行验证: 近日，国内有3个800V/750V高压直流（HVDC）项目建成，据了解，这些项目的固态变压器或者DC-DC电源模块都采用了SiC技术：秦淮数据：全球首个SST算力中心建成投入应用，采用台达SiC设备。广州地铁22号线：轨道交通车站 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:17

【行业人才招聘】山东大学：2026年度海外优青项目申报启动: 一、项目定位优秀青年科学基金项目（海外）旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者（含非华裔外籍人才）回国（来华）工作，自主选择研究方向开展创新性研究，促进青年科学技术人 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 10:04

早稻田大学团队：金刚石MOSFET新进展: 金刚石作为一种宽禁带半导体材料，具有极高的击穿场强、热导率和载流子迁移率潜力，被认为是下一代高功率、高频电子器件的理想材料。金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其卓越的电气性能而被认为是高功 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:44

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