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金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）: 摘要：随着半导体电子器件的集成化与小型化发展，金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求，需对金刚石表面进行抛光处理。然而，金刚石高硬 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-24 09:20

垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨: GaN垂直器件作为下一代电力电子器件的绝佳解决方案，其可靠性作为关键核心一直是业内比较关注的问题。现从优化漂移区、电荷捕获等进行探讨。优化漂移区提高性能及可靠性垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-24 09:18

联盟活动 | 宽禁带半导体大讲堂——金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-24 09:00

SiC营收目标超10亿！2家SiC模块厂商打入车企供应链: 在新能源汽车电动化浪潮中，碳化硅功率模块赛道迎来爆发式增长，近日，扬杰科技与悉智科技两大国产功率半导体厂商接连披露重磅进展：▲扬杰科技：碳化硅MOSFET已打入小米、比亚迪供应链，计划今年完成全国产主驱碳化 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-21 09:38

一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况: 本文对2024年底的在售GaN HEMT器件的各类指标进行分析，同时结合过去几年对GaN HEMT产品的指标进行对比，跟踪近年来的GaN HEMT的技术指标进展、价格变化及主要企业的产品情况。在售GaN 功率晶体管的整体情况GaN功率 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-21 09:34

华润微旗下公司发力，氮化镓外延片项目将投产: 海创集团官微消息，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-21 09:30

德国IKZ周大顺研究团队---基于MOVPE生长技术的β-Ga₂O₃薄膜原位反射率分 ...: 近期，由德国莱布尼茨晶体生长研究所的研究团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 In-situ reflectance analysis of Si-doped β-Ga2O3 films grown by MOVPE: The influence of doping concentra ...; 分类: 新闻通知 2025-3-21 09:29

最新，安森美/比亚迪在碳化硅功率取得进展！: 近日，安森美和比亚迪相继推出了碳化硅技术/新品，引起市场诸多关注。01.安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:24

西电郝跃、张进成团队---优化β-Ga₂O₃薄膜晶体质量的新方法: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为 Improved crystal quality of β-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates by induced-nucleation technique and enhancement o ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:23

行业资讯 | GaN 功率器件如何改进架构并推广应用？: 特别导读GaN与其他材料的集成应用创新 GaN 器件架构的突破GaN 市场，迅速拓围随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:20

宽禁带大讲堂——金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:10

中国科学技术大学龙世兵教授团队---低温退火改善β-Ga₂O₃二极管界面质量 ...: 由中国科学技术大学的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为 Improvement of interface quality through low-temperature annealing in β-Ga2O3 diode with compounded mesa and junction termi ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:28

SiC MOSFET 与 Si MOSFET 在开关电源中功率损耗的对比分析: 文章来源：辽宁工业大学学报(自然科学版)作者：曹洪奎，陈之勃，孟丽囡（辽宁工业大学电子与信息工程学院，辽宁锦州 121001）摘要：碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件，具有导通电阻低、开关速度极快 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:12

日本SiC模块新技术：MOS开关速度提升10倍: 我们都知道碳化硅功率半导体有很多的优势，而且已经在汽车、光储充等众多的市场大放异彩，但是，碳化硅潜力还未充分被挖掘和利用，例如受限于现有的驱动器设计，SiC功率器件的开关操作速度极其慢，这导致它固有的节 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:08

180万片，斯达半导重庆车规级功率模块项目封顶: 据西部重庆科学城最新消息，3月17日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地正式封顶，标志着国内首条年产能达180万片的车规级IGBT与碳化硅（SiC）模块产线进入投产倒计时。公开资料显示，这一项目由长安汽车旗下深蓝汽 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:04

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