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【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事
【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事
文章来源:江苏第三代半导体研究院*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
分类:    2026-1-23 10:05
GaN 技术取得重大里程碑!
GaN 技术取得重大里程碑!
德国亚琛工业大学(RWTH Aachen University )与 爱思强(AIXTRON SE)成功在200 mm 蓝宝石衬底上展示了N 极性(N-polar)III-氮化物 HFET(高电子迁移率晶体管),标志着高频 GaN 器件在可扩展、低成本制造道路上迈 ...
分类:    2026-1-23 10:03
SiC渗透率稳步提升,产业将迈向融合普及
SiC渗透率稳步提升,产业将迈向融合普及
回顾2025年,碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果,同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年,行业正站在新的发展节点,既迎来技术突破与场景扩容的新机遇,也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当 ...
分类:    2026-1-23 09:58
慕德微纳亮相 2026 SPIE Photonics West,全矩阵AR光波导引全球瞩目
慕德微纳亮相 2026 SPIE Photonics West,全矩阵AR光波导引全球瞩目
前言当地时间2026年1月,全球光电领域顶级盛会SPIE Photonics West在美国旧金山盛大启幕。慕德微纳(杭州)科技有限公司携全系列AR光波导核心技术与量产成果重磅亮相,以硬核技术实力与前瞻性量产布局,吸引了全球光 ...
分类:    2026-1-23 09:57
西电-中科院团队新成果:航天级封装单晶金刚石辐射探测器
西电-中科院团队新成果:航天级封装单晶金刚石辐射探测器
随着深空探测任务的快速发展,人类探测范围正从近地轨道扩展至月球、火星、木星及太阳附近等极端空间环境。这些区域辐射强度高、温度剧烈波动(温差可超120℃),对粒子探测器的辐射硬度、高温稳定性和长期可靠性提 ...
分类:    2026-1-23 09:52
MPCVD金刚石:高品质与高速率能否同行?
MPCVD金刚石:高品质与高速率能否同行?
微波等离子体化学气相沉积技术( MPCVD)被认为是制备大尺寸高品质单晶金刚石的理想手段之一。然而其较低的生长速率以及较高的缺陷密度是阻碍 MPCVD单晶金刚石应用的主要因素。沉积的金刚石样品01高速率生长MPCVD单晶 ...
分类:    2026-1-22 09:43
肖特基与欧姆接触栅极GaN HEMT,在长期硬开关应力下的性能表现
肖特基与欧姆接触栅极GaN HEMT,在长期硬开关应力下的性能表现
在追求高功率密度的电力电子领域,氮化镓(GaN)HEMT正面临从“好用”到“耐用”的关键跨越。本文基于最新的DHTOL(动态高温工作寿命)测试研究,深入对比了肖特基栅极与欧姆接触栅极两种主流p-GaN器件。通过创新的 ...
分类:    2026-1-22 09:39
宽禁带联盟2026年度第一次团标评审会顺利召开
宽禁带联盟2026年度第一次团标评审会顺利召开
2026年1月21日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2026年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《β相氧化镓单晶位错密度的测 ...
分类:    2026-1-22 09:31
2025年碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)领域市场变化及国产替代进展
2025年碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)领域市场变化及国产替代进展
2025年,碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的领域变化挺大的。汽车电动化和人工智能基础设施建设加速推进,电源管理从幕后走向前台,成为系统性能、效率和可靠性的核心变量。碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)这两种宽禁带半 ...
分类:    2026-1-21 15:53
VisIC公司CEO:特斯拉/现代GaN汽车即将发布
VisIC公司CEO:特斯拉/现代GaN汽车即将发布
近日,VisIC公司在北京举行新闻发布会,其首席执行官(CEO)Tamara Baksht博士接受了媒体采访,谈到了他们的车规级GaN技术的商用化进展,其中提到:GaN产品已通过头部车企的长期验证,现代汽车的GaN车型将于2029年量 ...
分类:    2026-1-21 15:52
东北师范大学宽带隙半导体外延团队:通过MOCVD法生长的适用于深紫外光电子学应用的高 ...
东北师范大学宽带隙半导体外延团队:通过MOCVD法生长的适用于深紫外光电子学应用的高 ...
由东北师范大学的MOCVD外延研究团队在学术期刊 Applied Physics Reviews 发布了一篇名为MOCVD-grown α-Ga2O3 with increased growth rate and improved crystal quality for deep UV optoelectronics application( ...
分类:    2026-1-21 15:43
格力车用SiC芯片将量产,董明珠称未来供广汽半数芯片
格力车用SiC芯片将量产,董明珠称未来供广汽半数芯片
1月20日电,格力电器总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹在大湾区化合物半导体生态应用大会上透露,格力电器碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后,今年光伏储能用、物流车用碳化硅芯片也将量产。格 ...
分类:    2026-1-21 14:45
【行业人才招聘】深圳平湖实验室博士后招聘
【行业人才招聘】深圳平湖实验室博士后招聘
【平台介绍】深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心(深圳)主体运营单位,围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域,开展核心技术攻关。实验室已建成 ...
分类:    2026-1-20 09:41
综述丨金刚石核电池研究进展
综述丨金刚石核电池研究进展
文章亮点中科院半导体研究所金鹏团队全面回顾了基于金刚石核电池的研究进展,系统分析了α、β、γ三类辐射伏特电池的理论与实验成果。文章总结了不同器件结构(肖特基结与p–n结)的能量转换机制与效率优化策略,并 ...
分类:    2026-1-20 09:35
清华大学·物理气相传输法生长大直径碳化硅单晶多型夹杂缺陷控制研究
清华大学·物理气相传输法生长大直径碳化硅单晶多型夹杂缺陷控制研究
碳化硅(SiC)是第三代半导体的关键材料,其中4H-SiC在功率器件中占据主导地位。然而,在物理气相传输(PVT)法生长大直径4H-SiC单晶时,晶体中极易形成6H-SiC等多型夹杂缺陷。这类缺陷会破坏晶体完整性,严重影响材 ...
分类:    2026-1-19 10:15

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