中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

GaN，加速进入工业市场: 随着电力在更多应用中取代化石燃料，系统设计人员需要能够同时处理更高源极电压以及更苛刻的短路和过压尖峰的开关和功率变换器。宽禁带半导体，例如氮化镓（GaN），对器件设计人员特别有吸引力，因为它们更高的击穿 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:26

800V HVDC加速落地：MPS押注AI数据中心下一代供电架构: 从SiC/GaN到高压PMIC，HVDC正在重构服务器电源产业链生成式AI爆发之后，数据中心行业正经历一场远超以往的算力扩张。从大模型训练到推理部署，GPU集群规模快速增长，单机柜功率也从过去的10kW、20kW，迅速迈向50kW甚 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:21

清华天津高端院：携手星元晶算，攻关氮化镓赋能人形机器人关节: 近日，星元晶算科技（深圳）有限公司与清华大学天津高端装备研究院正式完成签约，双方围绕面向人形机器人关节模组的氮化镓器件原子级制造工艺开展联合研发，标志着双方在氮化镓芯片+人形机器人关节+原子级制造前沿领 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 09:42

宽禁带科技论|高功率密度中高频变压器绝缘与散热研究进展与展望: 近日，西安交通大学王威望团队与南方电网科学研究院以《高功率密度中高频变压器绝缘与散热研究进展与展望》为题在《高电压技术》上发表综述论文。本文综述了高功率密度中高频变压器的绝缘与散热研究进展，论述了绝 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 09:31

罗姆、东芝等齐发新品：宽禁带半导体五月底迎来“AI供电”小高潮: 5月底，宽禁带半导体领域迎来了一波产品热潮，罗姆、Microchip、东芝、联动科技等公司相继公布了关于SiC和GaN的新产品，涵盖范围广泛——从功率半导体、功率模块到可靠性测试设备，这些新产品面向AI数据中心、固态变 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:22

氧化镓全景解读 | 氧化镓距离“超级功率器件”还有多远？: 导读：在前面几期，我们从氧化镓的材料价值、晶体结构和关键物理参数出发，逐步认识了这一超宽禁带半导体的独特优势。氧化镓性能解码：优势何来，边界何在？氧化镓全景解读| 一材多相：读懂氧化镓的五种晶体结构可以 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:21

800V高压时代，SiC MOSFET如何赋能新能源汽车OBC、DC-DC？: 1 市场浪潮：800V高压系统驱动SiC规模化爆发新能源汽车电池电压正在从400V向800V高压平台转换，甚至向更高电压1000V升级，已成为不可逆转的主流技术趋势，它正成为推动行业向更高性能、更高效率迈进的关键引擎。根据 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 14:00

中金研究 | SST重塑未来AIDC供电架构: SST有望成为下一代AIDC供电的优选方案伴随AI算力中心建设景气上行，叠加英伟达800V HVDC架构与绿电直连需求共振，固态变压器（SST）凭借效率高、体积小、灵活性高、预制化设计等优点，有望成为未来数据中心供电架构 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-3 13:58

免费报名！ SiC如何定义下一代固态变压器（SST）？: 活动背景在AI算力需求激增与能源结构转型的双重驱动下，数据中心与新型电力系统正经历一场深刻的“供能革命”。固态变压器（SST）作为这场革命的核心装备，以其高频、高效、可控的颠覆性特性，正从理论走向产业，成 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-2 13:15

碳化硅技术助力破解电力损耗，加速AI数据中心电源架构进化: 自从ChatGPT横空出世，人类社会发生了十分显著的变化，现在Deepseek、豆包、ChatGPT、Gemini等国内外人工智能大模型已经或多或少成为生活的一部分，很多人开始用Vibe Coding进行编程工作，OpenClaw掀起全民“养虾” ...; 分类: 新闻通知 2026-6-2 13:12

英飞凌携手麦田能源，SMD全碳化硅方案率先落地户用光储: 5月30日，英飞凌科技与麦田能源正式宣布深化双方合作关系。麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD（表面贴装）全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能（Enabled by Infineon）”标识授 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-2 12:01

高压直流时代，SiC与GaN凭什么突破算力上限？: 碳化硅、氮化镓技术在全球各类基础设施中的应用占比持续提升。数据中心电力基础设施正迎来根本性变革，服务器机柜功率等级从千瓦级快速攀升至接近兆瓦级。行业逐步转向高压直流架构，以此提升供电效率与可靠性、减少 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-28 10:37

氧化镓性能解码：优势何来，边界何在？: 导读：氧化镓：它既是备受关注的超宽禁带半导体材料，也具有丰富晶型与独特结构特征。在电力电子与光电器件领域，材料性能边界很大程度上由禁带宽度、临界击穿场强、电子迁移率和热导率等基础参数决定。随着高耐压、 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-28 10:31

在氧化镓中实现近100%电压转化效率的声子辅助吸收光电导开关: 近日，国际光学旗舰期刊《Opto-Electronic Science》以封面论文形式，在线发表了一项关于氧化镓光电导开关（PCSS）的重磅研究成果，论文题为《Phonon-assisted absorption photoconductive switch》（声子辅助吸收的 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-28 10:21

GaN与SiC作用前景凸显：高压直流供电架构落地路径渐明: 近日，2026世界AI服务器电源大会在深圳举办。大会现场，800V HVDC电架构成为全场核心技术焦点。随着AI算力呈指数级增长，服务器电源正面临效率、功率密度与可靠性的极限挑战，需要补位直流安全技术、标准以及协同产 ...; 分类: 新闻通知 2026-5-28 10:18

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 292 / 292 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部