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SiC MOSFET 解说：— 看懂结构图中的P base中的 P⁺，炸管元凶之一: 今天这篇聊聊 P-base（P 基区）旁边的 P⁺ 是什么作用。前两篇为了方便看图，没有画出这个 P⁺。P⁺ 的位置如下图所示，右边是英飞凌 MOSFET 芯片结构。每家芯片都有这个设计，只是具体形状和位置有 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:16

GaN征服AI数据中心：KnowMade报告勾勒战略扩张路径: 6月15日，法国知识产权咨询公司KnowMade发布了GaN研发月度监测报告，报告显示，到2026年4月，全球GaN领域将发表超过327篇新科学出版物和362项新专利，学术界与产业界的竞争加剧，占比最大的是电子应用领域，有162篇 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:09

韩国投 5000 亿韩元攻关 SiC/GaN，日本设备销售额首破 5.5 万亿日元: 6月14-15日，韩国与日本几乎同时释放宽禁带半导体领域的政策信号。韩国启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约22.3亿元人民币）攻关下一代功率半导体；日本半导体制造设备协会预测，日本产设备销售额本财 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:06

Wolfspeed 发布第五代 SiC MOSFET 技术，助力汽车与工业应用效率跃升: 2026 年 6 月 9 日，Wolfspeed 宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅 MOSFET 技术，在比导通电阻方面实现重大突破。相较目前市面同类 1200V 竞品方案，效率最高可提升 27%。该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅功率器件、赋 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 09:28

晶镓半导体受让山大AlN技术，成为全球唯一同时拥有GaN与AlN自主知识产权的衬底厂商: 近日，山东晶镓半导体有限公司成功受让山东大学 “高质量氮化铝单晶衬底制备技术”，标志着国产超宽禁带半导体核心材料产业化取得重要突破。项目流程规范、技术产权明晰，具备全面产业化落地条件，此次技术落地，成 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 09:25

宽禁带半导体大讲堂—SiC如何定义下一代固态变压器？成功举办！: 6月11日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第七期——SiC如何定义下一代固态变压器（SST）？”在机械工业出版社融媒体 ...; 分类: 联盟动态 2026-6-17 09:23

6家SiC企业披露新订单，覆盖SST、地铁等: 近期，国内外多家SiC产业链企业接连斩获订单，不仅加速导入固态变压器、轨道交通等核心应用场景，同时还推动SiC产线产能持续爬坡放量：华润微电子：在SST架构下，SiC产品已取得销售突破并获得多家客户备货订单；株洲 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:37

上海微系统所发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题: 第38届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD，IEEE The 38th International Symposium on Power SemiconductorDevices and ICs）于5月24-28日召开，该会议是全球电力电子领域最具影响力的国际学术会议，被 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:27

线性度提升1000倍！新技术打破硅基氮化镓射频瓶颈: 这项技术或将彻底改写氮化镓在射频领域的成本格局。一项新技术攻克了制约硅基氮化镓半导体在主流射频领域落地的核心性能瓶颈。半导体材料企业Atomera总裁兼首席执行官Scott Bibaud表示，该技术依托低成本硅衬底实现 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:24

GaN嵌入式金刚石中介层：MIT异构集成放大器性能创纪录: 6月8日，MIT News发布研究报道称，麻省理工学院及合作机构的研究团队将氮化镓晶体管嵌入到单晶金刚石超薄中介层中，成功解决了高功率芯片过热以及传统工艺产生寄生电容的难题。研究团队运用该技术研制出一款功率放大 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-9 09:21

AI 数据中心向 800V 直流供电转型，SiC 与 GaN 元器件供应趋紧: 英伟达（NVIDIA）下一代 AI 数据中心将转向800 伏直流（800 VDC）供电架构。这一变化正在拉动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）元器件的需求，整个电源基础设施向更高功率密度演进。据业内人士透露，该架构是为了支持本 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:22

英飞凌发布205°C高温1300V SiC功率模块，逆变器输出电流提升15%: 2026年5月29日，英飞凌推出了一款新的1300V碳化硅功率模块，属于HybridPACK™ Drive系列，可在高达205°C的温度下连续运行。型号为FS01M9R13A7MA2B，是英飞凌HybridPACK Drive SiC模块中首款能跑在205°C的器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:21

全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗: 6月4日据中国电科获悉，中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片产品，近日已交付超五百万颗。这是全球率先实现硅基氮化镓射频芯片在智能终端规模化商用，将为空天地一体化信息网络的全域覆 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-8 09:20

GaN，加速进入工业市场: 随着电力在更多应用中取代化石燃料，系统设计人员需要能够同时处理更高源极电压以及更苛刻的短路和过压尖峰的开关和功率变换器。宽禁带半导体，例如氮化镓（GaN），对器件设计人员特别有吸引力，因为它们更高的击穿 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:26

800V HVDC加速落地：MPS押注AI数据中心下一代供电架构: 从SiC/GaN到高压PMIC，HVDC正在重构服务器电源产业链生成式AI爆发之后，数据中心行业正经历一场远超以往的算力扩张。从大模型训练到推理部署，GPU集群规模快速增长，单机柜功率也从过去的10kW、20kW，迅速迈向50kW甚 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-4 10:21

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