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【行业人才招聘】杭州光机所博士后工作站待遇优厚，欢迎加盟！: 杭州光学精密机械研究所（以下简称杭州光机所）诚邀博士后进站工作，具体情况如下：#1 博士后工作站进站要求（一）基本条件已取得博士学位，品学兼优，身体健康，年龄一般在35周岁以下，取得博士学位不超过3年，有能 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:59

荣耀发布360W氮化镓适配器，这家企业GaN技术助力高功率快充: 近日，荣耀正式推出WIN 360W氮化镓适配器，在功率体积密度和功率重量密度方面实现新的突破。该产品采用氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）双半导体材料方案，在紧凑机身内实现最高360W持续稳定输出，为高性能游戏本、移动 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:50

电子科技大学徐跃杭：超宽带、大功率、高线性度的氮化镓功放MMIC: 在多任务无线电系统和宽带电子战技术发展飞速的今天，“超宽带、大功率、高线性度”简直成了射频工程师心目中的“既要又要还要”。可是，输出功率、效率和线性度之间就像在玩跷跷板，很难同时达到理想状态。为了解决 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:32

AI数据中心的"电力心脏"之争，SiC如何切入固态变压器（SST）赛道: AI数据中心的功率密度，正在以"半年翻一倍"的速度奔跑。NVIDIA MGX参考设计中，单机柜功率从过去的3 kW飙升到60 kW+，集群规模轻松突破17.5 MW。传统"工频变压器+多级整流+UPS+PDU"的供电链路体积大、损耗高 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:29

英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书- 沟槽式SiC MOSFET的雪崩能力: 雪崩鲁棒性是SiC功率MOSFET的另一个可靠性话题，不能忽视。恶劣工况下的雪崩事件可能导致器件退化甚至彻底损坏。因此，摸清器件的极限、确保客户应用中的安全运行，至关重要。电路中的杂散电感（或称为寄生电感）是S ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:27

氧化镓全景解读| EFG：氧化镓衬底商业化的先行路径: 导读：在上期内容中，我们介绍了氧化镓几种主流熔体法生长技术的基本原理。其中，CZ法（提拉法）、EFG法（导模法）以及VB法（垂直布里奇曼法），均已成功用于大尺寸β-Ga2O3单晶衬底的制备。氧化镓全景解读 | 氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:21

SiC JFET和双向GaN推动固态断路器市场增长，2032年全球SSCB市场达81.7亿美元: 以SiC JFET、双向GaN为代表的宽禁带半导体正推动固态断路器市场快速增长。宽禁带半导体（WBG）的转向为固态断路器（SSCB）注入了一剂强心针。凭借更高的击穿电压和开关频率、更低的导通损耗以及更高的工作温度，SSCB ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:16

重磅亮剑！西电成功斩获4台固态变压器出海订单！南瑞继保发布2.5MW固态变压器整机！占 ...: 在电力行业沉寂多年的固态变压器（SST），2026年突然站到了产业风口中央。今年以来四方股份、智光电气、伊戈尔、伊顿、台达、新风光、为光能源等企业密集发布固态变压器(SST)新品。从2.4MW到4.2MW，从数据中心到移动 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:55

博泰车联联合福耀科大布局硅光与第四代半导体: 2026年6月17日，博泰车联（2889.HK）与新型研究型大学福建福耀科技大学（以下简称：福耀科大）正式签署合作协议。签约仪式现场，福耀集团董事长曹晖、博泰车联创始人、董事长应宜伦及福耀科大常务副校长张福利共同作 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:55

【氮化镓简报】4-5月深空宇航与AI计算双向突破，家电加速渗透: 2026年4-5月，氮化镓（GaN）领域在前沿探索、应用落地与产能扩充三线并行推进，多点突破。前沿探索：北大实现万伏级增强型器件；英特尔实现最薄GaN芯片与数字电路单片集成；斯坦福/宾州州立突破自热限制。应用落地： ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:53

关于征求《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》等两项团体标准意 ...: 各有关单位、各标委会代表：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，中国科学院电工研究所等相关单位共同起草的《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》团体标准，以及西安晟光硅研半导体 ...; 分类: 公告通知 2026-6-18 15:46

IAV & 安世半导体：双向GaN重构800V汽车架构: 最近，IAV和安世半导体在2026年PCIM欧洲展公布了一项新技术，有望通过双向氮化镓器件对新能源汽车的800V架构进行重构，并大幅减少转换电路和子部件。6月11日，IAV和安世半导体双方共同宣布，他们在已经合作开发了新 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:08

2026年：SiC和GaN功率器件如何重新定义AI数据中心与800V电动汽车: 2026年6月16日，电子元器件分销平台Utmel发表行业分析文章《SiC and GaN in 2026: How SiC and GaN Power Devices are Redefining AI Data Centers and 800V EVs》。文章综合了2026年关于SiC和GaN功率器件如何部署的 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:03

碳化硅，进入AI时代: 受各行业加速电气化和提高能源效率需求的推动，碳化硅（SiC）器件市场预计到2031年将保持强劲增长。预计到2031年，该市场规模将达到约110亿美元，这得益于约20%的强劲复合年增长率以及在汽车、工业和能源应用领域的 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:00

【碳化硅简报】4-5月AI数据中心与SST应用加速落地，车规量产稳步攀升: 2026年4-5月，碳化硅（SiC）领域，呈现从地方政策、前沿技术到产业应用的全面进展。技术攻坚：浙大科创中心突破300μm超厚外延薄膜；国创中心（苏州）激光切割效率提升20倍；上海电机学院验证12英寸生长兼容性。装备 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 09:18

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