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硅基SiC薄膜制备与应用研究进展: 杨晨光，王秀峰陕西科技大学材料科学与工程学院，西安 710021摘要:碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能，可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用，碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS） ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 10:17

硬核干货：如何完美解决GaN on SiC背面通孔蚀刻中的难题？: 一、隐秘的角落：高功率GaN器件背后的“硬骨头”在第三代半导体特别是射频（RF）和微波领域，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）的结合无疑是当下的“黄金搭档”，尤其是伴随着SiC衬底价格的下降，未来GaN on SiC极有可能 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:37

6英寸GaAs/SiC晶片直接键合技术，用于增强高功率器件热管理: 背景介绍GaAs 因超高电子迁移率（~8500 cm2/V・s）和直接带隙，广泛应用于 5G 通信、光电子器件，但热导率仅～55 W/m・K，且 3D 集成与器件微型化导致热流密度激增，严重影响器件性能与可靠性（温度每升 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:25

碳化硅器件表界面缺陷与可靠性: 来源：电力电子网*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:30

金刚石半导体，走到哪一步了？: 近日，有消息报道，美日两国决定联合计划在5500亿美元的投资框架下共同生产人造金刚石，这一消息立即引发了全球关注，尤其是在半导体供应链和地缘政治格局方面，意义深远。这项合作不仅是美国应对中国在技术和供应链 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:18

金刚石引爆“十五五”新材料焦点：散热、半导体、高端研磨: 导语当AI芯片算力突破每秒万亿次、5G基站密度持续增加、半导体制程向1nm逼近，“散热瓶颈”与“材料极限”正成为产业升级的关键挑战。兼具超高热导率（是铜的5倍）与超宽禁带特性的金刚石，正从传统研磨领域跃迁为“ ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:17

大湾区大学全球公开招聘！: 大湾区大学以高起点谋划、高标准建设，面向全球汇聚英才，致力于构建理工科、小而精、高水平的新型研究型大学发展生态。为进一步加强学科建设，提升教学科研与管理水平，助力学院高质量发展，现面向海内外公开招聘。 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:15

垂直GaN：电力电子高压化的终极答案？: 从手机百瓦快充到数据中心电源，氮化镓（GaN）凭借高频、高效的优势，已成功颠覆了中低压功率世界。然而，当应用场景转向电动汽车主驱、可再生能源电网等1200V以上的高压主战场时，传统横向结构的GaN器件却显得力不 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-30 09:12

西安电子集成电路学部诚邀全球英才依托申报2026年海外优青项目: 文章来源：西电集成电路学部*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:50

碳化硅（SiC）在不同电机上的应用差异: 碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体，其特性重塑了电机驱动系统的设计范式。物理特性优势：击穿场强（3.0 MV/cm）：允许器件厚度减少90%，实现更紧凑的功率模块设计。热导率（4.9 W/cm·K）：散热效率提升，冷却系 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:46

SiC MOSFET 技术全景：从七大架构到 2025 厂商新品盘点: 2025 年，SiC MOSFET 正在高压功率电子领域加速普及。从电动汽车牵引逆变器到数据中心电源，从可再生能源系统到工业变换器，这一宽禁带半导体器件凭借更高的效率、更高的功率密度，以及在极端工况下的可靠表现，正在 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:19

2025年SiC产业洞察：SiC光波导产业化提速: 近期，瑞声科技、歌尔光学、舜宇光学等多家企业相继推出视场角达50°及以上的碳化硅（SiC）光波导方案，这一态势标志着碳化硅光波导技术成熟度显著提升，产业化落地进程持续提速。据此，我们重点梳理了当前碳化硅光 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-29 09:14

九峰山实验室联合华中科技大学：安培法Ga₂O₃两步沟槽肖特基势垒二极管的 ...: 由JFS实验室联合华中科技大学的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为T ...; 分类: 新闻通知 2026-1-28 09:56

碳化硅(SiC)功率器件栅氧风险分析报告: 核心摘要碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料，正在电动汽车(EV)、可再生能源和工业应用领域引发一场深刻的革命。其卓越的高电压、高频率和高温性能，使得功率电子系统能够实现前所未有的效率和功率密度。然而， ...; 分类: 新闻通知 2026-1-28 09:48

GaN避坑指南：隐形的“动态导通电阻”究竟吞噬了多少效率？英飞凌实测揭秘: 引言：数据手册里没告诉你的秘密在当今追求极致功率密度和效率的电源设计中，高压氮GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）已经成为明星器件。无论是服务器电源、数据中心PSU，还是消费类的充电适配器，GaN都在大显身手。作 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-28 09:32

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