英诺赛科：抓牢时代机遇，作国内硅基氮化镓领域的独角兽

1月16日，2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称：英诺赛科）荣获2021中国IC风云榜“年度独角兽奖”。

作者｜Jimmy 校对｜零叁

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集微网消息，1月16日，2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称：英诺赛科）荣获2021中国IC风云榜“年度独角兽奖”。

英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式，集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体，成功打造硅基氮化镓全产业链平台。2017年11月率先建成8英寸硅基氮化镓量产线，产品涵盖30-900V功率半导体器件，IC及射频器件。

英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产，为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。

破局

英诺赛科CFO钟山在接受集微网采访时表示，2020年是氮化镓关注度迅速升温的一年。在小米10系列发布会上，氮化镓快充充电器的亮相迅速吸引市场的注意，往后国内对于氮化镓的关注度猛增，甚至包括中国的A股市场也出现所谓的氮化镓概念股等。

这在一定程度上也解惑了此前投资机构做调研时的疑虑，即氮化镓何时才会爆发？

钟山指出，氮化镓进入快充等消费市场是迈好了第一步，但绝不是氮化镓唯一有意义的应用场景，低压的应用前景将更为广阔，诸如数据中心服务器、人工智能服务器的DC-DC相关器件已在逐步量产，业内普遍感知，无论是在消费端还是在工业端，氮化镓都已打开了局面。此外，有很多从业人员也将目光聚焦在了氮化镓这一领域，特别是一些下游厂商都在积极招兵买马，收编对氮化镓器件有一定经验和了解的工程师，帮助公司提供相应的解决方案。而相应的，氮化镓领域的从业人员也比以往多很多。

据了解，英诺赛科与浪潮、小米、OPPO、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS 等国内外厂商开展深入合作，功率芯片和射频芯片的应用开发。

基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场，英诺赛科成为中国唯一一家提供氮化镓快充芯片的企业，打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面，公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品在2020年4季度出货已达数百万颗。

英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商，实现国产替代。

此外，英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可取代原有硅器件，大幅度提升系统效率，降低能耗及运营成本。

“疫情” “缺货”

2020年是属于氮化镓火热的一年，但对于半导体企业或是整个科技业而言，2020开年和末尾都给心头浇了三把急迫的“火”。

开年疫情的影响，全球物流运输停摆，人员因各国、各地的疫情防控措施的限制，返工困难，入境难上加难，对于英诺赛科这样拥有晶圆厂的IDM企业而言如临大敌。

钟山表示，2020年上半年对业界总体而言是比较糟糕的，国内外疫情的爆发有着“时差”。国内疫情严重时难以去国外验收贵重的设备，国外疫情严重时，海外专业人员无法入境，这种“时差”对装机等方面带来了不小的阻力。

在面对巨大困难时，英诺赛科也没有停滞原本的计划。

钟山表示，在股东和国家省、市各级领导政府的帮助下，通过几个月的申请，将规模较大的海外工程师团队申请入境，进行调试和安装，最终将既定目标达成。在此过程中，公司各职能部门都表现出极高专业素养，积极落实抗疫管控政策，让公司的运营有条不紊的继续下去。

另一方面，团队在战略布局上非常坚定，对氮化镓产业发展充满了信心，因而在疫情稳定后，加快苏州工厂的建设，把原来一季度损失的建设时间抢回来，为公司未来发展奠定了坚实的基础。

对于缺货问题，钟山指出，英诺赛科一直在按照既定战略发展，对于缺货问题也会持续关注，今年一季度开始会继续加快发展步伐，尽最大的可能预测市场和行业的发展，然后提早做好产能规划、设备的部署等。

国产化热潮下的2021

从美国将魔抓伸向中国科技业开始，“国产化”的花朵便开满了半导体业的这片山头，无论是国家还是投资机构都成为了辛勤的园丁。

钟山表示，国内整体的行业环境近两年确实比从前要好很多，对于半导体业而言这是一个很好的机遇。

作为一个IDM企业，面对国产化替代的时代机遇，钟山认为有三点需要抓紧。

第一，自身的产品研发和量产是企业根本。过去国产产品连送样的机会都不多，而现在许多客户愿意去尝试，在这种情况下需保证自己的产品质量和创新能力，打铁还需自身硬。

第二，加快合作。通过与上下游厂商的合作，进一步优化产品设计、制造工艺，完善生态链建设

第三，加快公司发展。利用良好的市场环境，加快融资步伐，获得快速发展，夯实基础。

钟山强调，国产替代不能简单的去做低端产品的复制，要瞄准国外的竞争对手，在现有产品或是更新的领域上做突破，做自主创新。而在硅基氮化镓这个细分领域我们完全有能力和机会引领行业发展。

展望2021年，钟山表示，英诺赛科将继续扩大已有量产产品在各个领域的出货量，进一步拥抱市场，获得市场认可。产品方面，高压硅基氮化镓芯片系列以快充为主，低压芯片系列将有重磅产品会发布。

无论从技术的发展趋势、市场应用还是国家政策导向层面，第三代半导体氮化镓具有十分广阔的市场前景。且中国作为全球最大的半导体消费市场，在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下，国内第三代半导体产业正在进击前行。随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升，并实现国产替代。

英诺赛科将一如既往坚持创新研发，除了消费电子产品以外，还将加快开发适用于5G通信、数据中心等新型基础设施的芯片和解决方案，为“新基建”注入新动能，以创新驱动发展助力中国“芯”突破，在庞大的半导体产业中实现对进口技术和产品的替代，让中国成为第三代半导体硅基氮化镓制造的世界第一。