GaN和SiC时代即将到来

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预计到2029年，化合物功率半导体市场将增长五倍以上。对于5G设备，电动汽车和工业设施（包括太阳能设施）中的SiC和GaN等化合物半导体的使用需求正在急剧增加。

从2021年开始，化合物功率半导体市场将迅速增长。

包括SiC（4H-SIC）和GaN在内的下一代化合物功率半导体市场的增长现在已经开始。市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场将以29％的复合年增长率增长，达到20亿美元。相关的受益方应该包括美国的Cree，意法半导体和Veeco，以及韩国的RFHIC。

晶圆生产技术对于GaN和SiC半导体的生产至关重要。

我们注意到，化合物半导体已开始用于5G设备，工业设施，电动汽车和太阳能等行业。近来，GaN晶体管已被大量用于智能电话和笔记本电脑的充电适配器。此外，现代汽车集团在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半导体。

在化合物半导体的生产中，晶圆生产技术很重要。通过使用有机金属CVD（MOCVD）设备在衬底上生长GaN外延层来制造GaN半导体。SiC外延片是通过在多层晶圆上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成的。SiC晶圆由Cree，Infineon和Rohm等许多公司生产。在韩国，收购了杜邦（Dupont）SiC晶圆部门的SK Siltron正在对该行业进行投资。SiC晶圆现在供不应求。

Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍，并为其GaN业务投资10亿美元。ST Micro的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元，目标是到2025年达到10亿美元。