当前，5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用正助推着第三代半导体产业的蓬勃发展，随着当前国家“新基建”政策的提出，更是对我国第三代半导体产业发展提供了宝贵机遇。以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料因其具有高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，能够满足当前节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，已成为全球半导体技术研究前沿和新的竞争焦点。

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

关于举办“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班的通知

天合秘〔2020〕3号

各有关单位：

产业的发展需要人才的支撑，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟围绕第三代半导体产业对人才的需求，立足我国经济社会发展实际的要求，将组织开展“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班，提升技术人员的全产业链思维，使其了解产业最新动态，深入了解行业共性关键技术，为我国第三代半导体企业培养一批理论基础扎实，具备良好操作技能、具有国际视野的高级工程师骨干。

培训班详细情况如下：

主办单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

培训时间

2020年11月5日-8日

培训地点

中国科学院物理研究所

培训内容

围绕第三代半导体材料、器件、检测分析、实际应用开展的系列培训课程。

参训人员

第三代半导体企业技术员工（研发、工艺、检测及质管等人员）、高校及科研院所研究人员或有志于从事第三代半导体行业的优秀青年。

培训讲师

（一）孙国胜老师

中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，广东省“珠江人才”引进创新团队核心成员，现任东莞市天域半导体科技有限公司技术总监。主要从事第三代宽禁带SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、外延设备研发、特性表征、以及SiC功率半导体器件和MEMS器件研制工作。在碳化硅外延生长技术方面具有丰富的教学经验和实际操作经验。先后参加和主持国家“863”、国家重大基础研究计划项目（973项目）、国家自然科学基金委、中国科学院重点和北京市科委等项目多项。曾获得中国科学院科学技术成果奖（非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题研究）、陕西省教育委员会科学技术进步奖（非晶碳化硅的电致发光特性及大面积发光二极管）和中国科学院留学回国择优支持，在国内外主要学术刊物上发表研究论文六十余篇，获得国家专利四十余项。

（二）杨霏老师

全球能源互联网研究院有限公司教授级高级工程师，中关村高端领军人才。专注于碳化硅外延材料及高压电力电子器件研究，作为项目负责人承担系列国家863项目、国家重点研发计划项目、北京市科委项目及国家电网公司科技项目，研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二极管及3300V/600A混合模块，研制了1200V/20A碳化硅MOSFET，目前主要研究6.5kV及更高电压的碳化硅器件。主导制定团体标准2项，主持建立了全工艺的10kV高压碳化硅器件中试线，授权发明专利16项，译著2部。

（三）彭同华老师

博士，研究员，2009年6月毕业于中国科学院物理研究所，现任北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理。长期从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶体生长、加工、物性研究和产业化方面工作。截至目前，共申请发明专利32项，已获授权发明专利24项（其中国际专利5项），发表学术论文20余篇。曾荣获2014年入选科技部“重点领域创新研究团队”，北京市“科技新星”人才计划，北京海淀区“海英人才”，2015年获新疆建设生产兵团科技进步一等奖，2020年入选北京市大兴区“新国门”科技创新领军人才。先后主持科技部科技支撑计划、863计划、北京市科委等国家部委、北京市10余项科技攻关项目。在碳化硅单晶衬底制备技术方面具有丰富的“产业化实战”经验。

（四）许恒宇老师

中国科学院微电子研究所副研究员，中国科学院大学研究生导师。许恒宇副研究员长期致力于第三代宽禁带半导体碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）的产品开发、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件的核心技术开发以及器件可靠性及其应用解决方案研究。自2009年3月毕业于日本国立德岛大学电气电子工程专业；同年，加入新日本无线株式会社尖端技术开发部从事碳化硅功率器件的设计与制造以来，一直负责SiC SBD和SiC MOSFET关键核心技术的工艺开发。2013年3月加入中国科学院微电子研究所，主要负责SiC SBD和SiC MOSFET器件设计开发，特性及其可靠性和应用研究。多次承担国家科技部02重大专项碳化硅产业化项目课题、国家重点研发计划碳化硅MOSFET器件研究和北京市科委高压碳化硅功率器件国产化项目的器件关键工艺开发，完成国家电网公司650V、1200V、1700V碳化硅肖特基二极管器件和MOSFET器件的试样交付及其成套技术的转移转化，先后协助国内外相关知名通讯服务器企业系统的建立了SiC SBD和MOSFET的可靠性数据库并提供了碳化硅器件的应用模拟数据库。近年来，在国内外学术期刊上发表研究论文、申请专利数十篇。

（五）宁圃奇老师

中国科学院电工研究所研究员，分别于2004年、2006年从清华大学电机系获工学学士、硕士学位，2010年获美国弗吉尼亚理工大学电气与计算机工程系工学博士学位。2010－2013年工作于美国橡树岭国家实验室，任副研究员。2013年加入中国科学院电工研究所，任研究员。主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究、高效冷却等方面的工作，发表EI论文近百篇，包括17篇SCI论文，并申请专利9项，发表译著2部。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中科院重点研究等项目10项。2019年获得电源学会一等奖（第二完成人）。

（六）张瑾老师

中国科学院电工研究所高级工程师。2010年7月毕业于北京航空航天大学，材料加工专业，同年加入中国科学院电工研究所。2012年至2013年，负责筹建了中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心，该中心是我国首家获得国家CNAS和CMA二合一认证的大功率IGBT器件国家级第三方检测实验室。自2014年至今，张瑾博士一直负责电工所功率器件CNAS实验室的技术及质量体系管理工作，并长期从事IGBT模块测试方法、热模型与仿真、失效机理及可靠性研究。多次承担国家科技部02专项IGBT产业化项目课题、国家重点研发计划碳化硅器件可靠性测试方法研究以及北京市科委功率器件测试平台建设等课题的研究工作。近五年来，发表功率器件测试及可靠性相关论文20篇，申请专利20余项，牵头起草相关测试标准4项。

（七）闫方亮老师

北京聚睿众邦科技有限公司总经理。2016年6月毕业于中国科学院半导体研究所，主要从事半导体及新材料相关的检测加工工作，在材料测试分析、微电子器件工艺设计与制备、可靠性评估和项目管理方面具有丰富的经验。先后参加973主持课题、国家重点基金和青年基金项目等4项国家级重点科研项目，发表SCI文章4篇，申请并授权专利3件。主要授课方向：宽禁带半导体领域关于衬底、外延、器件及模块检测、加工及综合评测方法。曾组织多场“半导体检测技术培训论坛”，具有丰富的培训经验。

（八）陆敏老师

博士，研究员，2004年6月毕业于北京大学，凝聚态物理半导体光电子专业。从事化合物半导体领域工作及研究25年，策划并成功组织2届APCSCRM国际会议；SEMI中国化合物半导体标委会核心委员，国家半导体材料标委会委员，成功组建宽禁带半导体技术团体标准标委会，共发布实施12项团标。对宽禁带半导体材料的生长、器件制备技术及半导体技术标准化有丰富的经验。近年来承担或参与了多项国家发改委、工信部、科技部重点研究计划、863、973和国家自然科学基金等科技及产业化项目。在国内外学术期刊上共发表论文40余篇，申请国内发明专利13项，授权11项，起草并发布国际标准1项，国家标准1项，团体标准10项。

课程表

培训费用：3800元/人（培训费用包括听课费、考试费、培训证书费、培训日餐食费；差旅、住宿自理）联盟副理事长单位享受7.5折优惠（2850元），会员单位享受8折优惠（3040元）团体满3人以上报名享7.5折优惠：2850元/人（注：以上优惠不叠加。）

报名咨询：010-61256850-657