【成员风采】天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北京市大兴区顺利开 ...

天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北京市大兴区顺利开工

2020年8月17日上午，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京市大兴区黄村镇大兴新城东南工业区隆重举行。

中国科学院物理研究所党委书记文亚、北京市大兴区副区长杨蓓蓓、大兴区政协副主席，科学技术委员会主任苏荣、北京市经信局电子信息产业处处长王德、北京新材料和新能源科技发展中心副主任蔡永香、中关村科技园区大兴生物医药产业基地党工委书记，管委会主任田德祥、大兴区黄村镇党委书记莎红高、大兴区金融服务办公室主任王悦力、大兴区经济和信息化局局长高振华、大兴区应急管理局副局长丁开明、大兴区经济和信息化局副局长刘清华、大兴区黄村镇镇长唐胜明、大兴区黄村镇副镇长王亚彬以及大兴区发展和改革委员会、大兴区住房和城乡建设委员会、大兴区生态环境局、北京市规划和自然资源委员会大兴区分局、北京黄村企业管理有限公司的领导及嘉宾出席了本次奠基仪式。

北京天科合达半导体股份有限公司总经理 杨 建

北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建致欢迎辞，对关心支持项目的各级领导、各界朋友、协作单位表达衷心感谢，杨总表示，天科合达公司将不忘初心，牢记使命，积极进取，致力于打造全球第三代半导体碳化硅衬底材料龙头企业，为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供有力支撑。

中国科学院物理研究所党委书记 文 亚

中国科学院物理研究所党委书记文亚在致辞中指出，目前第三代半导体行业正处于蓬勃发展的阶段，近两年国家对第三代半导体产业高度重视，天科合达公司作为国内领先的碳化硅晶片生产企业和全球主要碳化硅晶片生产企业之一，此次基地建设项目在大兴区黄村镇顺利开工建设，对于促进我国碳化硅半导体产业延伸，引领第三代半导体产业发展具有重要的示范意义。

北京市经信局电子信息产业处处长 王 德

北京市经信局电子信息产业处处长王德表示，化合物半导体材料是集成电路的基石，在现今最火热的5G通讯、新能源汽车等市场中具有明确而可观的前景，第三代半导体产业生态延伸是国民经济重要的发展方向，经信局之后也将会在产业政策、项目资金等方面对第三代半导体产业大力支持，优化营商环境，同时祝愿天科合达越做越强，蓬勃发展。

北京新材料和新能源科技发展中心副主任 蔡永香

北京新材料和新能源科技发展中心副主任蔡永香向基地建设开工表示热烈祝贺，基地建设开工意味着天科合达将迈入一个新的里程碑，标志着北京市SiC衬底材料和器件的产业进程将进一步加速发展，北科委双新中心也将会整合更多的资源和力量，持续不断地推进北京市第三代半导体技术和产业的发展。

北京市大兴区黄村镇镇长 唐胜明

北京市大兴区黄村镇镇长唐胜明介绍了黄村镇营造良好营商环境的相关举措，希望为入驻企业做好服务，提供平台，实现互利共赢，并祝愿天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目建设顺利。

中国电子系统工程第四建设有限公司副总裁 樊小林

项目施工单位中国电子系统工程第四建设有限公司副总裁樊小林祝贺项目顺利开工，并表示参建单位会强化质量意识，安全意识，时间意识，在落实常态化疫情防控措施、保障质量和安全的前提下，抓好项目调度，按项目节点完工。

奠基仪式上，各级领导了解了基地建设项目规划及开工情况后，文亚书记、杨蓓蓓副区长、苏荣副主席、王德处长、田德祥书记、莎红高书记、王悦力主任、高振华主任、唐胜明镇长、蔡永香副主任、丁开明副局长、刘清华副局长、王亚彬副镇长、杨建总经理到奠基石处为开工项目培土，基地建设项目开工仪式圆满结束。

奠基仪式

第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化项目在大兴区黄村镇开工建设，标志着我国半导体碳化硅衬底产业化的进程又翻开了崭新的一页，必将对我国第三代半导体碳化硅产业的发展产生重大而深远的影响。

项目基地鸟瞰图