《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准正式发布

近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》（T/IAWBS 029-2026）。该标准自2026年7月27日发布，自2026年8月3日起实施。

β相氧化镓（β-Ga₂O₃）作为超宽禁带半导体材料的典型代表，在功率器件、深紫外探测等领域具有广阔应用前景。位错密度是衡量单晶质量的关键指标，准确表征对优化生长工艺、提升衬底品质至关重要。该标准规定了采用溶液腐蚀法结合显微计数测试β相氧化镓单晶位错密度的方法，适用于（100）、（010）、（001）晶面，涵盖导模法、垂直布里奇曼法、提拉法和铸造法等熔体法生长的单晶。标准明确了腐蚀剂配比、腐蚀温度与时间、腐蚀坑形貌判定等关键技术参数，建立了规范化、可操作的测试流程。该标准的发布，将为氧化镓单晶位错密度测试提供统一的技术依据，推动行业测试数据的可比性和材料品质的持续提升。

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标准工作联系人：陈老师

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中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟将持续推进团体标准体系建设，紧密围绕产业发展需求，推动科技创新与标准融合。截至目前，联盟已发布团体标准32项，在研标准12项，欢迎产业链各相关单位积极参与标准研制工作，共同推动宽禁带半导体产业高质量发展。

天合标-9-2026关于批准发布《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准的公告.pdf