为突破大尺寸碳化硅（SiC）晶圆在生长效率、均匀性控制及成本方面的关键瓶颈，山东力冠微电子装备有限公司近日正式发布其12英寸PVT电阻设备及8英寸多坩埚设备。为8-12英寸SiC晶圆的规模化、稳定化、低成本制备树立了新的行业标杆。

设备升级亮点聚焦

12英寸PVT电阻炉：直指规模化量产痛点

产能跃升：单炉次生长效率提升达40%，显著加速12英寸SiC晶圆的产业化落地步伐。

均匀性保障：集成先进多温区精准控制技术，有效确保晶格质量与厚度一致性，满足严苛的量产质量要求。

山东力冠12英寸PVT电阻炉

8英寸多坩埚方案：降本提效的关键引擎

效率倍增，成本锐减：

采用3-5个坩埚同步生长，单次产出能力成倍提升，大幅摊薄晶锭的制造成本。

智能精准控制：创新的硬件架构与自主研发的智能控制软件深度融合，实现高精度温度与真空压力动态调控。

突破热场均匀性：独家多坩埚协同温场技术，系统性解决传统超大尺寸设备长期存在的热场分布不均问题。

保障工艺稳定性：高度自动化控制系统最大限度减少人为干预，确保生产过程的高良率与批次一致性。

市场拓展与创新驱动

山东力冠微电子装备凭借其深厚的技术积淀和快速响应的市场策略，已与国内多家头部半导体企业建立起深度合作关系，并正积极拓展全球市场，国际影响力稳步提升。

展望未来，山东力冠微电子装备将持续聚焦大尺寸、高性价比PVT设备的研发与迭代，致力于通过核心设备的技术突破，提升全球SiC产业链的效率与韧性，促进供应链多元化发展，为半导体材料的革新与广泛应用持续提供关键动能。

来源：山东力冠微电子装备

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