在半导体产业追求自主可控与高质量发展的浪潮中，广州粤升半导体设备有限公司传来振奋人心的消息——公司自主研发的 8 英寸碳化硅（SiC）外延设备成功完成研发并顺利交付标杆客户。这一成果不仅是企业自身技术实力发展的重要里程碑，更标志着中国 SiC 产业在关键设备领域实现了自主可控，为行业高质量发展注入了强劲动力。

设备性能 ： 多项关键指标达国际先进水平

广州粤升自研的SiC外延设备所生长的8英寸SiC外延片在多项关键指标上表现亮眼，典型数据如下：

• 膜厚与掺杂浓度不均匀性：外延片膜层厚度不均匀性小于0.5%，掺杂浓度不均匀性小于1.2%。
• 表面粗糙度：多点AFM测试结果显示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm。
• 表面缺陷：外延片表面缺陷数量少，3mm×3mm管芯良率达到99%以上。

产业升级：赋能SiC产业高质量发展

当前，半导体设备的国产化和自主可控已成为国家战略的迫切需求。“一代材料，一代器件，一代装备”，设备作为产业链的核心环节，其技术突破对整个产业的升级具有决定性意义。广州粤升8英寸SiC外延设备的成功研发，精准解决了SiC产业链中关键环节的技术痛点，助力我国宽禁带半导体产业的高质量发展。

来源：粤升设备

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