近日，瞻芯电子、新微半导体、飞锃半导体通过融资扩产、工艺升级及车规级产品突破，进一步巩固其在第三代半导体赛道的竞争力，三家企业分别在碳化硅模块量产、氮化镓工艺平台商业化及主驱级芯片研发方面取得阶段性成果。

01.瞻芯电子推出1200VSiC半桥1B封装模块

据瞻芯电子官方消息，3月11日，瞻芯电子宣布其自主研发的1200V SiC半桥1B封装模块已实现量产交付。

source：瞻芯电子

该模块采用第三代碳化硅沟槽MOSFET技术，导通电阻低至18mΩ，支持150℃结温工作，适用于新能源汽车主驱、储能逆变器及工业电机控制等场景。目前，公司已与国内多家新能源车企及电力电子厂商达成战略合作，其SiC模块产品在车载OBC系统中的市场份额持续提升。此外，瞻芯电子计划于2025年下半年推出2000V高压SiC模块，布局光伏储能及轨道交通领域。
据悉，今年1月，瞻芯电子宣布完成C轮首批近十亿元融资，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资等跟投。本轮资金将重点用于6英寸SiC晶圆厂扩产、第三代沟槽栅型SiCMOSFET研发及驱动芯片迭代。

作为国内碳化硅产业链中游的代表企业之一，瞻芯电子2024年实现销售额同比翻番，累计交付SiCMOSFET超1600万颗，主驱模块已进入头部车企小批量交付阶段。此前，该公司表示，计划2025年完成C轮系列融资后启动科创板IPO申报，估值预期达60亿元。

02.新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台

据新微半导体消息，3月10日，新微半导体正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。

source：新微半导体

该平台基于增强型HEMT结构，实现了导通电阻3mΩ・cm2的行业领先水平，支持500V-800V宽电压应用，适用于快充电源、服务器电源及光伏微型逆变器等场景。目前，新微半导体已与多家消费电子品牌及电源厂商展开合作，其GaN器件产品在65W-240W快充市场的渗透率逐步提高。值得关注的是，公司计划在2025年第四季度推出基于该工艺的车规级GaN芯片，瞄准车载DC/DC转换器市场。
近期新微半导体斩获 “减小增益芯片腔面反射率的波导结构”“半导体器件及其制备方法” 等专利，通过优化栅极形貌与刻蚀工艺提升器件可靠性。此外，新微半导体依托8英寸研发中试线，持续推进车规级GaN芯片开发。

03.飞锃半导体今年将发布主驱级碳化硅芯片

近日，飞锃半导体产品市场副总裁李和明对外表示，在过去一年，飞锃半导体在技术和产品方面取得了一些成就，完善Gen3B平台产品阵容：一是推出750V产品，以向下覆盖650V产品，为客户提供更高应用余量，产品规格包括11mΩ、18mΩ、25mΩ、40mΩ、55mΩ等，主要应用于车载OBC、服务器电源、储能市场等领域。二是继续完善1200V产品，产品规格覆盖15mΩ、20mΩ、30mΩ、40mΩ、70mΩ、400mΩ等，并在新能源应用、工业电源等领域拥有较多成功导入案例。

source：飞锃半导体

在推进主驱芯片及高压产品开发，该公司已成功开发1200V、13mΩ规格的主驱级芯片，计划在2025年正式推出。此外，飞锃半导体在布局高压产品开发，包括1500V、1700V、2000V产品，2024年已完成大量研发工作，计划在2025年陆续推出。

在新能源汽车领域，该公司在车载OBC以及DC/DC领域在2024年持续批量交付，并与一些头部车厂及tier1达成合作。在主驱应用领域，飞锃半导体通过技术迭代，将在2025年发布主驱级碳化硅芯片，其性能达到业内领先水平。
据悉，飞锃半导体近期在半导体封装领域连获突破，今年2月，该公司公告的“半导体结构及其形成方法”专利可提升器件浪涌能力与正向电压表现，同期注册的“芯片封装结构及封装体”专利通过多焊点设计优化电流分布。

来源：集邦化合物半导体

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