镓仁半导体：全球首家8英寸氧化镓单晶开创者

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业，公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，已申请国际、国内发明专利五十余项，打破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。

镓仁半导体引领行业创新，于2025年3月5日，发布全球首颗8英寸氧化镓单晶，并开发了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化镓产品及设备。

核心产品

一、氧化镓专用VB法长晶设备

设备采用非铱（Ir）坩埚材料，可在空气气氛下工作。研发团队自主设计了独特的复合测温技术和控温算法，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。该设备实现了全自动化晶体生长流程，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。通过该设备制备的氧化镓晶体为柱状外形，通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，以适应不断发展的外延技术和器件需求。

二、铸造法8英寸氧化镓单晶

镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业纪录。

三、6英寸氧化镓衬底

镓仁半导体采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

四、VB法导电型4英寸氧化镓单晶

镓仁半导体基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂，且长晶结果可稳定重复，这充分说明了，镓仁半导体自研氧化镓专用晶体生长设备及其配套的晶体生长工艺，在VB法氧化镓单晶生长方面具有高适配性、高稳定性、高容错率的优势，为下游客户提供更加丰富的产品选择，助力行业发展。该VB法氧化镓长晶设备及工艺包已全面开放销售。

杭州镓仁半导体有限公司

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