杭州晶驰机电有限公司成立于2021年7月，公司总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心。公司于2022年评为杭州萧山区“5213”高层次人才项目，并于2024年取得“国家高新技术企业”、“浙江省科技型中小企业”、“规上工业”等荣誉。

公司致力于解决我国先进半导体设备技术卡脖子问题，提升国内先进材料制造能力，实现进口替代。公司专注于碳化硅、金刚石、氮化铝等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。公司主要产品有：六英寸和八英寸碳化硅外延设备（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、碳化硅及氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。公司在第三代、第四代半导体材料装备方面产品线丰富，具备提供整套材料制造解决方案的能力。

图1：平湖工厂

公司分别与浙江大学杭州国际科创中心、杭州电子科技大学共建联合实验室，拥有一支由中国科学院院士领衔的第三代、四代半导体材料知名专家、教授领衔的技术研发及顾问团队，具有国内一流的自主研发创新能力。公司拥有15项已授权及在申请专利，预计每年新增10余项技术专利。

公司致力于打造一流管理团队，规范经营，积极引进半导体行业知名产业资本与社会资本，接轨资本市场，力争在国内第三、四代半导体设备领域做强做大。未来，公司将以成为全球先进材料制造装备引领者为愿景，以解决国外对我国半导体设备技术卡脖子问题，提升中国先进材料制造能力，填补国内空白，实现国产替代进口为使命。

公司重点产品系列介绍

一、金刚石设备系列：

主要采用微波等离子化学气相沉积方法，可用于生产宝石（实验室培育金刚石）、光学元件及光学级多晶金刚石薄膜、超高硬度切割工具、半导体散热器、高功率半导体元件等。

（1）抛物面环形天线式微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）：设备采用微波等离子化学气相沉积方法、抛物面顶环形天线模式，并采用6KW、2.45GHz微波源自顶部馈入微波激发等离子体，生长高品质单晶金刚石和多晶晶圆，晶圆尺寸可达2英寸。设备优点在于微波谐振腔采用抛物面顶，等离子体更加稳定，提高金刚石品质。

（2）915MHz系列微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）：设备采用微波等离子化学气相沉积方法、双重可调节顶环形天线模式，并采用75KW、915MHz的微波源自腔体底部向上馈入微波，激发稳定的等离子体，可实现4英寸-6英寸高品质单晶金刚石、多晶晶圆薄膜的批量生长。该类设备具备高功率密度及独特的温度控制功能。

（3）碟形腔式微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）：设备采用微波等离子化学气相沉积方法、掀盖式腔体设计模式，并采用10KW、2.45GHz的微波源自下而上馈入微波，激发稳定的等离子体，实现高品质单晶金刚石、多晶晶圆的批量生长，晶圆薄膜尺寸可达3英寸。该设备的优点在于便于晶圆尺寸扩展，便于操作及清洁，从而提高晶圆尺寸，提高生产效率等。

图2：蝶形腔微波等离子体沉积系统

二、碳化硅系列设备：

长晶设备采用电阻式PVT方法生长碳化硅晶锭，可用于生长6英寸-12英寸的碳化硅晶锭。外延设备采用LPCVD方法生长碳化硅外延片，水平进气和垂直进气两种技术路线的碳化硅外延设备均可生产，水平进气设备和垂直进气设备皆可兼容4-6英寸碳化硅外延片生长。

（1）电阻式碳化硅长晶炉采用创新的结构和热场设计，结合最先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度，并能实现长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化；

（2）水平双腔碳化硅外延炉采用EFEM系统串联两套水平碳化硅外延炉，可实现碳化硅衬底的全自动取放片且同时进行掺N和掺P工艺无需进行炉间工艺转化，显著提高了碳化硅衬底同时掺N和掺P的效率和外延层质量；

（3）立式单腔碳化硅外延炉显著降低了立式碳化硅外延系统硬件成本和占地面积，保留了立式碳化硅外延反应腔维护周期长的优点，同时保留了垂直进气工艺生产的碳化硅外延层均匀性好、杂质颗粒少、炉间工艺稳定的优点，兼容6寸和8寸碳化硅衬底，操作方法简单，可实现快速投产；

（4）碳化硅腐蚀炉采用全封闭四工位设计，集SiC晶片热强碱腐蚀、快速清洗，再次超声清洗和晶片烘干为一体，整个工艺流程全部自动化控制，腐蚀效率高，适合产业化应用。

图3：ATSIC -200 型 PVT炉

杭州晶驰机电有限公司

联系人：

郭经理 13718015162

赵经理 13302035200

E-mail：xiaoshou@jcem.com.cn

公司网站：http://www.jingchi-em.com/

公司地址：浙江省杭州市萧山区建设三路浙大科创中心8213室