分析师：国内第三代半导体发展不容小觑

来源：富拉凯投资银行

首席经济学家张明杰

第一代半导体材料就是我们最为熟悉的矽或锗，又称元素半导体材料。第二代半导体材料以砷化镓（GaAS）等化合物材料为代表，可发光但有一定之波长限制，拜LED、行动通信及光通信风潮之赐，第二代半导体材料继之成为镁光灯下的新焦点。

随着5G、云端计算、工业4.0及新能源车等之日益蓬勃，人们对高效率电力电子产品之需求更是殷切。以碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料因具高温、高压、高功率、高频及抗幅射等特性，广泛应用于各式发光及电子电力元件。

SiC在光电领域方面可实现全彩显示，在家电、新能源车及太阳能等应用上则具节能与提高效率等效果；GaN除可协助改善汽车传感器之性能外，在快速充电、高亮度LED及5G无线基地台等领域之应用上亦具明显竞争优势。

市调机构Yole Developpment指出，由于采用SiC MOSFET模组的特斯拉Model 3产能增加，SiC市场成长快速，2023年全球市场规模约15亿美元左右，复合年增率29％。

GaN市场则受惠于Apple考虑将GaN技术作为智慧型手机之无线充电解决方案，2017～2023年GaN应用于电源市场之复合年增率将高达93％；另随5G之即将蓬勃，2023年射频GaN市场规模将倍增至13亿美元左右，复合年增率22.9％。

大陆发展第三代半导体产业缘自2013年科技部「863计划」将之列为战略发展产业，2016堪称是大陆的第三代半导体产业元年，除国务院国家新产业发展领导小组于当年将第三代半导体材料列为重点发展方向外，福建等27个地区近30条的相关政策也陆续推出。

同年6月25日，福建省政府、国家集成电路大基金及三安光电等共同揭牌成立安芯基金以建立第三代半导体产业聚落，基金目标规模500亿元人民币（下同），首期出资75.1亿元。2017年工信部、国家发改委公布的「信息产业发展指南」，更将第三代半导体材料列为积体电路产业发展重点。

2018年3月，深圳市政府大力支持的第三代半导体研究院正式启动，位于北京顺义7.1万平方公尺的第三代半导体材料创新基地，亦于同年12月底正式完工。

根据统计，2018下半年起大陆有超过8个第三代半导体项目落实，除北大、清华及中科院仿生技术研究所等14个单位联合成立氮化物半导体材料研究计划外，更有重庆捷舜科技的50亿GaN设厂计划、中科院的20亿SiC一体化项目等项目。

另外，三安光电在2018年底宣布完成商业版本的6吋SiC晶圆制程，耐威科技的8吋GaN-on-Si外延晶圆也预计于2019年第二季开始量产出货。

大陆的镓产量占全球70％以上，面向5G、新能源汽车及智能电网等电子电力产品之蓬勃发展，挟5G技术领先及全球新能源汽车最大产销重镇等优势，大陆积极摆脱第一代及第二代半导体跟跑窘境，换道超车领跑第三代半导体产业的企图心不容小觑。