全面回顾与总结

2024年，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“联盟”）在推动宽禁带半导体技术的创新与应用方面取得了稳步进展。作为行业的重要力量，联盟积极发挥平台作用，致力于推动技术创新和产业升级。本年度，联盟举办了各类技术交流活动，致力于构建一个更加高效、协同的创新生态。通过一系列的标准制定、行业论坛、展览展示等活动，联盟不仅促进了成员单位间的资源共享与合作，也推动了宽禁带半导体技术的产业化进程，为行业的高质量发展注入了新的活力。

1月10日

召开标准评审会

第六批团体标准送审稿评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级缺陷的测试瞬态电容法》、《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》三项标准进行研讨与评审。

1月12日

标准发布

团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》正式发布，本标准在T/IAWBS 005-2018《6英寸碳化硅单晶抛光片》标准的基础上，对6英寸碳化硅单晶抛光片几何参数、电阻率、微管密度等相关技术指标做了适当提高，另外增加了8英寸碳化硅单晶抛光片的指标要求，填补了我国在8英寸方面的空白，来满足不同用途的产品质量标准。

1月31日

宽禁带半导体大讲堂 第一讲

联盟成功举办宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？邀请到北方华创FEP事业部，晶体生长设备产品经理吴周礼、河南通用智能装备有限公司总工程师/副总经理巩铁建、北京特思迪半导体设备有限公司创始人和CEO刘泳沣、上海优睿谱半导体设备有限公司总经理唐德明，分别从长晶-切割-抛光-检测多个角度发表了精彩演讲，并与大家共同探讨在8英寸时代，设备厂商分别做出了哪些新突破？活动得到了多家单位大力支持，线上线下观看直播人数达1.8万人次。

2月1日

召开标准评审会

第七批团体标准草案评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《金刚石单晶表面应力分布测定 拉曼光谱法》、《金刚石单晶中石墨相含量的测定 拉曼光谱法》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《碳化硅单晶切割片》四项标准进行研讨与评审。

2月27日

标准发布

团体标准《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》正式发布。该标准介绍了碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法的测试原理、仪器设备、干扰因素、测量环境、样品制备、测试程度、精密度、测试报告等内容，适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。该方法为碳化硅外延材料的深能级缺陷提供准确的和标准化的检测机制，这对于碳化硅外延材料的研发、生产和应用过程中产品质量的统一控制有重要的意义。

3月15日

宽禁带半导体大讲堂 第二讲

联盟成功举办宽禁带半导体大讲堂——宽禁带半导体器件，2024年机会在哪？邀请到复旦大学研究员、清纯半导体首席科学家雷光寅，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇，北京智慧能源研究院功率半导体芯片设计室主任、高级工程师和峰，北方工业大学副教授杨兵与大家共同分享当前宽禁带半导体功率器件的技术前沿与发展前景。活动得到了多家单位大力支持，线上线下观看直播人数达2.8万人次。

【联盟动态】《宽禁带半导体大讲堂——宽禁带半导体器件，2024年机会在哪?》成功举办！

1月10日

SEMICON CHINA

联盟在SEMICON CHINA 2024半导体行业盛会中精彩亮相。展会上，联盟集中展示了联盟围绕宽禁带半导体领域取得的核心服务成果、业务范围、特色活动、会员权益以及即将开展的论坛活动等内容，得到了参展者的强烈兴趣和广泛关注。

3月28日

中关村“火花”活动

联盟举办了中关村“火花”活动之新一代半导体交流研讨沙龙在京举办。沙龙以“新一代半导体”为主题，邀请北方工业大学副教授张旭芳、北京科技大学新材料技术研究院院长秦明礼、中国科学院半导体研究所研究员张逸韵、德联资本高级投资经理康乾熙思维行业专家研讨半导体行业现状与发展趋势，共议复杂环境下的产业发展之道，本次沙龙重点围绕第四代半导体材料、器件、工艺、模组等领域展开分享，通过搭建产学研资各方交流合作平台，促进成果转化助力产业创新发展。

5月17日

标准发布

团体标准《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》正式发布。该标准介绍一种无接触、非破坏性的，可以测试碳化硅晶片边缘和切口的轮廓形状，并能测量出轮廓尺寸的方法，该方法操作简单便捷，可以直观的确定碳化硅晶片片边缘和切口是否合适，适用于各种尺寸、夹角和形状的碳化硅晶片边缘轮廓的检测。

5月21日

标委会新增

为了进一步提升团体标准对产业生态系统的整体支撑和引领作用，加强多层次标准化人才队伍建设。联盟面向社会新征集了7位宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会专家，这些专家来自不同的领域和背景，为联盟的标准化工作提供更加专业的技术支持和智力支持。

【联盟动态】关于宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员增补名单的公示

6月5日

硬科技路演

联盟举办了宽禁带半导体硬科技路演主题活动，活动由宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长侯喜锋主持，中国科学院院士，武汉大学教授刘胜，全程参与路演活动。此次活动邀请了安芯投资管理有限责任公司董事长王永刚做资本与科技主题分享，同时汇聚了来自全国各地共7家科研机构和企业的技术精英，分享了他们最新的技术成果和创新项目，共吸引了近200位行业内专家学者和企业代表积极参会。

宽禁带半导体硬科技路演主题活动成功举办！

6月6日

2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

2024年6月6日-7日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京盛大召开。会议以“凝芯聚力，降本增效”为主题，深度聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能装备、核心器件等产业链，涵盖晶体及外延生长、材料应用、集成封装、功率器件应用、系统解决方案等产业化内容，吸引了行业内的专家学者、企业代表、科研机构和政府部门的代表近500人、企业近200家参会。与会者围绕宽禁带半导体的前沿技术、产业趋势和创新应用等议题展开了深入研讨和交流，共同解锁我国宽禁带半导体产业链降本增效，高质量发展的实现路径。

成功举办 | 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满闭幕！

7月4日

召开标准评审会

第八批团体标准立项评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等6项团体标准立项申请进行研讨与评审。经标委会与会专家投票表决，本次5项团体标准通过评审并获准立项。

10月11日

荣获高质量团体标准称号

团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》标准凭借科学严谨的内容、广泛的应用前景以及对产业发展的重要推动作用，从近200项团体标准中脱颖而出，获评为2024年度高质量团体标准，这是其中唯一一项来自宽禁带半导体领域的标准。这一荣誉意味着该标准在行业内具有引领作用，有助于提升国内碳化硅单晶抛光片企业的竞争力，促进行业规范化和标准化，加速贸易和交流，推动相关产业健康、快速的发展。

10月25日

宽禁带半导体大讲堂 第三讲

联盟成功举办高级研修班暨宽禁带半导体大讲堂——先进封装技术助力宽禁带半导体产业高质量发展邀请到中国科学院微电子研究所研究员苏梅英，北京理工大学长聘副教授霍永隽，北京交通大学信息学院副教授李金城，北京工业大学教授代岩伟与大家共同分享先进封装技术技术前沿与发展前景。

11月6日

会员大会

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第二届第三次会员大会在深圳成功召开。会议由理事长陈小龙主持，150余位会员企业代表参加。秘书长刘祎晨汇报了2023年至2024年上半年的工作，包括党建工作、联盟建设、团体标准发展、产业服务、财务情况及2025年工作计划。会议还进行了新增理事单位和标准化委员的授牌仪式。陈小龙理事长对会员单位的支持表示感谢，并对未来合作和行业发展提出期望。

11月6日

第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议

2024年11月6日-8日，联盟举办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)在中国深圳隆重举行。本届会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，聚焦宽禁带半导体（SiC、GaN、Ga2O3、AlN、金刚石等）相关材料、器件及前沿应用，共吸引了近1000位国内外专家学者和企业代表、超350家企业的积极参与，共同探讨宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态，贡献了全球宽禁带半导体领域的智慧与力量。

APCSCRM 2024｜第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议圆满闭幕！

12月23日

标准发布

团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布。该标准根据 SiC MOSFET 器件的性能特点，并结合目前国内外其他公司生产的 SiC MOSFET 器件的研究水平，对 SiC MOSFET 阈值电压测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。详细描述了SiC MOSFET阈值电压的测试方法。为SiC MOSFET的生产和质量控制提供了更加准确的测试方法，有助于提高电力电子系统的效率和稳定性。

12月25日

宽禁带科技论

在2024年，联盟推出了20篇宽禁带科技论，该栏目旨在介绍宽禁带半导体领域的最新科研成果，为读者搭建一座通向行业前沿科技的桥梁。在新的一年，我们将继续分享