团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布

2024年12月23日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的宽禁带半导体器件突破了传统Si器件的材料性能限制，具有高开关速度、低导通损耗、耐高温等性能优点，满足了新一代电力电子应用对功率器件的需求，具有非常广阔的市场应用空间。对于SiC MOSFET器件，阈值电压指标很大程度上决定了器件性能和可靠性问题，该标准的发布，为SiC MOSFET的生产和质量控制提供了更加准确的测试方法，有助于提高电力电子系统的效率和稳定性。

本标准根据 SiC MOSFET 器件的性能特点，并结合目前国内外其他公司生产的 SiC MOSFET 器件的研究水平，对 SiC MOSFET 阈值电压测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。详细描述了SiC MOSFET阈值电压的测试方法。