罗姆SiC SBD采用全新封装设计

爬电距离约为标准产品的1.3倍

罗姆半导体宣布推出全新表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD），其引脚间爬电距离有所延长，导致绝缘电阻增高。

首批产品阵容包含八种型号（SCS2xxxNHR），用于车载充电器（OBC）等汽车应用。罗姆计划于2024年12月再推出八种型号（SCS2xxxN），用于FA设备和光伏逆变器等工业设备。

新产品采用原创设计，去除了以往位于封装底部的中心引脚，将爬电距离延长到5.1mm及以上，约为标准产品的1.3倍。这最大限度地抑制了引脚之间的漏电起痕（沿面放电），因此在高压应用中，将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封进行绝缘处理。

此外，这类器件可贴装在与标准和传统TO-263封装产品相同的焊盘图案上，便于在现有电路板上进行替换。

这类器件具有650V和1200V两种额定电压，支持xEV中常用的400V系统，以及未来有望得到更广泛采用的电压更高的系统。车规级SCS2xxxNHR通过了AEC-Q101认证，可满足汽车应用领域所需的高可靠性标准。

来源： 雅时化合物半导体

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