半导体所荣获2023年度北京市技术发明二等奖

2024年11月19日，北京市科技大会暨科学技术奖励大会在北京会议中心召开。半导体所牵头申报的项目“中远红外量子级联激光器关键技术及应用”荣获2023年度北京市技术发明二等奖，项目完成人：刘峰奇，张锦川、刘俊岐、卓宁、陈念江、翟慎强、王占国、李宝、梁平、陆全勇。

该成果属于光电子学与激光技术领域。成果针对量子级联激光器（QCL）在能带结构设计、近千层纳米级厚度的三元化合物半导体异质结构外延、大功率低阈值工艺、调谐范围及光束质量控制等方面的瓶颈问题，攻克了材料设计与制备、器件工艺等全链条关键技术，研发出波长3.5-16.5μm范围的一系列低阈值和高功率QCL。主要技术发明有：发明了分子束外延技术涉及的源炉温度、束流强度、生长速率、生长温度的协同控制技术，提出应变补偿思路、应变自组织量子点结构等提高QCL效率；发明了单模宽调谐QCL波导模式调控技术，研制出国际上阈值电流密度和阈值功耗最低的QCL、瓦级单模QCL；发明了基于微纳结构的QCL的光束控制技术，研制出室温连续波工作的脊型面发射QCL。该成果发表论文200余篇，获发明专利41项。成果支撑了国内50多家高校、科研院所和企业的技术开发，促进了我国红外技术的发展和产业升级。

获奖证书

北京市科学技术奖由北京市人民政府设立，旨在奖励科技界的优秀人士与团体，鼓励首都科技工作者弘扬科学家精神，积极投身各领域科技创新，着力加强基础科学研究，攻克关键核心技术，促进科技成果转化应用，为加快推动北京国际科技创新中心建设、实现高水平科技自立自强作出更大贡献。

来源： 中国科学院半导体研究所

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