第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）于2024年11月6日至8日在中国·深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。

会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，聚焦宽禁带半导体相关材料、器件、模块及前沿应用跨学科、多主题，针对全球行业发展焦点、热点、痛点，汇聚全球知名专家学者、企业领袖、行业精英，共同交流碳化硅及相关宽禁带半导体材料发展的前沿技术成果和最新市场动态，畅享全球技术应用新思路、新赛道，交换产业前瞻新观察、新观点。

会议伊始，由中国科学院物理研究所研究员、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟理事长、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙老师主持了中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟全体会员大会，联盟秘书长刘祎晨女士介绍了2023-2024年度联盟的运行情况与接下来一年的工作展望。

联盟活动后，是今年活动特别设置的《宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛》，该论坛主要为鼓励青年人才在宽禁带半导体领域的创新与研发，增强其在国际舞台的影响力和竞争力，促进技术观点的交流和前沿思想的碰撞，为年轻学者和研究人员提供了展示自己研究成果的平台。

11月06日 宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛

现场报告精彩纷呈，展现了新一代青年人才在宽禁带半导体领域的创新能力和发展潜力，论坛聚焦产业链关键领域，如材料、装备、器件等，围绕宽禁带半导体的最新研究进展、技术创新、产业化应用等核心议题展开深入探讨。通过此次机会，向参会者展示了宽禁带半导体的技术最新研究进展，也让参会者更深入地了解宽禁带半导体领域的最新动态和前沿趋势。

报告人：郭巳秋 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Light学术出版中心 副总编/副编审

报告题目：AI时代的出版

在当今迅速发展的人工智能(AI)技术时代，出版业正在经历前所未有的变革。作为Light出版集团的总编，我在会议上主要给大家分享AI技术是如何通过改变内容生成、编辑校对、翻译和多语言出版等多个方面，深刻影响我们的创作和出版流程的。此外，从编辑的角度，提出一些策略，供作者积极学习和使用AI工具，增强他们的多元化技能，并解决伦理和版权问题。

报告人：贾玉萍 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 副研究员

报告题目：碳化硅alpha粒子探测器研究

碳化硅基于其抗辐照、耐高温等特点目前受到辐射探测领域的广泛关注，尤其适用于空间探测、核反应堆检测、同步辐射大科学装置等方面。针对目前碳化硅材料本身固有缺陷高、器件暗电流大的瓶颈问题。我们提出了介电材料、铁电材料、石墨烯材料等辅助优化器件结构，获得室温大气环境下239Pu粒子的能量分辨率达到0.55%,达到国际先进水平。

报告人：黄福平 广东工业大学 讲师

报告题目：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究

功率器件在电力、机械、交通和新能源等技术行业具有巨大的市场潜力。与传统的硅(Si)材料相比，氮化镓(GaN)半导体具有更宽的带隙、更高的饱和漂移速度、更大的临界电场、更高的电子迁移率和更高的热导率等突出特性。这些优异的性能使GaN功率器件在高压、大电流、高频和高温应用中具有显著优势。在众多基于GaN的功率器件中，肖特基势垒二极管(SBDs)目前是研究的焦点。最近，我们一系列的工作对提高基于GaN的SBDs的正向导通特性和反向击穿特性进行了系统研究、并进行了关键的模型开发和制备表征。

报告人：何锦山 西安电子科技大学

报告题目：AIN-Al₂O₃双层结构对阻变存储器阻变性能的提升

在本研究中，我们提出了一种新的方法，采用等离子体增强原子沉积技术制备的AIN薄膜作为阻性开关，通过在AIN阻变层和Pt底电极之间引入具有高绝缘性的薄AIN-Al₂O₃层来改善基于AIN的导电桥阻性存储器件的电阻开关性能。与Al/AIN/Pt单层器件相比，Al/AIN/Al₂O₃/Pt双层器件具有更高的耐久性能和更高的电阻开关均匀性。电阻开关性能的这些实质性改善归功于插入AIN层后可以有效控制器件中导电丝的形成和断裂。

报告人：刘皓琰 河北工业大学 讲师

报告题目：基于带有AIGaN极化栅的单槽GaN紫外光电探测器的光电逻辑门

我们提出了一种基于单个紫外光电探测器的光电逻辑门（OELG）。该逻辑门利用输出电流作为输出值来判断AND和OR逻辑输出。逻辑门的类型由光输入信号的强度控制。我们建立了紫外光电探测器的SPICE模型，并通过HSPICE仿真验证了所提出OELG的有效性。这项工作为实现OELG提供了一种新方法。

报告人：乐九辉 上海磐云科技有限公司，副总经理；江苏晶晨科技有限公司，董事，副总经理

报告题目：浅谈大尺寸电阻加热式PVT碳化硅长晶炉发展

报告主要从以下几个方向分享：1、SiC衬底市场分析；2、SiC衬底设备市场分析；3、晶晨科技简介及核心团队介绍；4、晶晨科技大尺寸电阻加热式PVT碳化硅单晶炉产品特点介绍；5、行业未来发展趋势展望。

报告人：许彬杰 浙江大学杭州国际科创中心

报告题目：8英寸碳化硅在PVT法生长过程中的断裂应力

我们研究了导致SiC晶体断裂的σφφ的弹塑性行为。结果表明，棱柱滑移引起的塑性应变对σφφ有正贡献。根据AH模型，σφφ的塑性分量的大小由棱柱滑移系统在同一时间段内的剪切应力的大小决定。还模拟了冷却过程中剪切应力的演变，并定性研究了实验条件对σφφ弹塑性行为的影响。实验结果也验证了我们的结论。我们的研究为8英寸SiC晶体的生长提供了指导。

报告人：曾国松 南方科技大学

报告题目：紫外光照对碳化硅电化学阳极氧化的影响

引入外部能量场对SiC进行强制氧化是一种有效解决当前SiC CMP加工困难的途径。本研究首先比较了几种已有报道的SiC衬底氧化方式，发现EC和PEC具有更高的效率。其中PEC显示出更快的反应速率，产生的氧化层更加均匀致密。通过纳米压痕引入缺陷并配合准原位(P)EC-AFM,解释了引入UV光照可以使SiC更高效更均匀氧化的原因。

报告人：计建炳 温州大学

报告题目：集成3C/4H-SiC异构结增强型垂直型的平面栅ACCUFET

本次报告我们提出了一种嵌入两个3C/4H-SiC异构结(HCJ-PG-E-ACCUFE)的增强型垂直型平面栅积累型沟道场效应晶体管，其中(p)3C/(n)4H-SiCHCJ用作形成积累型沟道以提高通道迁移率，称为沟道HCJ。另一种(n+)3C/(n)4H-SiC HCJ用于降低反向开启电压VF的绝对值，以提高反向恢复能力，称为RR-HCJ。采用Silvaco TCAD软件来模拟和优化所构建设备的结构、静态和动态电气性能。

报告人：丁子悦 西安电子科技大学

报告题目：1.2 kV 4H-SiC中央植入物八边形元胞MOSFET高频优化设计

为提升SiC VDMOSFET器件高频性能，本研究从三维元胞结构优化角度出发，通过对比不同三维元胞的高频性能表现，选择了相较传统条状元胞更适合高频器件设计的八边形元胞结构。通过将八边形元胞与中央植入物相结合，经过参数优化后的新型八边形元胞结构高频性能获得了可观提升。

本次宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛的成功举办，为国内外宽禁带半导体领域的专家学者、青年人才和企业代表提供了一个交流合作、共同发展的平台。论坛的成果将对推动宽禁带半导体行业的创新发展，培养和汇聚青年人才起到积极的促进作用。

再次诚挚地邀请您参加11月7日第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议开幕现场，与我们共同见证这一重要的产业+学术盛会！

11月06日 现场精彩情况掠影，明天开幕式论坛见！