总投资超6亿，新增3个SiC项目

近期，行业内新增了多个SiC项目，涉及器件、模块及耗材等：

● 浙江宁波：签约国内某第三代半导体功率器件供应商，并建设一条车规级功率半导体流片产线。

● 台湾泰谷：投资7749万人民币建置高纯度碳化硅产线及采购相关设备。

● 印度RIR公司：举行了碳化硅制造工厂的奠基仪式，总投资约5.25亿人民币。

浙江宁波：

将新增第三代半导体工厂

据“宁波网信”官微消息，9月6日，浙江宁波举办了智博会开幕主题活动，并在会上进行了30个项目签约，总投资超350亿元。

其中，国内某第三代半导体功率器件供应商也成功签约，将在宁波前湾新区新建厂房，并将总部搬迁至宁波，计划2年内建设一条车规级功率半导体流片产线。

资料显示，该公司主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证，可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。

台湾泰谷：

建设碳化硅产线

据台媒报道，9月5日，泰谷光电科技发布公告称，将建置高纯度碳化硅产线及采购相关设备，投资总金额约3.5亿新台币（约7749万人民币）。该项目为泰谷未来重要转型计划之一，主要制造半导体设备所需要的高纯度与高致密度的SiC材料，以满足台湾地区晶圆制造产业供应链本土化的趋势及降低成本的需求。

据悉，泰谷计划在台湾地区建立首条专门用于半导体行业的高纯度碳化硅生产线，实现从原材料到成品的全流程生产。这一举措旨在实现SiC关键耗材的完全本土化生产，即从SiC晶体的生长开始，一直到与客户合作设计并加工成适用于机台的零件耗材，从而为台湾半导体产业提供一条龙的生产服务。

泰谷指出，在半导体制造的先进制程中，采用SiC材料替代传统的Si材料，可减少在制程作业期间因微粒子残留而导致的晶圆和制程设备的污染，延长零件的使用寿命，并提高晶圆的良率。

例如，在蚀刻工艺中，原本使用硅材料制造的零部件，如聚焦环（Focus Ring）、环保护罩（Ring Shield）和覆盖环（Cover Ring），如果改用高密度的SiC材料，其使用寿命和效率将显著提高。

此外，泰谷还计划在未来生产具备高热传导性、高强度和良好热膨胀系数的SiC材料，用于制造CoWoS曝光机的载台耗材以及用于键合（Bonding）制程的载体，进一步推动半导体制造技术的进步。

印度RIR公司：

SiC工厂奠基

9月6日，据印度媒体报道，印度第一座碳化硅制造工厂在奥里萨邦EMC 园区举行了奠基仪式，该工厂由RIR Power Electronics Ltd出资建设，三年内总投资达62 亿印度卢比（约5.25亿人民币）。

据了解，该工厂主要聚焦于碳化硅器件和模块的制造、封装，将新增500个就业机会。建造方RIR是美国Silicon Power的印度子公司，2023年7月，Silicon Power层曾透露有意向在印度奥迪沙邦建立一个6英寸碳化硅工厂。

事实上，2021年1月，Silicon Power已经获得印度政府的批准，将在印度古吉拉特邦建立SiC工厂，以开展碳化硅晶圆和功率电子器件的业务。该工厂第一阶段将生产碳化硅外延片，第二阶段将建封装线，第三阶段将制造碳化硅器件；未来 5 年内约可生产约5000万颗器件。

现阶段，印度政府正在努力推动芯片制造业的发展。今年年初，印度政府批准了152亿美元的预算用于多个半导体工厂的建造，其他向印度政府申请生产碳化硅许可证的公司包括SiCSem、Zoho。

来源：行家说三代半

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