三菱电机：持续专注大功率SiC领域，推进8吋产品供应

8月28-30日，PCIM Asia 2024展在深圳举行。其中，我们重点采访了三菱电机等十余家企业，深入了解了他们在碳化硅领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。接下来我们还将推送更多受访企业的的深度报道，敬请期待！

Q： 本次展会上贵公司展示了哪些产品？能否介绍一下核心产品的创新点和优势？

三菱电机：本次展会上，三菱电机展示了面向电动汽车、变频家电、工业&新能源、轨道牵引四个应用领域的产品，其中J3系列SiC EV T-PM、新型3.3kV Unifull™系列SiC-MOSFET模块、工业用NX封装全SiC-MOSFET模块是本届展会中的重点推荐产品。

三菱电机全新开发了车载压注模封装的T-PM半桥模块，同一封装兼容RC-IGBT（750V/400A）和SiC(1300V/350A)，全面适配中高端车型。封装迷你，设计灵活，适合紧凑型逆变器设计；容易并联，产品阵容丰富，匹配客户的平台化扩展；铜端子直接绑定，可靠性高，功率循环寿命远大于壳式封装的模块；生产效率高，成本优势强，为客户的电驱产品增加竞争力。

J3系列SiC EV T-PM

继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后，三菱电机新开发了Unifull™系列SBD嵌入式SiC MOSFET模块，规格为3.3kV/200A、3.3kV/400A和3.3kV/800A。新型模块采用SiC MOSFET&SBD一体化芯片和LV100封装，将有助于提高铁路牵引系统、电力系统及大型工业变流系统的功率密度、效率和可靠性。

新型3.3kV Unifull™系列SiC-MOSFET模块

三菱电机开发了工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块，额定电压为1200V和1700V，额定电流为600A。该模块采用了JFET掺杂技术的第二代SiC芯片，具有低损耗特性。与现有Si IGBT模块相比，功率损耗降低约72%。新模块采用了优化的叠层结构，实现了9nH的内部杂散电感，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%。

工业用NX封装全SiC-MOSFET模块

Q： 相比友商，贵公司有哪些竞争优势？

三菱电机：三菱电机集团拥有半导体器件、工业自动化、社会系统、楼宇系统、家用电器、车载设备、太空系统、能源系统、事业平台九大事业部，以先进的技术和范围广阔的事业，为家庭、办公室、工厂和社会基础建设、乃至宇宙的广泛领域，全球性地提供着各种产品和服务。其中大部分事业部都和电力电子技术息息相关。

三菱电机功率半导体的制作工厂分布全球，在日本、中国和欧洲，我们拥有超过10所功率半导体晶圆和器件制造基地，其中位于福冈的功率器件制作所及熊本的晶圆工厂在研发和生产方面起着举足轻重的作用。

半导体事业部会协同其他事业部开发的新型SiC产品，新产品也会率先在社内其他事业部获得应用验证，再向市场推广，以确保终端应用可靠性。

在备受瞩目的碳化硅领域，从1994年开始，三菱电机从事SiC相关技术研究已走过30个年头，期间积累了丰富的产品开发和应用经验。迄今，从600V到3300V，数十款SiC功率半导体已经在变频空调、伺服驱动、医疗仪器、储能系统、电动汽车以及轨道交通中获得商业化应用。

Q： 请问您如何看待碳化硅的市场前景？贵公司在该领域有哪些新的合作、技术进展？

三菱电机：三菱电机的SiC功率半导体侧重在大功率模块的研发和推广，我们特别看好其在电动交通领域的市场前景，包括轨道牵引、电动汽车和eVTOL等。第3代高压SiC模块——UnifullTM系列为新一代轨道牵引主变流器和辅助变流器应用量身打造；第3代碳化硅EV T-PM——J3系列将助力新一代电动汽车和eVTOL提升设计灵活性和续航里程。

Q：目前新能源汽车产业进入高速发展期，请问您如何看待其现状及前景？贵公司有哪些合作应用进展？

三菱电机：新能源汽车产业正进入前所未有的高速发展期。续航里程逐年攀升、充电网络不断扩大、环保政策持续强化和消费者节能意识增强是推动其发展的关键因素，此外自动驾驶、车联网等新技术的深度导入，更为其未来发展注入了新的活力。随着电池和碳化硅功率半导体制造成本的降低和性能的提升，新能源汽车的经济性将逐渐显现，未来成为人类的主流交通方式只是时间问题。

当然，新能源汽车也面临电池回收、充电基础设施建设等挑战。不过，这些挑战也是发展机遇，电池回收和利用技术会催生新的产业链；充电基础设施建设会在一定程度上带动智能电网和分布式能源的健康发展。

着眼于在中国电动汽车市场的业务拓展，三菱电机不仅将为客户供应第三代车规级功率模块——SiC EV T-PM，也将供应基于8英寸晶圆技术的SiC功率芯片。

Q：如今越来越多企业入局光储充赛道，您认为它将带来哪些机遇和挑战？贵公司有哪些合作应用进展？

三菱电机：随着越来越多的企业入局光储充赛道，将推动光伏发电效率的提升、储能技术的突破和充电设施的智能化升级，进一步增强用户体验。

随着充电桩建设速度加快，尤其是快速充电桩对电网会造成巨大的冲击。利用储能系统调节功率峰值，有效避免充电对电网的冲击，是解决充电桩负载对电网冲击问题的有效措施‌。

为进一步提升光伏发电逆变器的功率密度，三菱电机正在加紧开发第8代大电流IGBT模块。第2代工业用全碳化硅模块，目前已经拥有4种封装、多个电压和电流等级的产品，可以满足大功率充电桩的应用需求。

Q：今年以来，贵公司在市场开拓、技术研发等方面有哪些新的成绩和亮点？接下来有哪些发展计划？

三菱电机：三菱电机集团日前宣布了半导体发展战略。在应用方面，将专注于强化快速增长的汽车领域及本公司强大的可再生能源和消费领域的业务，同时保持工业和铁路应用领域作为坚实的业务基础。在技术研发方面，基于我们在SiC（碳化硅）功率模块方面的长期经验和专业知识，加强增长能力，充分利用市场扩张来加速业务增长。

在发展规划方面，三菱电机功率器件将从各个层面强化研发、生产、合作。通过与Coherent的垂直合作稳定碳化硅衬底的采购；在熊本县泗水地区建设新的8英寸SiC（碳化硅）晶圆工厂，通过稳定供应SiC（碳化硅）功率半导体，以满足电动汽车等市场快速增长的需求；在福山工厂建立12英寸Si（硅）晶圆生产线，增强DIPIPM生产能力；在分立器件领域，通过与Nexperia的战略合作扩大市场份额；在模块领域，顺应电动汽车市场日益增长的需求，推出创新型J3系列产品。

来源： 行家说三代半

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。