进化半导体（深圳）有限公司创立于2021年，致力于“第四代”新型半导体材料产业化，是“无铱工艺制备氧化镓”理念的倡导者、实践者。

公司立足于自主研发，坚持创新引领，已获多项发明专利授权，是国内少有的拥有单晶炉设计、热场设计、晶体生长、超精密平坦化等全系列自主知识产权的半导体电子材料生产商之一。企业力争在5年内成为新一代半导体材料国际知名品牌和标杆企业，为加快实现我国科技自立自强作出积极贡献。

公司在苏州建有“第四代半导体”衬底研发生产基地，并被苏州市评为“姑苏领军人才”企业、江苏省“省双创人才”企业。

公司实现了多种半导体材料的装备研发及工艺开发，涵盖了超宽禁带氧化镓材料和超窄禁带锑化物材料（锑化镓和锑化铟）。近期，基于公司“无铱工艺”自主研发的氧化镓晶体，制备出大尺寸(100)偏6度（沿着[00-1]偏转）氧化镓衬底，于国际公开报道中首次在该晶面上达到了前所未有的高品质标准，凸显了进化半导体“无铱工艺”在氧化镓材料产业化方面的巨大潜力。

无铱工艺制备的(100)偏6度衬底，具有不易开裂、易减薄、易外延、成本低等优点，是氧化镓产业化的优选晶面。公司已开始向市场供应(100)偏6度、(001)及各种定制晶面偏角的科研级衬底。

此外，公司经过多年的技术研发，突破了锑化铟和锑化镓晶片低位错以及加工、清洗等技术难题，可提供2-3英寸低位错和高表面质量的锑化铟和锑化镓衬底。

产品介绍

氧化镓衬底

氧化镓多晶颗粒

锑化铟衬底

锑化镓衬底

联系方式

进化半导体 Evolusia

联系方式：许先生 18611229523

电子邮件：sales@evolusia.cn

公司网站：http://evolusia.cn