加强碳化硅布局，中瓷电子获得这家企业全部股权

7月25日晚间，中瓷电子发布公告称，其拟以支付现金的方式收购北京国联之芯企业管理中心（有限合伙）（以下简称国联之芯）持有的北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称国联万众）5.3971%股权。

公告显示，中瓷电子与国联之芯于2024年7月26日签署了《河北中瓷电子科技股份有限公司与北京国联之芯企业管理中心（有限合伙）关于北京国联万众半导体科技有限公司之股权转让协议》。国联万众为中瓷电子前次重大资产重组的标的公司之一，且为配套募集资金投资项目“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”及“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”的实施主体。本次交易完成后，国联万众将成为中瓷电子的全资子公司。

去年3月，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。

中瓷电子还同时宣布拟向不超过35名特定对象发行股份，募集配套资金总额不超过25亿，投向“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”、“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”等4个项目。

其中，“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”将在国联万众已有碳化硅功率半导体产线基础上，搭建碳化硅功率模块封测线，建设满足车规级、风力发电、高压电网等应用的碳化硅功率模块产品产能。

“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”拟围绕碳化硅高压功率模块关键技术进行研发，制定了3300V碳化硅MOSFET芯片窄线条沟槽刻蚀技术研发、3300V碳化硅MOSFET芯片栅极氧化技术研发、3300V碳化硅MOSFET芯片晶圆减薄技术研发、3300V碳化硅高压功率模块封装技术研发四个研发课题，满足3300V碳化硅高压功率模块对栅极氧化技术、刻蚀技术、减薄技术和封装技术等方面的要求，最终实现规模化量产的目标。

目前，国联万众碳化硅功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，其中，车规级碳化硅MOSFET模块已向国内一线车企稳定供货数百万只。

来源：集邦化合物半导体

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