碳化钽技术突破，SiC外延污染减少75%？

近日，德国研究所Fraunhofer IISB在碳化钽涂层技术的研发上取得了突破，开发了一种喷雾涂层方案，具有优于CVD沉积方案的灵活性及环保性，并且已实现商用。

Fraunhofer IISB：

开发全新TaC涂层技术

3月5日，据媒体“Compound Semiconductor”报道，Fraunhofer IISB 开发了一种全新碳化钽（TaC）涂层技术——Taccotta，目前该技术许可已转让给Nippon Kornmeyer Carbon Group（NKCG），NKCG开始为他们的客户提供TaC涂层的石墨部件。

目前行业内传统的生产TaC涂层的方法是化学气相沉积法（CVD），这项技术面临着高制造成本、交货时间长等缺点。此外，CVD法还容易在组件的重复加热和冷却过程中导致TaC出现裂纹，这些裂纹暴露了底层的石墨，随着时间的推移会严重降解并需要更换。

而Taccotta的创新之处在于它采用了一种水基喷雾涂层方法，随后进行温度处理，从而在石墨基材上形成一层具有高机械稳定性和可调节厚度的TaC涂层，涂层的厚度可以在20微米到200微米的范围内调整，以适应不同的应用需求。

Fraunhofer IISB开发的TaC工艺技术可以调整所需的涂层性能，例如厚度，如下所示在 35μm 至 110 μm的范围内

具体来看，Taccotta喷雾涂层还具有以下关键特点和优势：

● 更环保：采用水基喷雾涂层，这种方法更加环保和易于工业化；

● 灵活性：Taccotta技术能够适应不同尺寸和几何形状的组件，允许部分涂层和组件翻新，这在CVD中无法实现。

● 减少钽污染：使用Taccotta涂层的石墨组件用于SiC外延制造中，与现有CVD涂层相比，钽污染减少了75%。

● 耐磨性：通过划痕测试显示，涂层厚度的增加可以显著提高耐磨性。

划痕测试

据悉，该技术已由NKCG推动实现商业化，NKCG是一家专注于提供高性能的石墨材料和相关产品的合资企业，未来还将长期参与到Taccotta技术的开发当中，目前该公司已开始向他们的客户提供基于Taccotta技术的石墨部件。

来源：行家说三代半

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