氧化镓携手碳化硅，杭州镓仁与苏州迈姆思签订战略合作协议

据苏州纳米城官微消息，近日，苏州纳米城企业—苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称“迈姆思 ”）与杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁”）于杭州签订战略合作协议。双方将依托各自的资源和技术优势，在先进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。

本次战略合作协议的签订，彰显了双方对未来半导体技术发展趋势的共同追求，亦将为“三代半”和“四代半”材料的融合提供更广阔的平台，推动我国半导体技术迈向新的台阶，为未来的科技进步和产业发展注入新的动力。

据悉，迈姆思凭借在氧化镓和硅结合技术方面自主研发优势，与镓仁协作实现碳化硅和氧化镓的键合。换句话说，就是用碳化硅出色的散热好的性能来弥补氧化镓散热性能的不足，同时通过氧化镓和硅的键合，大幅度降低成本，推动氧化镓作为功率器件的量产化。

材料深一度

前有SOI，后有POI，近年来各种复合键合材料在半导体的各个领域应用越来越广泛。然而，在半导体产业发展的滚滚洪流当中，也不是所有新材料的发展方向都能获得产业化方面的极大发展。

回顾大概20年前，集成电路发展到极大规模的纳米技术时代，很多人认为要进一步提高芯片的集成度和运行速度，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，在进一步减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战，必须在材料和工艺上有新的重大突破。当时，在材料方面重点推动的绝缘体上的硅(S0I ,Silicon-on-insulator)等，被部分业界人士认为是纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持 Moore 定律走势的一大利器。下图为当时国际上 SOI 材料头号供应商--法国 Soitec 公司给出的先进材料的发展路线图。 Soitec 公司当时认为SOI，绝缘体上应变硅(sS0I)和绝缘体上锗(GOI)将成为纳米尺度极大规模集成电路的高端衬底材料。可惜在后续的竞争当中，GOI的技术路线没能在与FinFet的PK中取得足够的优势，慢慢淡出大众的视野当中。

回到宽禁带半导体材料领域，前有SiC on SiC ，GaN on SiC ，GaN on Si等技术路线已经日益成熟，后有号称终极半导体材料的金刚石材料也在快速发展。氧化镓虽然性能优越，但是也要拼出足够强的竞争优势，未来才可能打开自己的一片天地。

来源：半导体材料行业分会

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