1200V 13.5mΩ，瞻芯电子第三代碳化硅量产

6月根据瞻芯电子官微消息，基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载主驱。

相比于第二代工艺，第三代元胞的Pitch缩小了超过20%。在核心指标方面，，第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，达到国际第一梯队的水平。第三代产品的开关损耗比第二代降低30%以上。此外，导通电阻Rds(on)的温度系数也明显降低，当Vgs=15V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。

在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。

瞻芯电子成立于2017年，公司定位碳化硅IDM公司，包括晶圆和功率模块产品以及驱动和电源管理类模拟芯片产品。

来源：NE时代半导体

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