英飞凌推出400V CoolSiC MOSFET，满足AI服务器电源需求

近日，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）扩展了其碳化硅（SiC）MOSFET产品线，推出电压低于650V的新产品，以满足人工智能（AI）服务器电源的需求。新推出的400V CoolSiC MOSFET系列基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiC技术。

CoolSiC MOSFET

这款全新的MOSFET系列专为AI服务器的AC/DC阶段而开发，同时也适用于太阳能和储能系统（ESS）、逆变器电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅用固态断路器。

根据英飞凌的说法，与现有的650V SiC和硅MOSFET相比，新系列产品具有超低的导通和开关损耗。在多级PFC（功率因数校正）中，AI服务器电源的AC/DC阶段可以达到超过100 W/in3的功率密度，并证明效率高达99.5％，比使用650V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。

此外，通过在DC/DC阶段实现CoolGaN晶体管，这种高性能MOSFET和晶体管的组合使电源可以提供超过8 kW的功率，功率密度比目前的解决方案增加了三倍以上。

新的MOSFET系列共有十种产品：五种R DS(on)类别，从11到45 mΩ，采用Kelvin-source TOLL和D2PAK-7封装，并配有.XT封装互连技术。在25°C下的漏源击穿电压为400V，适用于2级和3级转换器以及同步整流。

这些组件经过了100％的雪崩测试。高鲁棒性的CoolSiC技术与.XT互连技术结合，使这些器件能够应对AI处理器电力需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。

目前，CoolSiC MOSFET 400V系列的工程样品已经上市，并将于2024年10月开始量产。最新一代的英飞凌CoolSiC MOSFETs将于6月在欧洲国际电力电子博览会（PCIM Europe 2024）英飞凌展台展出。

来源：化合物半导体洞察

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