【成员风采】碳化硅单晶液相法生长及器件技术专题研讨会成功举办

2024年5月25-26日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国科学院物理研究所承办的碳化硅单晶液相法生长及器件技术专题研讨会在北京成功举行。专委会常务副主任委员、北京大学沈波教授，专委会副主任委员、中国科学院物理研究所陈小龙研究员，专委会副主任委员兼秘书长、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工等近50位来自行业主要企业和高校科研院所的专家学者受邀参加会议。

研讨会开幕式由中国科学院物理研究所王文军研究员主持，研讨会会议主席陈小龙研究员和沈波教授为会议致辞。陈小龙研究员在致辞中表示，碳化硅产业近年取得了长足的发展，相比PVT法（气相法），HTSG法(液相法)在3C-SiC生长、降低晶体缺陷密度、提高器件性能与可靠性、降低成本等方面的有望解决行业痛点，不少科研院所和企业已进行布局，本次会议非常有意义。沈波教授在致辞中表示，我国的HTSG法制备碳化硅技术近年来取得了长足的进步，是未来五年碳化硅单晶生长技术重要的发展方向，也是国内宽禁带半导体技术发展的热点问题；作为专委会主办的系列专题研讨会之一，相信本次会议通过贯彻落实专题研讨会的定位与要求，聚焦HTSG法碳化硅单晶生长及器件技术进行深入研讨，将对我国碳化硅科学技术进步和产业发展发挥积极作用。

本次会议分为报告和研讨两个环节。报告环节于25日下午举行，先后由袁文霞教授、彭同华研究员主持，邀请了8位专家（其中产业界和学术界各4位），围绕液相SiC单晶生长、外延、器件进行了专题报告，并重点就当前所面临的问题和挑战以及相应解决方案的思考做了分享。研讨环节于26日上午举行，先后由陈小龙研究员、李哲洋研究员、张峰教授主持，参会嘉宾重点围绕“制约液相法碳化硅单晶生长及大规模量产的关键技术和科学问题及解决方案”、“面向液相碳化硅单晶外延主要技术障碍和发展路径”、“3C-SiC和p型4H-SiC基器件产业化前景及发展路径”三个议题开展了研讨，对产业和技术进行了深入的交流碰撞，在多个问题上形成了有价值的意见。研讨氛围热烈，持续了三个多小时与会嘉宾仍意犹未尽。最后陈小龙研究员对会议进行了总结，充分肯定了会议成效，认为本次会议达到了专委会主办系列专题研讨会的定位要求，对与会嘉宾的积极参与表示衷心的感谢。研讨会受到与会嘉宾的高度评价，与会嘉宾纷纷表示期待更多的专题研讨会。

【专题研讨会背景】近年来，我国宽禁带半导体领域技术和产业取得长足发展，在技术研发方面，处于国际并跑甚至领跑水平的技术进展不断涌现，在此背景下，我国该领域创新能力的进一步提升对深度的学术技术交流与碰撞提出了现实而迫切的需求。为此，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会决定举办系列聚焦细分领域的专题研讨会，专题研讨会的定位要求在于既交流已有进展，更鼓励面向未来深入研讨当前待研究的科学问题或存在的技术难题，以及探讨相应解决之道。专委会通过举办该系列专题研讨会，以期对我国宽禁带半导体领域更多的0到1创新能力提升发挥积极作用，进而促进我国该领域科学研究水平提升和技术进步，贡献产业高质量发展。