青禾晶元计划2026年上市；6大上市公司刷SiC进度条 - 新闻通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

青禾晶元：国内首条先进半导体复合衬底产线通线，2026年达到科创板上市标准

近日，青禾晶元国内首条先进半导体复合衬底产线通线。同期公司也宣布完成共计2.2亿元的A++轮融资，投资方包括北京集成电路尖端芯片基金、阳光电源、智科产投、天津天创等。公司董事长母凤文在通线活动上表示，公司计划2026年达到科创板上市标准，继而提出申报。

据了解，此次半导体复合衬底产线首期产能规模为3万片，未来计划达到15万片。母凤文表示：“先进半导体复合衬底技术是当前最先进的晶圆级异质集成技术之一，可以有效解决单一半导体材料性能受限、成本高、良率低等问题。本次新型键合集成衬底量产示范线通线，标志着国内先进半导体键合集成衬底产品具备了大规模量产的基础，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，对我国先进键合集成衬底产业在全球范围内占领战略制高点极其重要。

青禾晶元之所以快速投产，核心是技术创新驱动。母凤文表示“以碳化硅举例，国内获得材料的主要方式，还是‘长晶’法。但这种方式高耗能，需要达到2000度才能把材料‘长’出来。最重要的是，‘长晶’工艺稳定性不强、良品率低，使得高质量碳化硅材料获得较少，价格昂贵。”

青禾则是利用“复合”原理，把高低质量的衬底材料进行结合，在充分利用高质量材料的同时，也把低质量材料利用起来，这一方法有效地降低了材料成本，保证高性能、低成本衬底材料的供给。通过每一层材料的单独制作以及最后调控，青禾晶元攻克了材料获得上的难题，从最终产品看，复合衬底可以做到性能更优，成本更低，良品率更高。

青禾表示，未来公司将基于领先的技术优势和成熟的量产能力，进一步扩大产能、降低成本，以应对下游客户日益增长的产品需求。在衬底尺寸上，母凤文表示：目前以6英寸为主，未来会转到8英寸。其认为：“如果是‘长晶’法，8英寸难度是几何级别。但采用‘复合’法，从6英寸到8英工艺相通，只是对机台的调整。且不涉及温度影响，很多工艺在常温下完成。

中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士在通线活动上表示：“我国半导体材料产业已取得长足进步，个别技术领域甚至具备了与国际同行并行的趋势。但总体而言，我国半导体材料产业大而不强，企业更多作为追随者同质化竞争，急需加强原始创新。面对我国当前及更长时期发展的迫切要求，加大关键核心技术的攻关是重中之重。青禾晶元自主研发推出先进的半导体材料键合集成技术，使我国在半导体复合衬底材料领域实现了阶段性突破。该技术在生产环节的落地应用，将大大增加宽禁带半导体领域的优质产品产能，带动中国整个半导体产业及周边产业发展。”

母凤文博士表示，只要技术突破，产能迅速释放，公司就能快速进入发展通道。“目前国内市场对于先进半导体复合衬底材料，特别是碳化硅的需求供不应求；应用领域上，新能源汽车、光伏、电力传输等领域有较大市场。”

母凤文计划在公司2026年达到科创板上市标准，然后申报材料。“现在公司要做的事是，将产品迅速推向市场，并获得客户的广泛认可。”

研报快读：5家车企采用士兰微（600460）碳化硅主驱模块

5月27日国信证券发布研报显示，士兰微碳化硅主驱模块已批量交付，投资布局8英寸碳化硅产线。公司碳化硅6英寸已具备产能9000片/月，已有5家左右车企采用士兰碳化硅主驱模块，预计5月单月装车将超过8000辆、6月单月将超过2万辆，24年碳化硅收入目标10亿元。

精进电动（688280）：高压碳化硅控制器项目通过欧洲大型商用车集团量产审核

精进电动近日公布了调研纪要，显示乘车及商用车多个项目已经或正在全球市场走向量产。

目前批量生产的主要电驱动系统项目有，一汽的纯电动和混动车型，上汽的混动车型，奇瑞的混动车型平台，北汽越野的增程车型平台（含碳化硅控制器）及国外两个项目。另外还计划量产出口欧洲的碳化硅控制器，电动摩托车驱动系统。

据悉，在商用车领域，公司推出了第三代硅基 IGBT 控制器和800V高压碳化硅控制器。其中800V碳化硅控制器峰值功率根据需求可以达到300kW到800kW，最高效率可以达到99.6%。并且产品已经通过了欧洲某大型商用车集团公司的量产审核，同时也标志着精进电动具备了向该集团旗下多个全球高端品牌的重卡、中卡、客车车型供货的条件。

未来，精进电动持续加大在产产品的产量和成本优化，继续深化国际化战略，特别是加强在北美市场的渗透，以及拓展欧洲和其他地区的业务

北方华创（002371）：产品囊括SiC领域主要环节，市占率持续领先

5月27日有投资者在互动平台上提问：今年国内碳化硅半导体上马项目非常多，北方华创在国内碳化硅项目中关键设备市占率、企业营收占比及毛利率表现如何？相比于国外SIC关键设备生产厂家，北方华创的竞争优势在哪里？碳化硅晶圆生产环节的高温粒子注入机的研发和制造是否涉及？。

北方华创表示：公司在SiC领域主要提供的产品包括SiC长晶炉、外延生长设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、高温激活/氧化/合金、清洗设备等，长期以来国内市占率一直保持领先地位。北方华创的主要优势为性价比高，客户服务好，产品迭代快，技术卓越。高温离子注入机是SiC制程中的核心工艺设备，公司始终坚持以客户需求为导向的持续创新，致力于为客户提供更优解决方案。

锴威特（688693）：1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段

近日锴威特在投资者互动平台上表示，公司自2018年下半年开始研发SiC功率器件，积极布局第三代半导体，通过对SiC功率器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。2023年度,公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

民德电子（300656）：碳化硅晶圆加工线设备尚在安装调试中

5 月 27 日，民德电子在投资者关系平台上表示，晶圆代工厂广芯微电子的碳化硅晶圆加工线设备尚在安装调试中，产品将主要面向工业和能源领域。

Nexperia：推出业界领先的SiC MOSFET分立器件，采用D2PAK-7封装

近日欧洲半导体大厂Nexperia（安世）推出SiC MOSFET分立器件，将有效提升电动汽车(EV)充电（充电桩）、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用的使用效能。

RDson 是 SiC MOSFET 的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗，随着设备工作温度的升高，RDson 相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。据称Nexperia 的SiC MOSFET 采用了创新型工艺技术，实现了业界领先的RDson温度稳定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内，RDson的标称值仅增加38%。

来源：DT芯材

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