NCT生长出6英寸氧化镓晶体

垂直布里奇曼法为尺寸更大的高品质晶圆铺平道路

Novel Crystal Technology（NCT）是一家Ga2O3技术专业公司，其首次利用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出6英寸Ga2O3单晶。这一成果表明，在为基于Ga2O3的功率器件提供尺寸更大、品质更高的半导体晶圆方面，NCT迈出了重要一步。

用于Ga2O3单晶的垂直布里奇曼生长法（如上图所示）由信州大学开发，成功实现了2英寸及4英寸晶体的生长。NCT收购并扩展了他们的技术，以开发更大直径的晶体。

与NCT现有的导模（EFG）法相比，垂直布里奇曼法具有多项优势。垂直布里奇曼法以圆柱形生长晶体，进而大大降低了衬底切割的相关成本。此外，垂直布里奇曼法还可以生产各种晶体取向的衬底，而不受晶体各向异性的限制。

此外，与导模法相比，垂直布里奇曼法生长的受控热环境可使晶体品质更优，缺陷最少。最后，衬底内的掺杂均匀性有望得到改善，从而与硅等其他半导体的行业标准保持一致。

NCT与日本产业技术综合研究所（AIST）对垂直布里奇曼法晶体和导模法晶体进行了比较评估，结果显示晶体品质有显著提高。同步辐射X射线形貌分析证实，在导模法生长的晶体中观测到了高密度缺陷，相比之下，垂直布里奇曼法生长的晶体中缺陷极少。这清楚地证明了垂直布里奇曼法在生产高品质Ga2O3衬底方面的优越性。

NCT成立于2015年，制造用于功率器件的2英寸及100毫米Ga2O3衬底和外延片。这些产品已投入市场，并被世界各地的大学、研究所、功率器件公司所采用。

NCT正在积极开发尺寸更大的衬底，如6英寸衬底。除衬底外，NCT还着眼于生产更广泛的Ga2O3器件。该公司已经开始提供首个Ga2O3肖特基势垒二极管的样品，鉴定试验预计于2024年9月完成。

这项研发计划的部分资金来自日本科学技术振兴机构（JST）的“通过目标驱动研发实现适应性和无缝性技术转让计划”（A-STEP）。

来源： 雅时化合物半导体

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