晶泽宇公司主要针对一些半导体行业的晶圆、芯片、外延片、陶瓷、碳化硅、金刚石等材料的精密加工服务。包含切割，研磨，抛光cmp，划片方面的代加工业务。配套耗材方面，自主开发精密研磨抛光配套耗材，如金刚石研盘、研磨液、抛光液，颠覆传统的化学配方复合设计材料，产品应用研磨、抛光效率和性能处于世界先进水平。

1、切割

碳化硅、金刚石等材料常常需要进行精密的切割，以满足特定的尺寸和形状要求。切割过程通常采用超硬切割工具，如金刚石线锯或金刚石刀片等，通过高速旋转和适当的切削参数实现材料的切割。切割时需要注意工件和切割工具的稳定性，以及避免过热和裂纹等问题的发生。

2、 研磨

研磨是碳化硅、金刚石等材料加工中不可或缺的步骤。通过磨料的摩擦作用，可以实现材料表面的平整化、去除表面缺陷和提高精度。常用的研磨方法包括手工研磨、自动研磨机和平面磨床等。在研磨过程中需要根据材料的硬度和加工要求选择合适的磨料和研磨参数，以确保加工效果的稳定和优化。

3、 抛光

抛光是在研磨的基础上进一步提高材料表面光洁度和精度的关键步骤。抛光过程通常采用特殊的抛光液和超硬抛光工具，如金刚石抛光片等，通过旋转和适当的压力来实现。抛光时需要注意材料表面的平整性和均匀性，以及抛光液的选择和使用方法。

4、CMP

化学机械抛光（CMP）是一种具有高度精密和控制性的材料加工方法，常用于碳化硅、金刚石等材料的平面化和光洁度提高。CMP过程结合了化学反应和机械摩擦，通过旋转的抛光盘和适当的化学溶液来达到加工效果。CMP的优势在于可以高效地去除深度和复杂度不同的表面缺陷，同时实现材料表面的平整和光洁。

5、 划片

划片是对碳化硅、金刚石等材料进行内部结构观察和分析的重要方法。通过切割薄片，并经过必要的研磨和抛光处理，可以得到薄而均匀的切片。划片过程需要注意切片的厚度和质量，以及切割工具的选择和使用，以确保划片的精度和可靠性。

目前晶泽宇公司自主开发特色切磨抛工艺与自产耗材结合，可以提供全方位切磨抛cmp加工解决方案，为产业大幅降本增效!

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