2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于6月5日-7日在北京格兰云天国际酒店隆重举办，会议将围绕“凝芯聚力，降本增效”主题，聚焦产业链关键领域，涵盖材料、装备、器件等，与业界精英共同探讨降本增效与高质量发展的策略，提高产业链整体效能，为宽禁带半导体产业搭建交流合作平台。

在即将拉开帷幕的盛大会议中，我们荣幸地集结了众多行业精英与合作伙伴，本期我们将为您介绍本次会议的【金牌赞助商】，他们将带着最新的技术、产品和解决方案，亮相于会议现场。他们不仅将在展区展示他们的实力，还将通过精彩的报告和分享，为与会者带来宝贵的经验和洞见。他们的参与，将为会议增添更多亮点和看点，也将为整个行业带来更多的机遇和挑战。接下来让我们一齐领略他们的风采与实力，共同期待他们在会议上的精彩表现！

河南联合精密材料股份有限公司

联合精密成立于2002年6月，专注于精密研磨抛光材料、新型复合材料及高端制品等领域的研发、生产与销售。

公司致力为高端硬脆材料的超精密表面加工提供切割、研磨与抛光整体解决方案，聚焦和服务集成电路、第三代半导体碳化硅、电子消费类蓝宝石、光学玻璃、光伏硅片材料等客户。主要生产包括精细磨料、流体磨料、金刚石研磨垫等系列产品。

公司主要生产经营精细磨料、流体磨料、金刚石研磨垫三大系列产品，其中精细磨料包含：单晶金刚石、多晶金刚石、类多晶金刚石、团粒金刚石、纳米金刚石，流体磨料包含：单晶金刚石研磨液、多晶金刚石研磨液、类多晶研磨液、团粒金刚石研磨液、纳米金刚石研磨液、氧化铝抛光液、二氧化硅抛光液。产品主要应用于半导体晶片加工、光伏硅片切割用金刚线、消费电子产品研磨抛光、蓝宝石LED衬底研磨等精密加工等领域。

王 森

河南联合精密材料股份有限公司 研发总监

报告题目：碳化硅衬底C/Si面的差异与流体磨料的设计

天津市裕丰碳素股份有限公司

天津市裕丰碳素股份有限公司成立于2013年，新三板挂牌企业，天津市“专精特新”中小企业，入选了国家重大项目库。津裕丰长期专注、致力于沥青基各向同性碳材料的研发和生产，是国内首家完全自主知识产权、从煤沥青生产原丝到隔热产品的完整生产链企业。产品质量跨进国际先进行列，实现了超高温热场隔热毡从原料到产品完整链的生产。公司致力成为中国沥青基各向同行碳材料技术领导者。

津裕丰沥青基石墨纯化软毡是三代半晶体生产的优选隔热材料，产品有如下特点：

• 碳纯度高、灰分低
• 纤维真密度高，导热系数低，隔热性能好
• 产品更耐烧蚀、无氧环境最高使用温度3000℃以上，使用寿命更长。
• 纤维为圆形截面，表面光滑，不易挂晶和粉化，提升热场稳定性和晶体质量
• 产品批次偏差少，均一性好

遇秉武

天津市裕丰碳素股份有限公司 董事长

报告题目：国产沥青基碳纤维隔热毡——为宽禁带半导体产业降本增效助力

惠丰钻石股份有限公司

惠丰钻石坐落于河南省商丘市柘城高新技术金刚石产业基地，拥有150亩花园式标准化厂区，是中国机床工具工业协会超硬材料分会常务理事单位，现行国家标准“超硬材料人造金刚石微粉”起草单位之一，拥有全资子公司河南省惠丰金刚石有限公司、深圳惠丰半导体有限公司、控股子公司河南克拉钻石有限公司及郑州技术中心，2022年7月在北京证券交易所上市，证券代码：839725。

HFD-T（金刚石高强微粉）

产品特性：原材料采用高强度、高纯度的优质金刚石，晶型规则、粒度分布集中、杂质含量极低、热稳定性好、耐磨性能高。

HFD-DW（金刚石线专用微粉）

产品特性：采用高强度MBD系列优质金刚石为原料，经过特殊整形、分级工艺，杜绝大颗粒。粒度分布集中，提高有效磨削力颗粒含量，增强耐磨性能。

HFD-B（金刚石精微粉）

产品特性：产品晶型较规则、粒度分布集中、颗粒形状呈等积体、杂质含量低。

栗正新

惠丰钻石股份有限公司 郑州技术中心主任

报告题目：微纳米金刚石研究开发与应用

杭州众硅电子科技有限公司

杭州众硅电子科技有限公司成立于2018 年 5 月，由一批拥有超二十年半导体设备和工艺行业经验的专家引领，从事高端化学机械平坦化 / 抛光（CMP）设备及相关产品的研发与生产。众硅科技已成功开发适应多种衬底材料及不同晶圆尺寸的 CMP 设备。产品在知名的集成电路、大硅片和第三代半导体客户大产线应用并获得好评。

产品名称：碳化硅衬底化学机械抛光系列设备(TNTAS®ECMP)

产品简介：众硅科技重磅推出了针对碳化硅衬底的电化学抛光(CMP)设备（TNTAS®ECMP），该设备拥有独特的碳化硅化学机械抛光工艺，且无需强氧化剂，工艺条件温和，工艺结果优秀；TNTAS®ECMP为全自动CMP设备，无需封蜡/贴膜，不仅去除率高、产能高、综合运营成本（COO）低，且化学尾液处理更简便环保。

产品名称：12英寸化学机械平坦化设备(TTAIS®300 CMP)

产品简介：众硅科技通过自主创新，研发出了首台单台可同时支持3盘和2盘工艺制程的12英寸CMP设备（TTAIS®300 CMP）。该设备已于2022年被认定为国内首台（套）产品，该设备采用6x独立研磨模组和2x独立清洗模组的全新紧凑的架构，工艺灵活性更高，制程兼容性更好，可以适用于90nm以下所有高端制程，在芯片生产的过程中，提供可维护性高、生产效率快、综合运营成本低等优点，不仅可以节约成本还可以加快研发速度。除IC制程以外，TTAIS®300 CMP也支持12英寸的硅片化学机械抛光。拥有平坦度和均匀性好，金属和颗粒污染低，综合运营成本低等特点。

杨晓晅

杭州众硅电子科技有限公司 董事长

报告题目：新一代碳化硅衬底抛光技术

中电科风华信息装备有限公司

中电科风华信息装备股份有限公司成立于1998年，注册在山西转型综合改革示范区，是中国电科半导体装备领域核心成员单位，是首批国家级创新型企业，国家级“专精特新”小巨人企业，国家第三代半导体技术创新中心（山西）共建单位。

公司致力于国产高端电子专用装备研发，以“国内卓越、世界一流”为发展目标，聚焦半导体产业高端装备国产化，拥有自主知识产权200余项，获得省部级科技进步奖15项。产品布局分为半导体显示、半导体检测、光伏新能源、汽车电子等几大专用生产设备板块，能够全方位为客户提供个性化定制服务、系统集成解决方案。

SiC晶圆全自动检测设备Mars 4410/Mars 4420

设备概述：

应用于SiC抛光衬底片、同质外延片的全自动化缺陷检测设备。

设备特点：

◎采用明场微分干涉相差、暗场散射、光致发光等多种检测手段

◎具有低噪声和高分辨率成像、高检测通量和高检出率等优势

技术指标：

◎可测晶圆尺寸：4/6/8英寸及其他非标尺寸

◎应用范围：SiC抛光衬底片、同质外延片缺陷检测分析

◎重复率：≥98%

◎测试灵敏度：0.08μm

◎重复定位精度：±2.5μm

◎检测通量：≥12WPH（6英寸），≥7WPH（8英寸）

李昊然

中电科风华信息装备股份有限公司 营销中心副总经理

报告题目：SiC 缺陷检测设备国产替代的机遇与挑战

会议议程