《宽禁带半导体大讲堂——宽禁带半导体器件，2024年机会在哪?》成功举办！

3月15日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社主办的“宽禁带半导体大讲堂第二期——宽禁带半导体器件，2024年机会在哪？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、创客总部、蔻享学术、零碳信息通信网络联合实验室的大力支持，同时也得到了多家媒体的大力宣传和直播分享，线上线下观看直播人数达2.8万人次，大家可以关注【宽禁带联盟】视频号观看直播回放。

本次活动邀请到复旦大学研究员、清纯半导体首席科学家雷光寅，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇，北京智慧能源研究院功率半导体芯片设计室主任、高级工程师和峰，北方工业大学副教授杨兵与大家共同分享当前宽禁带半导体功率器件的技术前沿与发展前景。

活动现场

复旦大学研究员、清纯半导体首席科学家雷光寅作报告分享

复旦大学研究员、清纯半导体首席科学家雷光寅在《低导通电阻，高可靠性SiC功率半导体器件》的主题发言中重点介绍了当前宽禁带半导体在新能源市场中的广泛应用，并结合SiC 功率半导体器件的结构和发展方向对国内碳化硅功率器件进行了展望。他认为得益于新能源汽车、充电桩、光伏等行业的迅猛增长，碳化硅（SiC）功率半导体迎来了前所未有的发展机遇；我国碳化硅产业链已经基本完善，在衬底外延材料、器件设计、制造封测等方面均取得长足进步，极大地缩小了与美、日、欧先进水平的差距；降低比导通电阻、提升制造工艺及良率、提升可靠性是SiC MOSFET发展的不二选择。

南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇作报告分享

南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇在《Si基GaN器件及系统研究与产业前景》的主题发言中讲到，目前GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动，核心在于快速充电器，其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等；许多厂商已将目光转向工业市场，如电动汽车、数据中心电源、风力发电等。于教授还重点介绍了Si基GaN器件先进工艺研究进展；Si基GaN功率器件及其电源系统；Si基GaN射频器件及其PA模块和Ga2O3器件及GaN气体传感器。于教授最后总结，GaN功率器件正在朝高功率密度、高频、高集成化方向发展；商业GaN射频器件目前主要集中在低频、高功率，为进一步拓展应用市场，未来将朝更高功率、更工作频率方向发展。

北京智慧能源研究院功率半导体芯片设计室主任、高级工程师和峰作报告分享

北京智慧能源研究院功率半导体芯片设计室主任、高级工程师和峰在《电力系统用功率半导体器件现状及发展趋势》的主题发言中重点介绍了新型电力系统中功率半导体器件的应用需求和碳化硅器件技术发展现状。他指出，功率半导体器件是构建新型电力系统的核心元器件，具有广阔应用前景。在发电侧、输电/配电侧、用电侧、储能侧中碳化硅器件都可以发挥其电压高、结温高、效率高等优势，满足小重量、高频率、高功率密度和高效率等的应用需求。目前，在碳化硅器件产品中，600V-1700V产品已经实现量产，3.3kV-15kV产品正处于实验室样品开发阶段。同时，碳化硅器件目前还面临着外延尺寸和质量有待提高、产品成熟度低、产品可靠性弱等挑战，仍需进一步研发。

北方工业大学副教授杨兵作报告分享

北方工业大学副教授杨兵在《浅谈宽禁带半导体功率器件》的主题发言中介绍了宽禁带半导体功率器件结构及应用，宽禁带半导体功率器件实现增强型器件、提高击穿电压、抑制电流坍塌等关键技术以及面临的技术挑战。杨教授讲到，实现商用功率晶体管必须满足三个基本要素，一是可以维持足够高的电压和功率；二是具有低开关和传导损耗；三是实现常关工作。对于宽禁带半导体材料，其本身的固有特性可以满足前两点基本要求，因此主要需要解决第三点要素，即实现常关工作。对于SiC晶体管可采用垂直MOSFET（平面栅或沟槽栅）或级联式垂直JFET的方式解决；对于GaN晶体管则可采用p-GaN栅堆叠或级联结构的解决方案。

活动最后，来自现场和线上的观众纷纷踊跃发言提问，参会嘉宾针对大家提出的普遍关注的技术和市场问题进行了现场解答。

“在家都是问号，出门才有答案”，宽禁带半导体大讲堂通过线下+线上同步直播的形式，让观众与科学家、企业家、投资家等能够面对面充分互动，点对点精准交流，打造科学界、产业界与资本圈之间的信息交流平台。未来联盟将继续为宽禁带半导体产业链的专家和企业提供更多交流和学习的机会，为宽禁带半导体事业的高质量发展助力赋能，为构建产业生态化和生态产业化硬科技圈奉献可持续源动力！