终端的热潮，产品的突破｜SiC这两天

首先来看落地应用方面的好消息，近日，致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线。这标志着致瞻在车用空调热管理这一垂直细分行业产业化方面取得了从0到1的突破。

据致瞻科技透露，针对纯电动汽车，尤其是针对800V电压平台，电动空调压缩机控制器的首选方案将是SiC MOSFET方案，传统的IGBT方案很难与之竞争。当然，由于行业的固有惯性以及目前热管理行业较为粗放的设计水平，800V的IGBT方案在初期或许会占有相当的份额。但随着国内SiC方案设计开发能力的提高，基于IGBT的传统方案会被SiC方案逐步蚕食。

碳化硅模块方面，基本半导体、北一半导体均有所突破。

基本半导体发布新品——应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块。

据了解，该系列模块是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

而北一半导体双面散热模块（DSC）产品也试制成功。相比于传统单面散热模块，双面散热（Double-sided cooling, DSC）模块具有低热阻和低寄生参数的优势，可进一步提高新能源汽车电机控制器的效率、功率密度和可靠性。

据悉，北一半导体于2021年开始布局DSC模块产品开发，通过大量的市场调研、结构仿真、工艺摸索及材料验证，750V等级IGBT模块及1200V等级SiC模块于近日试制成功，目前正按照AQG324标准进行可靠性考核。

后续，北一半导体将基于该封装平台推出I2DSC（Intelligent and Integrate DSC）产品，将驱动保护电路、集成温度及电流传感的IGBT与SiC芯片应用于模块中，以更加准确的进行结温及电流测试、有效的驱动保护模块，进一步提高模块集成度及智能化，降低应用端使用难度。

回归上游材料端，粤海金半导体顺利研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片。

据悉，成功制备的8英寸导电型碳化硅晶体直径超过205毫米，晶体表面光滑无缺陷，厚度超过20毫米，同时已经顺利加工出8英寸碳化硅衬底片。

而在配套设备方面，大尺寸碳化硅电阻炉及外延炉、激光退火设备也是动态不断。

近日，清华大学-连科半导体大尺寸碳化硅电阻炉及外延炉项目完成签约。清华大学郑丽丽教授担任该项目的负责人，张辉教授作为项目参与人，两位教授在半导体领域有着卓越的表现，专注于材料制备中的热科学应用和技术研究。两位教授开展的晶体生长系统热场设计和优化的研究已在高端装备制造领域得到广泛应用和认可。

值得一提的是，今年3月，连城数控半导体晶体事业部首次研制的液相法碳化硅长晶炉顺利下线，经检验各项性能达到预期目标。

据悉，这是连城数控半导体晶体事业部继一季度中标某重点客户190台碳化硅感应炉之后，取得的又一次重大突破。标志着连城数控碳化硅感应炉，电阻炉，管式合成炉，腔体合成炉全系列碳化硅炉开发成功并实现了批量销售。

此外，瑶光半导体也是“成功破圈”——激光退火设备经客户新产线调试验证，确认符合量产要求。良率超过预期，顺利通过验收，该设备已在客户新产线投入生产使用。

据悉，该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，同时包括“10万片碳化硅外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。

瑶光半导体自主研发的SiC/Si基激光退火设备，广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。其微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及出色的光学整形装置，为晶圆的退火工艺提供了高效的解决方案。

End.

可见，从上至下，碳化硅整个产业链层级环节的活跃，都映衬着碳化硅的爆发性增长的市场机遇。终端的热潮、技术的突破、新品的持续性输出、配套设备更是渐入佳境。碳化硅，仍在「提速」。

参考来源：

[1]致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线-致瞻科技

[2]新品速递 | 应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块-基本半导体

[3]北一半导体双面散热模块试制成功-北一半导体

[4]清华大学-连科半导体大尺寸碳化硅电阻炉及外延炉项目签约仪式-连城数控

[5]瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收-瑶光半导体

来源：芯TIP

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