【材料与装备专场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议

11月9日-10日材料与装备专场报告由厦门大学张峰教授、北京镓和半导体有限公司董事长唐为华教授、山东大学贾志泰教授、奥趋光电技术(杭州 )有限公司创始人兼CEO吴亮主持。

材料与装备专场邀请了中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员任国强、西安交通大学教授王宏兴、北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛、浙江大学杭州国际科创中心特聘研究员王蓉、广东天域半导体科技有限公司研发总监\副总经理韩景瑞、ASM公司碳化硅外延关键产品业务单位项目总监Loke Yuen Wong、广州粤升半导体设备有限公司总经理陈蛟、四川大学研究员王俊峰、 德国SURAGUS GmbH常务董事Marcus Klein、北京北方华创微电子装备有限公司衬底材料行业总经理王铮、清软微视（杭州）科技有限公司总经理周继乐、中科院物理研究所研究员李辉、河北普兴电子科技股份有限公司产品总监张永强、深圳市纳设智能装备有限公司副总经理李小天、奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人兼CEO吴亮、北京镓和半导体有限公司董事长唐为华教授、山东大学贾志泰教授、西安电子科技大学副教授任泽阳作专场报告。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 任国强

报告题目：氮化镓单晶生长研究进展

报告摘要：本报告综述了氮化镓单晶生长的最新进展，包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展，分析了各生长方法面临的挑战与机遇，并对氮化镓单晶材料的发展趋势进行了展望。

西安交通大学 教授 王宏兴

报告题目：金刚石半导体的新进展

报告摘要：本报告系统性地介绍单晶金刚石外延设备、英寸级单晶金刚石外延生长、电子器件级高质量薄膜与掺杂、到电子器件开发的国内外发展动态，同时介绍西安交通大学宽禁带半导体材料与器件的研究成就。

北京晶格领域半导体有限公司 总经理 张泽盛

报告题目：液相法生长大尺寸碳化硅单晶技术

报告摘要：本报告主要对液相法SiC单晶生长的主要过程进行介绍，并重点讨论晶体生长过程中温场与流场调控对晶体生长质量的影响。

浙江大学杭州国际科创中心 特聘研究员 王蓉

报告主题：碳化硅单晶中位错电学性质与动力学行为的调控

报告摘要：氮（N）掺杂的 4H 碳化硅（4H-SiC）在大功率电子器件中取得了巨大成功，但高密度的位错仍然限制了基于 4H-SiC 的大功率器件的性能和可靠性。结合第一原理计算、开尔文探针力显微镜（KPFM）测量和纳米压痕测试，我们发现位错的电子和动力学特性取决于 4H-SiC 中 N 的浓度。

广东天域半导体科技有限公司 研发总监\副总经理 韩景瑞

报告主题：碳化硅外延关键技术及8英寸外延进展

报告摘要:本主要围绕外延产业化关键技术展开，从外延的材料、设备、工艺等方面对外延环节的一些关键点进行说明并展示8英寸外延的一些进展情况。

ASM公司 碳化硅外延关键产品业务单位项目总监

Loke Yuen Wong

报告主题：LPE+ASM--为SiC生长提供动力

报告摘要:LPE于2022年被ASM收购，将LPE的SiC外延技术与ASM在功率器件硅外延方面的专业知识相结合，将提高晶圆性能、工具生产率和总拥有成本，推动客户朝着更高效的下一代功率电子产品迈进。

广州粤升半导体设备有限公司 总经理 陈蛟

报告主题：碳化硅材料生长设备进展

报告摘要：报告主要介绍了SiC材料的意义、SiC单晶液相生长设备已通过知名SiC衬底公司的验证，可批量供应并且具有扩展8英寸铸锭的能力。以及SiC外延的HT-CVD设备已在龙头企业稳定运行一年多，通过HT-CVD工艺制备的SiC外延片质量在国际上处于领先地位，满足SBD和MOSFET器件的要求。

四川大学研究员 王俊峰

报告主题：碳化硅色心量子传感进展及其应用

报告摘要：本报告重点介绍碳化硅色心量子传感一些应用。主要分为三部分，第一部分介绍碳化硅色心的研究背景。第二部分介绍碳化硅色心磁场、电场、温度、应力、高压等几方面的量子传感应用。第三部分总结和展望碳化硅色心量子传感在产业方面可能的应用。

SURAGUS GmbH 常务董事 Marcus Klein

报告主题：晶锭和晶圆的高速、高分辨率、非接触电阻率和异常成像

报告摘要：本报告展示了涡流技术表征SiC材料、电阻率成像演示、非接触式高频涡流技术用例、涡流技术测试SiC衬底，高分辨率电阻率测绘系统等测试方法。

北京北方华创微电子装备有限公司 衬底材料行业总经理 王铮

报告主题：装备协同创新，助力碳化硅产业高质量发展

报告摘要：本报告重点介绍了SiC行业整体的发展情况以及目前国内SiC产业进展，并围绕北方华创在SiC产业布局和创新重点做了介绍，同时提出作为设备企业对产业发展的建言。

清软微视（杭州）科技有限公司总经理 周继乐

报告主题：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术

报告摘要：报告介绍了第三代化合物半导体的广泛应用，为了保证化合物半导体的质量和稳定性，智能缺陷检测产品得以开发，并可以快速准确地检测出可能存在的缺陷。此外，复合衬底和外延检测设备的成像能力也是提高材料质量的重要手段，可以通过成像来确定材料的结构和特性，为后续的工艺和应用提供基础数据。

中科院物理研究所研究员 李辉

报告主题：高温溶液生长晶片级立方碳化硅单晶

报告摘要：3C-SiC是唯一的立方多晶型，与4H-SiC相比，它具有优异的迁移率、导热性和低界面陷阱，有助于制造可靠和长寿命的器件。我们发现，通过顶籽晶溶液生长技术（TSSG），3C-SiC可以在4H-SiC衬底上从成核到生长在热力学上受到青睐，这超出了经典成核理论的预期。这使得高质量和大尺寸3C SiC晶体（直径2~4英寸，厚度4.0~10.0毫米）的稳定生长是可持续的。我们的发现为开发性能可能比基于4H-SiC的功率电子器件更好的功率电子设备提供了新的机会。

河北普兴电子科技股份有限公司 产品总监 张永强

报告主题：8英寸碳化硅同质外延片典型缺陷研究

报告摘要：我们在8英寸碳化硅衬底上进行了同质外延生长，对其典型缺陷的形貌进行了表征并对其缺陷类型，典型形貌以及分布进行了分析。通过工艺优化，8寸碳化硅外延片的致命缺陷密度可以降低到0.4 cm-2。我们的工作为降低8英寸碳化硅外延片缺陷，推进8英寸碳化硅外延片产业化提供了有力的数据支持。

深圳市纳设智能装备有限公司 副总经理 李小天

报告主题：碳化硅外延生长装备的创新发展

报告摘要：本报告主要介绍了SiC外延制造工艺和生长原理，然后SiC外延设备面临的挑战以及市场发展趋势，最后介绍了碳化硅器件在航天工业中的应用前景。

奥趋光电技术（杭州）有限公司 创始人兼CEO 吴亮

报告主题：超宽禁带半导体氮化铝单晶生长技术及其器件开发进展

报告摘要：本报告主要介绍了氮化铝的性质和潜在的应用、氮化铝 PVT生长过程综述、Al极性氮化铝晶体的生长与表征和块状氮化铝基板器件前景并对氮化铝单晶生长进行进行了展望。

北京镓和半导体有限公司 董事长 唐为华

报告主题：镓和半导体氧化镓衬底、外延材料发展及产业化探索

报告摘要：报告首先介绍了氧化镓在当前世界中更广泛的应用前景，重点围绕氧化镓单晶制备发展历程、氧化镓薄膜外延方法和进展、氧化镓单晶生长设备氧化镓衬底加工技术作了详细的介绍，最后介绍了氧化镓材料和器件产业化进展。

山东大学 教授 贾志泰

报告主题：超宽禁带半导体氧化镓单晶研究

报告摘要：山东大学氧化镓团队采用自主设计的导模法单晶生长技术，成功制备出高质量4英寸的β-Ga2O3单晶；研究了氧化镓缺陷及形成机理，为晶体质量提升提供了指导；团队采用化学机械抛光工艺获得了超光滑表面，满足器件及外延要求。此外，团队设计了柱状导模法晶体生长工艺，实现了导电柱状单晶的生长，放大后可以有效提高晶体产量。

西安电子科技大学 副教授 任泽阳

报告主题：超宽禁带半导体金刚石单晶材料及电子器件研究进展

报告摘要：西安电子科技大学目前已在金刚石单晶、多晶材料生长，氢终端金刚石器件研制和金刚石辐射探测器研究等领域取得了系列的研究进展。本报告将重点介绍超宽禁带半导体金刚石材料和器件研究的国内外重要研究进展，并对金刚石半导体未来的发展趋势进行展望。