日本研发出半导体材料氧化镓的低成本制法

利用“有机金属化学气相沉积法”使氧化镓高速增长（东京农工大学提供）

东京农工大学与大阳日酸CSE联合推出一种名为“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”的技术，该技术通过充满气态原料的密闭装置，在基板上形成氧化镓晶体。这一方法不仅能缩减设备的维护次数，还有望削减运行开支。

该日本团队推出了氧化镓—一种新一代的功率半导体的低成本制造方法。通过气体来提供原材料以在基板上形成晶体，这一创新方法预计将降低设备的保养需求和运营开支。目前，大阳日酸正在将此技术商业化，以满足客户需求。

氧化镓，一种优越于碳化硅和氮化镓的半导体材料，能在电力转换过程中降低能源损耗，并有望应用在纯电动汽车、家用电器和太阳能发电等多个领域。根据富士经济的研究，预计其市场规模到2030年将扩展至470亿日元。

这次，东京农工大学及其团队成功提高了采用MOCVD法生长晶体的速度，达到每小时约16微米，是原先的大约16倍。熊谷义直教授阐明：“这与使用‘氢化物气相外延（HVPE）法’的效率相当。”

此外，新方法除了能制造立体结构的功率器件外，还能制造一种叫做“高电子迁移率晶体管（HEMT）”的平面结构，这有利于通信设备进行高频操作。传统的氢化物气相外延法在与高电子迁移率晶体管所需的铝混晶方面存在困难。

来源：日经中文网

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