瑶光半导体首批SiC激光退火设备下线并交付

9月26日，据瑶光半导体官微消息，公司自研的首批SiC激光退火设备ES500-2量产下线，并举行了交付仪式。

本次交付不仅验证了瑶光半导体高效落实客户承诺，也标志着瑶光半导体在半导体制程设备领域已经具备产业化、规模化的能力。

SiC激光退火设备ES500-2采用正向研发的思路，自主研发集成系统和光路设计，创新性使用六西格玛稳健性开发、可靠性设计，结合自研生产核心零部件，实现了长期、安全、稳定、可靠运行，满足客户的使用要求。

与传统激光退火和市面上同类型的设备相比，瑶光半导体研发、生产的激光退火设备在性能上更高效、更安全、更灵活和更智能：

◎ 极致能效

具有更低的延时，能够快速加热材料表面，从而显著提高了生产效率：可实现快速的6inch晶圆退火，仅需300秒，而市面同类型产品需要600s。

◎ 安全可靠

经过可靠性开发和模块化设计，降低了潜在的安全风险，提高了设备的可靠性。

◎ 行业领先

支持逐步退火和局部退火模式，提供更高的加工灵活性和控制精度，适应性更强。而传统或同类型的激光退火设备难以实现逐步或局部退火，因此在特殊应用中的应用领域受限。

◎ 智能制造

配备智能晶圆检测系统，可进行激光能量补偿和晶圆厚度检测，从而支持全自动生产，提高了生产效率。

◎ 工艺测试：良品率达到99%以上

整机搭载瑶光实时控制系统ETA RTOS经过连续工作3个月，测试结果得出：通过对晶圆背面退火，电极从肖特基接触变成欧姆接触，电阻由200kΩ，降低至2-3Ω。以及优秀的退火表面形貌和电学特征，同时具备光束整形技术，可将激光高斯光束匀化为平顶光束，激光光斑能量均匀度>95%，能够保证退火的一致性，并且良品率达到了99%以上。

值得一提的是，瑶光半导体在研设备“星型SiC MOCVD”（ES600)，将持续加大自主研发力度，进一步提供核心部件国产化解决方案。据了解，ES600计划于今年四季度完成研发，这将有望填补国内该市场领域的空白。

瑶光半导体（浙江）有限公司，成立于2023年4月，坐落在湖州市莫干山高新技术产业开发区。公司专注于第三代宽禁带半导体先进制程设备研发、生产及销售，致力于成为半导体行业先锋，赋能半导体产业国产化。

今年8月消息，瑶光半导体1期工厂投入运营，规划2条万级洁净装配线，目前主要用于碳化硅(SiC）激光退火设备的研发生产以及SiC外延设备( MOCVD)的装配调试；2期工厂规划总面积2556㎡的百级、千级、万级无尘车间以满足不同设备的生产要求。

同时，莫干山研究院与瑶光半导体成立联合实验室，该实验室将承接产学研孵化项目，共同深入开展相关课题研究。

瑶光半导体自主研发生产的制程设备满足国产化半导体设备替代的迫切需求，努力解决半导体设备行业“卡脖子”问题。公司正持续不断加大研发投入，现有研发人员占员工总数的47%。

来源：瑶光半导体官微信息整合、芯TIP

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