碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展技术交流活动成功举办！

碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。SiC衬底制成的半导体器件，可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。在SiC衬底的应用，表面超光滑是必备条件。SiC表面的不平整会导致其表面同质外延的SiC薄膜和异质外延的GaN薄膜位错密度的增加，从而影响器件性能。应用领域的快速发展要求SiC晶片表面能达到原子级平整且表面几乎无微观缺陷，因此SiC晶片的超精密平整技术研究对于促进宽禁带半导体技术的发展具有极其重要的意义。

9月20日，由宽禁带半导体技术创新联盟和小饭桌创服联合主办，机械工业出版社、中关村产业技术联盟联合会、山东产业技术研究院大力支持的科技小饭局线上交流活动成功举办。本期小饭局特别邀请了浙江博来纳润电子材料有限公司董事长、上海工程技术大学副研究员，研究生导师 张泽芳博士，以“碳化硅衬底抛光材料的技术与产业”为主题，为围绕国内外碳化硅衬底CMP材料的研究进展、碳化硅衬底CMP用抛光液、抛光垫的研发与产业化、碳化硅衬底CMP材料展望等方面，与大家共同探讨碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展。大家可以关注【宽禁带联盟】视频观看回放。

首先张博士为我们介绍了碳化硅衬底抛光工艺与抛光材料的匹配关系。现阶段国内的抛光工艺和抛光材料各有特色，但是未来再经过几年的发展，行业内会出现主流工艺。碳化硅抛光工艺的设计需要考虑前段工艺带来的损伤层的厚度、预去除的厚度的设计、机台时间的匹配等因素，抛光液的选泽随着工艺的进程从硬到软，从大到小，最终达到更快、更省、更好的目标！

接着张博士为我们介绍了国内外碳化硅衬底抛光液重要产品的技术。比较了国外Cabot抛光液1210、Ferro抛光液SN12500、Fujimi抛光液DSC202、Fujimi抛光液DSC0902、Entegris等抛光液的特点。国内企业博来纳润公司为了匹配碳化硅衬底抛光不同客户的差异化需求，开发了抛光液COPOL系列，包括氧化铝、氧化硅和氧化铈抛光液，抛光液的氧化剂均为高锰酸钾。

然后，张博士介绍了国内外碳化硅衬底抛光垫重要产品的技术。SiC粗抛阶段一般是使用无纺布类抛光垫搭配氧化铝抛光液双面抛光，SiC精抛阶段使用的是阻尼布类抛光垫搭配氧化硅抛光液单面抛光，部分SiC厂家使用一道抛光工艺，不分粗精抛，该类工艺使用的是复合类抛光垫 (上层聚氨醋抛光层，下层缓冲层) 搭配氧化硅抛光液。

最后张博士展望了碳化硅衬底抛光垫和抛光液的发展趋势。张博士预测抛光液将逐渐发展为不分粗抛和精抛，一步搞定，同时兼顾表面质量和抛光速率；抛光垫未来粗抛和精抛用的抛光垫界限会越来越模糊，长寿命低划伤的抛光垫会逐渐收到青睐，这就要求抛光垫原料将从单一的聚氨脂发展成其他树脂，例如环氧、聚碳酸脂改性的树脂材料。固结磨料抛光垫的出现很可能导致抛光液和抛光工艺出现重大变革。

最后的现场提问环节，听众们学习氛围浓厚，纷纷踊跃发言提问，张博士针对大家提出的普遍关注的技术和市场问题进行了现场解答。

本次活动通过宽禁带半导体技术创新联盟、小饭桌创服、机械工业出版社、蔻享学术等多平台联合直播，共吸引四千余人次在线上观看，产学研媒齐聚，获得观众一致好评。会后，联盟将会根据参会观众的意向和需求持续沟通，全程做好跟踪、对接等服务工作，为国内宽禁带半导体产业蓬勃发展提供更多支持，推动我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展。