北京中电科电子装备有限公司成立于 2003 年 12月，注册地在北京亦庄经济技术开发区，注册资本 1.6 亿元，由中国电子科技集团有限公司下属的中电科电子装备集团有限公司全资控股。主要从事集成电路、第三代半导体及其他分立器件领域用减薄机、划片机、研磨机等设备的研发生产和销售，覆盖4英寸、6英寸、8英寸和12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段，是国内重要的半导体设备供应商。

北京中电科公司是国家科技部02专项、863计划、重点研发计划等多个重点项目的承担单位，目前拥有核心发明专利60余项，取得科技成果10项，其中国际领先水平1项，国际先进水平9项。

公司核心产品介绍

WG-1261全自动减薄机

应用产品：

适用于6-8英寸SiC晶片及晶圆量产的全自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：Φ300mm；

2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1μm

4、最高减薄速率：0.9μm/s；

5、单片磨削时间：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

7、最大可加工厚度：1800μm

性能说明：

可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段的晶片减薄及芯片段的晶圆背减。配置高功率高扭矩主轴，可实现高效率、高精度、无损伤镜面加工。双主轴三工位设计保证加工效率，配有实时在线测量单元（测量范围 0-1800μm），精确控制减薄厚度；具备 SECS/GEM 联网功能。配置 SMIF（选配），保持高清洁度的同时进行稳定减薄磨削。

WG-1250自动减薄机

应用产品：

适用于6-8英寸SiC晶锭和晶片量产的自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：Φ300mm；

2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1μm

4、最高减薄速率：0.9μm/s；

5、单片磨削时间：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

性能说明：

聚焦6、8 英寸 SiC激光剥离晶锭/晶片及砂浆线切割晶片的薄化磨削，可实现不同厚度晶锭/晶片同台同时加工。可加工标准6/8寸晶锭/晶片、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。根据晶锭/晶片的厚度，实时在线测量（测量范围0-1800μm）/ 大量程在线测量（测量范围 0-50000μm）两种方式可选；设备通过手动进行装卸片操作并使用油石手动清洗承片台。

双主轴三工位设计，粗精两次磨削同工位完成，减少取放片次数，有效保证单片晶片/晶锭内的厚度偏差和良品率。

WG-1230自动减薄机

应用产品：

适用于6-8英寸SiC晶锭、晶片及晶圆量产的可定制化的多功能自动减薄机

产品参数：

1、磨轮直径：Φ300mm；

2、磨削主轴：数量1个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；

3、Z轴分辨率：0.1μm

4、最高减薄速率：0.9μm/s；

5、单片磨削时间：＜5分钟；

6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）

7、最大可加工厚度：50mm

性能说明：

简单紧凑型可定制化的多功能自动减薄机，可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段晶锭、晶片的减薄及芯片段晶圆背减。可加工SiC晶锭/晶片/晶圆、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。根据晶锭/晶片/晶圆厚度，实时在线测量（测量范围0-1800μm）/ 大量程在线测量（测量范围 0-50000μm）两种方式可选；设备通过手动进行装卸片操作并使用油石手动清洗承片台。

单主轴单工位设计，结构紧凑，占地空间小，适用于小批量生产。

联系方式

联系方式：

18332569033张国强

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