关于开展宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训的通知 - 公告通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

关于开展宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训的通知

各相关单位：

以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体的研发与应用日益受到人们的重视，因其高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为了支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。所以说推动中国宽禁带功率半导体全产业链的发展，已成为发展建设绿色节能社会与智能制造的关键一环。

但在发展我国宽禁带半导体产业的过程中，也由此暴露出了诸多问题。其中很突出的一点就是技术人才的匮乏。一个产业能够持久、健康的发展，除了要重视整体产业环境的动向，还要重视人才的培养。由此中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟联合米格实验室（北京聚睿众邦科技有限公司）将于2018年11月10日组织开展宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训，以培养一批熟悉宽禁带半导体外延材料生长和功率器件制备及检测方面的高素质复合型人才，使其成为公司在研发、工艺、检测及质管等方面的核心骨干。请各相关单位积极选派重点培养的技术骨干参加。具体相关事项如下：

一、时间地点：

培训时间：2018年11月10日

培训地点：中国科学院物理研究所D楼会议室

二、培训内容：

本次培训将邀请在宽禁带半导体领域有着杰出成就的专家进行授课，授课内容主要围绕碳化硅等宽禁带半导体外延材料生长和功率器件制备及检测等内容并结合在研发、生产、检测等方面的实际案例开展培训。培训方式以专家讲授、培训讨论和培训考核相结合，对通过考核的学员统一颁发培训合格证书。

三、参训人员：

各单位相关技术人员（研发、工艺、检测及质管等人员）

四、培训费用：

1. 600元/人。

2. 培训费用包括听课费、考试费、培训证书费、培训当天餐费（午餐和晚餐）。

3. 差旅、住宿自理。

4. 收款账户：