2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于2023年8月9日——8月11日在北京铁道大厦隆重开幕，论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，邀请行业权威专家和龙头企业家代表，聚焦先进技术创新与产业发展应用，重点解锁设备（耗材）-衬底-外延-器件-模块-终端应用全产业链广泛关注的热点内容，深度探讨在当前大环境下产业存在的重大机遇与挑战，共商产业链间协同耦合发展与开放紧密合作，共建共赢共享，以产业创新推动各环节有机衔接，构建我国宽禁带半导体以企业为主体，产学研用协同的全产业链完整生态。具体会议内容如下：


会议时间及地点

会议名称：

创新驱动高质量发展——2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

会议时间：

2023年8月9日——8月11日

会议地点：

北京铁道大厦三层多功能厅（北京市海淀区北蜂窝102号）

组织单位

主办单位：

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

承办单位：

郑州高新技术产业开发区管理委员会

协办单位：

中国电子材料行业协会半导体材料分会

中国机床工具工业协会超硬材料分会

北京天科合达半导体股份有限公司

北京晶格领域半导体有限公司

郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

东莞市中科汇珠半导体有限公司

会议亮点

亮点1——权威：拟邀请部委领导、院士专家、龙头企业、知名机构等授业解惑，预判未来；

亮点2——全面：论坛重点解锁设备（耗材）-衬底-外延-器件-模块-应用（终端应用）等全产业链带来的瓶颈制约和技术创新；

亮点3——创新：探讨以8英寸碳化硅为代表的宽禁带半导体材料的生长、加工、外延等先进技术应用以及提升产品质量和降低成本的有效措施；

亮点4——发展：解密宽禁带半导体的布局、产能规划以及发展趋势，并预测中长周期内潜在机遇。

会议议程


会议日期

会议时间

会议内容

8月09日

14:00-19:00

会议报到

8月10日

09:00-17:30

主旨报告

8月10日

18:00-20:00

欢迎晚宴

8月11日

09:00-17:00

主旨报告


参会领导及报告嘉宾

工信部领导

河南省工信厅领导

郑州高新区管委会领导

邹广田 中国科学院院士，吉林大学教授

陈小龙 中国科学院物理研究所研究员/宽禁带联盟理事长

报告方向：液相法生长3C-SiC技术进展

刘春俊 北京天科合达半导体股份有限公司董事、副总经理

报告方向：大尺寸SiC单晶衬底制备产业化

张泽盛 北京晶格领域半导体有限公司总经理

报告方向：液相法SiC晶体生长及其SiC晶体生长及其物性

薛宏伟 河北普兴电子科技股份有限公司总经理

报告主题：大直径SiC外延片开发和产业化

李哲洋 北京智慧能源研究院功率半导体研究所首席科学家

报告主题：碳化硅外延技术发展现状及趋势

许照原 进化半导体（深圳）有限公司董事长

报告方向：氧化镓衬底技术及产业化

黄海涛 上海瞻芯电子科技有限公司研发副总经理

报告方向：SiC功率器件产业化进展情况

霍永隽 北京理工大学副教授

报告主题：瞬态液相微连接与高功率电子封装技术

杨 树 中国科学技术大学微电子学院教授、博士生导师

报告主题：垂直型氮化镓功率电子器件：结构，工艺与动态性能

魏 进 北京大学集成电路学院研究员、博士生导师

报告主题：GaN功率器件动态稳定性挑战及其解决方案

裴 轶 苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁

报告主题：先进射频氮化镓器件制造中心支持MMIC代工DC-40GHz

王东萃 上汽创新研发总院捷能公司电驱业务部首席工程师

报告主题：碳化硅功率器件和模组在汽车领域应用以及展望

成乔升 中国国际金融股份有限公司高级经理，半导体行业研究员

报告主题：碳化硅市场展望：挑战与机遇

蔡金荣 苏州优晶光电科技有限公司总经理

报告方向：高性能SiC单晶炉设备进展

丁亚男 河南黄河旋风股份有限公司工程师

报告主题：金刚线在国内碳化硅行业中的应用现状及前景

孙占帅 北京特思迪半导体设备有限公司工艺部部长

报告主题：SiC磨抛加工工艺路线的总结与分析

张高亮 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司制品二部部长

报告主题：半导体产业链加工用系列工磨具发展进程

袁福顺 北京北方华创微电子装备有限公司FEP事业部总经理

报告主题：SiC外延设备技术研究


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展览专区

参展费用：

15000元/个，联盟会员单位：12000元（含展位设计制作）

特别提示：

展位有限，邀请和申请制。

重磅嘉宾莅临，龙头企业交流，权威媒体宣传。

参会报名


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