瑞能半导体拟投资 5000 万元人民币到中电化合物

近日，瑞能半导体科技股份有限公司（下称“瑞能半导”）发布公告，因业务发展需要，公司经研究决定拟投资 5,000 万元人民币到中电化合物半导体有限公司（下称“中电化合物”），其中，783.3333 万元认购本次增资的新增注册资本，其余部分计入资本公积。据悉，本次增资后，瑞能半导在中电化合物的持股比例为 1.4663%。

据公告透露，本次投资，将有助于加快瑞能半导积极探索产业链上下游资源整合发展战略的步伐，促进双方更深层次的全方位合作，构建良性合作伙伴生态链，从而达到战略协同、共同发展的目的。此外，双方合作也有利于瑞能半导在碳化硅原材料采购的供应量保证。

01.

瑞能半导

瑞能半导主要从事功率半导体分立器件的研发、生产和销售，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装 设计的一体化经营功率半导体企业。公司为客户提供行业领先的功率半导体产品，报告期内主要产品为晶闸管、功率二极管及碳化硅二极管，广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的 工业制造、新能源及汽车等领域。

自2011年以来，瑞能半导体持续研发并推出多种碳化硅半导体器件，出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf，SiC MOSFET产品正在进行第三代trench gate产品开发。当前，第二代产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。

具体产品方面，公司2022年推出的1700V SiC MOSFET采用TO-247封装，主要应用于光伏，电动汽车，储能充电等电力电子系统中。与市场上常见的1500V Si MOSFET相比，瑞能1700V SiC MOSFET的通态电阻（Rdson）有明显优势。在高温情况下，Si MOSFET的通态电阻快速上升，而瑞能SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小，在150℃高温下还可以维持在较低水平，这也为一些环境温度比较恶劣的应用带来了使用上的优势。在全功率范围内，1700V SiC MOSFET器件方案可保持3%左右的效率优势，而工作状态下，较低的损耗又同时大大降低了器件的运行温度，提升了器件运行的长期可靠性。该款产品有效简化系统结构，减少BOM成本，提升效率和输出功率。

项目方面，今年5月，瑞能半导体子公司瑞能微恩的6吋车规级功率半导体晶圆生产基地项目正在进行厂房施工和洁净室设计，预计明年一季度投产。

2022年9月，瑞能微恩入驻科创芯园壹号，该项目总投资9.4亿元，租赁总面积3万余平方米，主要建设6吋晶圆生产线，预计2025年可达满产，实现年产能12万片，将为华为、海拉、比亚乔等机动车品牌提供服务。

02.

中电化合物

中电化合物是 2019 年 11 月成立的创新型公司，致力于开发、生产宽禁带半导体材料，聚焦大尺寸、高性能的碳化硅和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售。公司已在杭州湾新区数字经济产业园建成含百级超净车间现材料生产线，正式向国内外市场供应商业化SiC和GaN材料，产品通过了车规级的验证。中电化合物表示，其碳化硅年产能达2万片，未来3年或达8万片。

上个月，中电化合物与韩国Power Master公司签署战略合作协议。潘尧波代表中电化合物与韩国Power Master公司签署了长期供应SiC材料的协议，包括8吋。此外，据透露，今年8月份，中电化合物第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。

项目方面，去年10月，中电化合物总投资10.5亿元建设的宽禁带半导体材料项目入选宁波市重大建设项目“十四五”规划项目，并计划在2021-2025年投入8亿元资金。

根据公告，中电化合物将分二期建设该项目：一期计划投资2.2亿元，租用杭州湾数字产业园1万平方米厂房，二期征用土地70亩，形成年产8万片4-6寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓N外延片生产能力。

此外，产学研方面，今年2月，中电化合物与复旦大学宁波研究院签署产学研项目合作协议，通过本次签约，中电化合物将进一步开展深度合作，充分利用复旦大学人才优势、平台优势，加大研发力度，加快碳化硅领域的发展进程。

来源：芯TIP