牵头欧洲联合研究计划，英飞凌再发力GaN功率半导体！

作为国际功率半导体龙头厂商之一，英飞凌的动态备受市场关注，在相关行业扮演着重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。

今年3月，英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大反响，不仅将GaN再次推到聚光灯之下，传递着GaN将加速在电动汽车、可再生能源等高压高功率市场应用的积极信号，同时还预示着第三代半导体的竞争格局或生变。

近日，英飞凌又传出新动向，表明了持续发力GaN功率器件市场的决心。

据外媒报道，英飞凌日前宣布，将主导一个由45家合作伙伴共同参与的欧洲联合科研项目，立足欧洲供应链，开发从芯片到模块的集成氮化镓 (GaN) 功率设计。

据悉，该项目名称为ALL2GaN，项目预算6000万欧元，建设周期三年，旨在利用人工智能加强GaN功率技术的可持续性和安全供应链，聚焦于通过各种方式集成GaN芯片。值得注意的是，在英飞凌的菲拉赫工厂开发的集成工具箱包括单独的GaN分立元件、高性能GaN模块、芯片设计和新颖的片上系统集成方法。

报道指出，ALL2GaN项目参与者包括比利时微电子研究中心imec、Nexperia、爱立信等，项目成果将有助于欧洲芯片更快地集成到电信、数据中心和服务器场等应用中。

来源：化合物半导体市场