化合物|美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装

来源：大国重器

美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）封装。

美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制造商，其封装满足GaN和GaAs器件的极端环境需求，满足电信、混合信号、小型卫星地面站（VSAT）、宽带无线、卫星、军事、测试和测量、汽车、井下和微机电系统（MEMS）市场的关键要求。

StratEdge公司将展示GaN和高功率半导体器件封装的两种方案，LL系列引线层压铜钼铜（CMC）基础封装及其现成的模压陶瓷封装生产线，可配置以满足频率高达18 GHz的芯片要求。这些封装采用200多种标准尺寸的全密封版本。

StratEdge公司还将推出其完整系列的后烧制和模压陶瓷半导体封装，工作频率范围为DC至63+GHz。这些封装具有电气转换设计，可确保极低的电气损耗，即使在最高频率下也能高效运行。所有封装均为无铅封装，大多数都符合RoHS和WEEE标准。

StratEdge公司将参加2018年10月9日至11日在加利福尼亚州帕萨迪纳的帕萨迪纳会议中心举行的2018年国际微电子与封装协会（IMAPS）微电子研讨会、2018年10月14日至17日在加利福尼亚州圣地亚哥的圣地亚哥喜来登酒店举办的2018年IEEE BiCMOS和混合集成电路与技术研讨会（BCICTS）以及2018年10月17日至18日在加利福尼亚州圣克拉拉的圣克拉拉会议中心举行的2018年美国电子设计创新大会（EDI CON）。

StratEdge公司总裁Tim Going表示：“我们很高兴参与这三个行业活动，自从StratEdge公司于1992年开始制造半导体器件封装以来，我们已经看到市场对高速、高频、数据密集型技术的需求不断增加。”