英诺赛科与BFH开发多级拓扑结构设计

英诺赛科与瑞士伯尔尼应用科学大学（BFH）合作，提供了一个参考演示，该演示在多级拓扑结构中采用了英诺赛科的650V InnoGaN HEMT器件。

其目标是解决850VDC应用，如电动汽车电机驱动器、太阳能和工业逆变器、电动汽车快速充电器，以及潜在的电动汽车传动系统。

三电平ANPC（有源中性点钳位）转换器采用英诺赛科现成的INN650D080BS 650V、80mΩ HEMT，采用8x8mm DFN封装。无需缓冲电容器或昂贵的SiC二极管，从而降低了系统成本。

BFH的Timothé Delaforge与同样来自BFH的Sébastien Mariéthoz一起从事了这项开发，他解释说：“在更高的电压下，经典的两电平拓扑（如半桥）并不实用，因为650V额定的HEMT会失效。但是还有许多其他拓扑结构，这意味着我们可以将 HEMT 的工作电压保持在远低于其额定电压的水平，同时使用更高的直流母线电压。

“在这种情况下，我们选择了ANPC拓扑结构，因为它使我们能够切换850VDC而不需要SiC。850V对于许多工业和电动汽车应用来说已经足够高了——甚至是潜在的电动汽车传动系统——如果对电路设计足够注意以最小化寄生效应的话。

他继续说道：“我们选择了英诺赛科的InnoGaN HEMTs，因为它们具有非常高的效率和可靠性，同时也是市场上最具成本效益的器件。”

英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon补充说：“虽然这种设计使用了六个HEMT，但由于我们的开关频率要高得多，我们可以减小滤波器的尺寸，从而缩小转换器的整体尺寸。此外，借助我们的InnoGaN HEMT，我们可以实现99%的逆变器效率，提高系统可靠性并降低成本。”

来源： 雅时化合物半导体