广州粤升半导体设备有限公司专注于SiC外延设备、单晶设备的研发和生产，以客户需求为中心，立足于专业的技术团队，在设备研制、工艺开发、产品应用保障等方面全方位提供服务。

“智”造发力，创新未来。粤升公司自主研发的4/6吋SiC外延设备，已无故障连续稳定运行近300小时，生长的4/6吋SiC外延片质量均达到国际先进水平，满足MOSFET和SBD器件的制备要求。粤升SiC外延设备的成功研制，意味着国产SiC外延设备又添新的主力军。

突破关键技术，实现SiC外延设备国产化

以往SiC外延设备主要由意大利LPE公司、德国Aixtron公司和日本Nuflare公司所垄断，近年来国内多家公司投入研发，加紧实现国产替代。“这台外延设备的面世，意味着SiC外延设备国产化又添新的主力军，有效减低对进口厂商的依赖性。”粤升公司陈蛟总经理介绍。粤升SiC外延设备采用水平反应室技术路线，依托公司在机械、电气、仿真、生长工艺等方面的专业人才队伍，仅用一年时间，就成功研制出第一代SiC外延设备。尤其是团队通过模拟仿真技术，成功解决了温场和流场设计问题，基于对SiC外延生长核心影响因素的深入理解，有效突破了多项交叉技术难题。

取得这样的成果并不容易。陈蛟总经理表示，团队人员齐心协力，攻坚克难，将原本三年的研发计划时间缩短至一年，充分展示了粤升人不畏艰难、协同向前的团队力量。

关键零部件实现“国产”，推动研发走深走实

“外延设备关键零部件的国产化，不仅可以帮助我们节约成本，也有利于带动中国配件的生产市场，也避免出现被人卡脖子的局面。”陈蛟总经理表示。

接下来，团队将继续开展设备升级、工艺优化等系列研发工作，并以此为基础开展多片和8吋SiC外延设备研发。

4/6吋SiC外延设备的成功研发仅仅是一个开始，粤升持续秉持“追求卓越，成为全球一流的SiC设备供应商”的宗旨，坚持研发创新，大力推动我国SiC产业的设备国产化，为推动国家智能制造贡献智慧和力量。

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