2023年4月19日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2023年度第一次团体标准评审会于线上会议顺利召开,此次会议旨在对《大尺寸碳化硅单晶抛光片》1项复审送审稿和《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》等3项标准草案进行研讨与评审。

评审会现场

本次会议由宽禁带联盟秘书长刘祎晨主持。中国电子科技集团第四十六研究所首席专家林健研究员、清华大学高级工程师刘志弘老师、中国科学院半导体研究所金鹏研究员、中国科学院物理研究所王文军研究员、中国科学院半导体研究所刘兴昉研究员、中国科学院半导体研究所正高级工程师钮应喜、中国科学院电工研究所宁圃奇研究员、中国科学院半导体研究所助理研究员闫果果、工业和信息化部电子第四研究院高级工程师闫美存、中车时代半导体副主任李诚瞻、北京世纪金光半导体有限公司高级工程师何丽娟、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司质量部经理陈志霞、宽禁带联盟副秘书长郑红军、许恒宇等宽禁带联盟标准化委员会委员及此次团体标准申报牵头单位代表参加了本次会议。

首先由刘秘书长介绍与会专家并致欢迎词,紧接着各牵头起草单位代表分别对团体标准的主要内容进行了详细介绍及说明,与会专家针对标准的关键内容进行了深度的协商与讨论,在标准内容、标准结构、标准格式、标准规范等方面都提出了很多宝贵的修改意见,最后由联盟标准化委员会与会委员表决,通过《大尺寸碳化硅单晶抛光片》(牵头单位:北京天科合达半导体股份有限公司)1项标准送审稿;(1)《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》(牵头单位:北京天科合达半导体股份有限公司)(2)《碳化硅外延层深能级缺陷的测试电容瞬态法》(牵头单位:中国科学院半导体研究所)(3)《碳化硅平面场效应晶体管阈值电压测试方法》(牵头单位:瑶芯微电子科技(上海)有限公司)3项标准草案的评定。

针对本次评审会的建议,各起草单位表示将进一步修改和完善标准内容,规范标准结构,尽快形成征求意见稿,按照标准制定工作计划进度要求,有条不紊地推动标准工作,以制订出高质量的宽禁带半导体产业团体标准。

目前宽禁带联盟已发布了团体标准18项,在研标准5项。团体标准在国家重大战略部署中,是政府提升综合治理能力和水平的重要工具,是企业获得竞争能力和引领发展的重要条件。宽禁带联盟今后将会继续做好团体标准工作,使团体标准服务于宽禁带半导体产业的技术创新需求,为推进团体标准事业做出应有的贡献。


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