深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）成立于2020年12月15日，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。重投天科的成立是深圳市政府党组（扩大）会议审定通过的项目建设方案，是由深圳市重大产业投资集团有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市和合创芯微半导体合伙企业（有限合伙）以及产业资本出资构成的项目实施主体，注册地址为深圳市宝安区石岩街道。2022年，公司成功引入战略投资者宁德时代新能源科技股份有限公司与合和深圳市芯源半导体合伙企业（有限合伙），资本实力进一步雄厚。

2021年11月，公司投资第三代半导体产业链项目启动建设，目前已经完成4栋生产厂房的主体架构封顶，项目其他各项建设工作均按照既定计划推进，预计2023年4月完成机电设备进场联调联试，并于2023年7月启动试生产。

重投天科第三代半导体IDM产业链项目，占地110亩，计划投资32.7亿元，产能爬坡后将实现折合6-8英寸碳化硅单晶衬底10万片/年，外延片25万片/年、将有效缓解深圳本地产业链的需求。

主营产品

导电型4H-SiC衬底晶片

晶片尺寸：4~6英寸

晶片厚度：350 μm ± 25 μm

电阻率：0.015~0.025 Ω·cm

产品用途：产品主要于制造SiC电力电子器件及SiC衬底上GaN光电子器件。

导电型4H-SiC外延晶片

晶片尺寸：4英寸、6英寸

导电类型：n型

掺杂浓度：1E^(15)-1E^(18)cm^(-3)，均匀性 ≤ 8%

外延层厚度：1-35 μm，均匀性 ≤ 4%

产品用途：产品主要用于制造结势垒肖特基功率二极管(JBS)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)。其应用领域包括白色家电等消费电子、电动汽车、轨道交通、国家电网、航空航天、军民融合和机载舰载电源等。

半绝缘型4H-SiC衬底片

衬底尺寸：4~6英寸

衬底厚度：500 μm ± 25 μm

电阻率：≥1E10 Ω·cm

产品用途：主要用于外延GaN高功率射频器件，应用于微波射频领域。

结束语

以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料是继硅以后最有行业前景的半导体材料之一，相比硅等第一代单质半导体其在高频、高导热性能方面优异很多，主要应用于5G通讯、新能源汽车、电力电子以及大功率转换领域等战略新兴产业，未来随着成本下降可迎来更广泛应用，因此第三代半导体材料的产业发展将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局！

公司投资建设的第三代半导体产业链项目是战略支撑深圳打造全国第三代半导体技术创新高地的市级重大项目，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底及碳化硅外延片材料，解决下游客户在轨道交通、新能源汽车、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈。

联系方式

深圳市重投天科半导体有限公司

邮箱/Email：

yesong@mitksemi.com.cn

公司网站/Website:

www.mitksemi.com.cn

公司地址/Address:

中国广东省深圳市深圳市宝安区石岩街道上屋社区爱群路同富裕工业区汇富大厦A座三层

现阶段公司正招贤纳士，

欢迎各路英才加入，谢谢！