第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下）

新能源汽车市场日益火爆，需求释放推动碳化硅市场快速增长。2020 年，全球新能源汽车市场销量为 400 万辆，其中插电混合动力 PHEV 类占比 37.50%，纯电动BEV 类占比 67.50%，是当前市场的主要品类。我们预计，2021-2025年全球新能源汽车的销量将以 14%的 CAGR 快速增长。同时，中国已成为全球最大的新能源汽 车市场，2020 年总体销量为 116 万台，占全球市场的29.00%，未来五年的 CAGR 预测为 31%。新能源汽车市 场的日益火爆，极大地拉升了碳化硅市场的增长幅度。

2019 年，全球新能源汽车 IGBT 的市场规模约为 2.25 亿美元，预计该数值 2025 年将为 15.53 亿美元，市场将以 38%的 CAGR 快速增长。同时，新能源汽车市场的 应用也占据了碳化硅器件总市场的 41.59%，预计这一占比将于2025 年提升至 60.62%。目前，用于电机驱动 逆变器的碳化硅功率器件是车用 SiC 产品中最主要且潜在增长空间最巨大的部分，碳化硅在新能源汽车领域的 应用已经达到了批量生产的临界区域，相关下游市场的大量需求正在逐步释放。预计随着新能源车市场渗透率 的进一步扩大，以及功率模块和相关应用的迅速发展，碳化硅市场将在中期内迎来爆发。

目前，全球的碳化硅厂商也在积极寻求合作，纷纷与先进新能源汽车企业签订协议。特斯拉 Model 3 所采 用的 SiC MOSFET 功率模块正是由意法半导体提供的，且后者与碳化硅领先企业 Woifspeed 签订了 150mm 碳 化硅晶圆扩展协议，旨在为全球的 SiC 晶圆供给加码。此外，意法半导体还于 2021 年 6 月与雷诺集团达成战略合作，以提供用于电动和混合动力汽车的 SiC 功率器件供应，此举旨在降低汽车的电池成本、增加充电里程、 缩短充电时间最终使成本降低近 30%。

同时，日本先进半导体制造商 ROHM 也于 2021 年 9 月与吉利汽车达 成合作，后者将使用 ROHM 提供的 SiC 功率器件实现高效的逆变效率和充电性能，从而进一步提高用户体验。WolfSpeed 也为郑州宇通集团提供了 1200V 的 SiC 功率器件，后者交付的首辆电动客车采用了碳化硅解决方案。目前，全球顶尖碳化硅器件制造商都纷纷与新能源车企寻求合作，以扩大自身在相关市场的领先地位，新能源 汽车市场的快速发展必将加剧全球碳化硅企业的竞争，预计市场集中度将进一步提高。

电动电子和逆变器领域，据 ev-sales.blog 数据统计，2021 年包括插电混动、纯电动、燃料电池在内的新能 源乘用车全球销量达到了 649.54 万辆。2021 年特斯拉全球新能源乘用车销量为 93.62 万辆，市占率达 14.4%， 位列全球首位。其中，Model 3 销量为 50.07 万辆，市占率达 7.7%。特斯拉的热门型号车型将保持对 SiC 功率 器件的搭载，结合其较高的市场占有率，这将继续推动 SiC 器件的需求高涨。车载充电系统和电源转换系统方 面，碳化硅功率器件能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率，目前全球已有超过 20 家汽 车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件。碳化硅器件应用于新能源汽车充电桩，可以减小充电桩体积， 提高充电速度。2020 年 12 月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，这是丰田汽车首次使用 碳化硅功率器件。预计未来五年内，随着碳化硅相关功率器件在新能能源汽车中的渗透率上升，碳化硅市场将 会迎来更为快速的增长，我们对此抱有乐观预期。

2.3 太阳能光伏

碳化硅物化性质优越，光伏原材料迭代升级。碳化硅具有较宽的带隙，导热能力近乎达到了硅原料的 3 倍， 在太阳能光伏领域中发挥了重要作用。与传统的 Si 材料相比，SiC 具有极高的击穿电压和较低的导通电阻，因 而其功率器件拥有更好的开关效率并且能高效地进行热量积累。碳化硅制造的高电压 MOSFET 具有优越的开 关性能，其功能不受温度影响，由此能很好地在升温系统中保持稳定效力。此外，SiC MOSFET 也可以在具 备高转换频率的同时，拥有 99%以上的逆变效率。因此，SiC 可以广泛应用于太阳能光伏功率器件，主要包括 光伏逆变器、控制器、功率模组等。尽管碳化硅器件具有较高的制造成本，但其高导热率、高击穿电场、低损 耗等特性，都使得光伏系统效率更高，从而进一步降低成本。无论从光伏产业链上游的材料制造看，还是从下 游应用的高效能看，碳化硅都具有无与伦比的高效能。预计中长期内，碳化硅将会成为太阳能光伏领域功率器 件的主要制造原料，同时带动产业链整体实现迭代升级。

光伏新能源市场发展空间广阔，碳化硅材料仍有较大潜在空间。2018年我国能源消费中煤炭消费占比高 达 59%，风光等优质能源消费占比仅 4%。而根据“十四五”规划要求，2025 年要实现单位 GDP 能源消耗降 低 13.5%，光伏等新能源产业发展空间广阔。2020 年，全球光伏能源需求为 130GW，乐观情况下预计 2025 年 该项指标将到达 330GW，以 20.48%的 CAGR 快速增长。即使在保守情况下，全球光伏需求也将以 15.74%的 CAGR 提升，预计 2025 年实现 270GW 的广泛需求。

同时，2019年全球太阳能光伏碳化硅 IGBT 市场规模约为 1.25 亿美元，未来五年内将以 17%的 CAGR 快速增长，预计 2025 年将到达 3.14 亿美元。目前，全球的光伏IGBT 市场规模约为 23 亿元，碳化硅器件占比约为 35%，该渗透率仍将继续增长。我们认为，随着全球光伏需求的进一步增长，以及碳化硅 IGBT 器件渗透率的不断提高，表现强势的太阳能光伏市场将持续拉升对碳化硅 的需求，并进一步推动碳化硅功率器件市场的快速增长，碳化硅材料增长潜在空间仍然巨大。

光伏功率器件性能显著，诸多领先厂商纷纷加码。在光伏太阳能领域中，以硅为原料制作的逆变器成本约为系统总体的 10%，但却是能量损耗的来源之一。然而，以碳化硅为基础的 MOSFET 和功率模组可以将光伏 逆变器的转换效率从提高至 99%以上，能量损耗可以减少 50%以上，设备寿命提高 50 倍左右。目前，国外领 先碳化硅功率器件厂商意法半导体、ROHM 都已实现了 MOSFET 器件的量产，并将广泛应用于光伏太阳能领域。同时，国际著名半导体器件制造商 Onsemi已推出了适用于光伏逆变器的 SiC 功率模组，该模组集成了 1200V 40m的 MOSFET 和升压二极管，将较好地提升逆变器的性能效率。

著名太阳能和光伏组件制造商 Tainergy Tech 也已成立相关子公司，专门生产用于 GaN 外延的 SiC 衬底，并且致力于实现碳化硅对自身业务发展的良好推动。国内方面，三安集成也已完成 SiC 器件的量产平台打造，其首发产品 1200V 80m碳化硅 MOSFET 已实现了一系列性能和可靠性测试，可应用于光伏系统组成。此外，露笑科技和斯达半导体也积极 投入碳化硅器件生产，并广泛布局光伏业务。目前，无论是领先的半导体器件制造商，还是先进的太阳能光伏 组件企业，都积极投入碳化硅IGBT，并使其广泛应用于光伏领域。我们预计，未来五年内碳化硅功率器件将更为广泛地应用于光伏市场，后者亦将为 SiC 器件带来至少 15%以上的快速增长。

2.4 充电基础设施

中国累计充电桩数量创新高，车桩比例趋向合理。截止 2021 年 7 月，中国累计充电桩数量约为 201 万台， 同比增长 20%，近六年 CAGR 为 76.69%，整体呈现爆发式增长。目前，新能源汽车充电桩分为公共、专用和 私人用类，还可以分为交流充电和直流充电两类。2020年我国主要以私人和交流充电桩为主，两者分别占比 57.45%和 61.67%，是碳化硅器件的主要应用方向。然而，我国充电桩数量仍然低于 480 万的预期规划，供不应求仍将推动充电桩数量迅速增长，从而创造巨大的市场需求并推动行业增长。

同时，2015-2020 年中国系能 源汽车和充电桩比例不断下降，从 6.36 收窄至 2.93，充电桩供应迅速提高。尽管充电配套设施整体有所改善， 但仍然低于比例为 1 的预期目标，市场仍具有较大的增长空间。基于 IEA 预测，预计 2025年全球充电桩保有量将达到 4580-6500 万个，私人充电桩预计为 3970-5670 万个，公共充电桩保有量约为 610-830 万个，整体数 量迅速增长且仍以私人充电类型为主。与此相适应的，预计 2025 年中国新能源汽车保有量将突破 2500 万辆， 则充电桩数量推算约为 800 万个，复合增长率将达到 41.42%左右，市场预期状况良好。因此，我们认为中国 以及全球的充电桩需求仍存在较大的增长空间，车桩比例仍将进一步趋近合理化，从而推动碳化硅市场的发展。

充电桩市场增长迅速，碳化硅器件助力充电桩性能升级。2019 年中国新能源汽车充电桩市场需求规模约 为 540 亿元，同比增长 29%。预计 2025 年，中国充电桩市场将以 28.27%的 CAGR 达到 2400 亿元，成长潜力 十分巨大。实际上，SiC MOSFET 和二极管产品具有耐高压、耐高温、开关频率快的特性，可以很好地用于 充电桩模块。与传统硅基期间相比，碳化硅模块可以增加充电桩近 30%的输出功率，并且减少损耗高达 50% 左右。同时，碳化硅器件还能够增强充电桩的稳定性，减小器件系统体积，降低成本并进一步增加碳化硅 IGBT 器件在充电桩市场的渗透率。目前，新能源汽车充电桩中碳化硅器件的渗透率仅为 10%左右，仍然具有 很大的潜在发展空间。2019 年，全球充电桩碳化硅器件市场规模约为 5 百万美元，预计 2025 年将增长至 2.55 亿美元，未来六年 CAGR 高达 90%，增长十分迅速。预计随着碳化硅期间渗透率的提高，充电桩需求的持续 上涨，配套设施的进一步完善，全球充电桩碳化硅器件市场仍将持续增长，从而引起碳化硅市场的高度火热。

罗姆等碳化硅器件领先企业进入充电桩市场，相关领域技术研发进一步加速。目前，ROHM 已经推出了 基于碳化硅的充电基础设施解决方案，从而应用于高效和小型化的大功率充电桩。首先，针对单向充电桩罗姆 提出使用 FRD、SiC MOS 和 SBD 的解决方案，可以很好地提高功率密度和充电效率。ROHM 通过高耐压的 1200V 碳化硅 MOSFET 来削减器件个数，从而进一步降低充电桩的体积。其次，针对双向充电桩罗姆提出了 三相 B6-PFC 拓扑方案，通过使用 1200V 的 SiC MOSFET 和全碳化硅功率模块，制造具备多功能的小型充电 桩。此外，安森美也在开发用于直流充电桩的碳化硅功率器件和模块，希望构建更高功率的充电方式，并通过 AC-DC 和 DC-DC 级的升压转换器提高充电效率。由此可见，碳化硅器件龙头都在进行充电桩技术模块的研发， 英飞凌、WolfSpeed、STM 等公司都在积极进入碳化硅充电桩市场。预计未来，充电桩市场将会迎来更多的发 展机遇，领先企业将发挥龙头效应，与政府机构积极合作，构建更完好的充电桩生态系统。（报告来源：未来智库）

三、供给：短期产业链受限衬底产能，长期产能扩张带来价格下降

3.1 碳化硅衬底制备存在多重挑战，位于产业链核心环节

国际上 6 英寸 SiC 衬底产品实现商用化，未来占据市场份额主流地位。目前，全球市场上 6 英寸 SiC 衬底 已实现商业化，且在未来几年里 6 英寸衬底将占据市场主要份额。此外，主流大厂也陆续推出 8 英寸样品，微 管密度达到 0.62，预计 5 年内 8 英寸将全面商用。当前，WolfSpeed 公司能够批量供应 4 英寸至 6 英寸导 电型和半绝缘型碳化硅衬底，且已成功研发并开始建设 8 英寸产品生产线。2021 年 7 月，意法半导体就宣布其 可制造出首批 8 英寸 SiC 晶圆片。随着碳化硅基电子电力器件的逐步推广与应用，大直径衬底可以有效降低器 件制备成本，以 6 英寸衬底为例，使用直径 150mm 的衬底相较于 4 英寸的衬底能够节省 30%的器件制备成本。

碳化硅衬底制备面临多重技术挑战，降低结晶缺陷密度技术使得制备成本增加。碳化硅衬底制备主要有以 下技术难点：

（1）碳化硅衬底制备过程中，碳化硅单晶的制备对于温度场设计要求较高。适宜的温度场是制备 碳化硅单晶的基础，不适宜的温度场极易导致单晶开裂等问题。此外，随着碳化硅衬底直径的增加，温度场的 设计及实现难度也在增加。（2）降低结晶缺陷密度。衬底中结晶缺陷（如：微管、穿透性螺位错（TSD）、基平 面位错（BPD））会对器件造成负面影响。由于碳化硅较高的生长温度，为降低结晶缺陷密度，传统的工艺条件 （如掩膜法）已经不能满足低结晶缺陷密度单晶的生长，势必需要导入新工艺，增加工艺复杂性，这会推高单晶成本。因此，需要投入较长的时间及较大的物料成本研发新工艺，较长的研发周期可能会阻碍衬底单位面积 成本的下降，且随着单晶生长厚度的增加，单晶残余内应力迅速增加，这会导致单晶结晶质量下降甚至导致单 晶开裂等问题，如何有效兼顾单晶可用厚度及单晶结晶质量存在较大难度。

当前，国内厂商碳化硅衬底生产的技术指标与国际主流厂商相比仍有明显差距。衬底主要的三个几何参数 为 TTV（总厚度偏差）、Bow（弯曲度）及 Wrap（翘曲度），国内厂商与国外领先厂商仍存在明显差距。此外， 产品的一致性问题是难以攻克的短板，国产衬底目前较难进入主流供应链。具体来说，国产衬底技术短板以及 一致性问题主要包含两个方面：（1）由于国内厂商起步相对较晚，在材料匹配、设备精度和热场控制等技术角 度需要长时间的专门知识累积；（2）国内厂商的客户较少且比较分散，客户的反馈速度更慢，反馈内容不彻底。相比较起来，WolfSpeed 的产品线覆盖衬底、外延、器件乃至模组，后端反馈充分且及时。因此，国内厂商的技术差距直接导致衬底综合性能较差，无法用于要求更高的产线中；一致性问则表示优质衬底比例较低，直接 导致衬底的成本大幅上升，上述两点导致国内厂商制造的衬底还无法进入主流供应链。

3.2 碳化硅外延处于产业链中间环节，受制于碳化硅衬底技术缺陷

当前外延主要以 4 英寸及 6 英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳 化硅衬底尺寸，当前 6 英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从 4 英寸向 6 英寸过渡。在 未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。由于 4 英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此， 4 英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限。此外，虽然当前国际先进厂商已经研 发出 8 英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着 8 英寸碳化硅外延技术 的逐渐成熟，未来可能会出现 8 英寸碳化硅功率器件生产线。

碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题。（1）外延晶片均匀性控制方面，由于 外延片尺寸的增大往往会伴随外延晶片均匀性的下降，因此大尺寸外延晶片均匀性的控制是提高器件良率和可 靠性、进而降低成本的关键。（2）外延缺陷控制问题。基晶面位错（BPD）是影响碳化硅双极型功率器件稳定 性的一个重要结晶缺陷，不断降低 BPD 密度是外延生长技术发展的主要方向。由于物理气象传输法（PVT）制 备碳化硅衬底的 BPD 密度较高，外延层中对器件有害的 BPD 多来自于衬底中的 BPD 向外延层的贯穿。因此，提 高衬底结晶质量可有效降低外延层 BPD 位错密度。随着碳化硅器件的不断应用，器件尺寸及通流能力不断增加， 对结晶缺陷密度的要求也不断增加，在未来技术的进步下，碳化硅外延片结晶缺陷密度会随之不断下降。

3.3 碳化硅功率器件制备存在技术难点，国外厂商先行

碳化硅中高压功率二极管商业化产品逐年增多，主要以碳化硅 SBD 和结势垒型 JBS 器件为主。2020 年， 国际上有超过 20 家公司量产碳化硅二极管系列产品，击穿电压主要分布在 600V-3300V，根据 Mouser 数据显 示，2020 年共有约 800 款碳化硅 SBD 产品在售，较 2019 年新增 122 款，中高压商业化产品逐年增多。碳化硅 SBD 器件当前在专利设计方面几乎没有壁垒，国内领先企业如派恩杰已经开始第六代碳化硅 SBD 的研发，与国 外差距较小。而碳化硅 SBD 器件制造产线方面，国内外差距较为明显，国内碳化硅 SBD 制造产线多数处于刚通 线的状态，还需经历产能爬坡等阶段，离大规模稳定量产还有一定距离。

当前，碳化硅 MOSFET 制备技术要求较高，碳化硅 MOSFET 采用沟槽结构可最大限度地发挥 SiC 的特性， 栅级氧化物形成技术挑战较高。平面 SiC MOSFET 的缺陷密度较高，MOSFET 沟道中电子散射降低沟道电子迁移 率从而使得性能下降，即沟道电阻上升、功率损耗上升而沟道电流下降。由于 SiC MOSFET 的 N+源区和 P 井掺 杂都是采用离子注入的方式，在 1700℃温度中进行退火激活，一个关键的工艺是 SiC MOSFET 栅氧化物的形成， 而碳化硅材料中同时有 Si 和 C 两种原子存在，因此需要非常特殊的栅介质生长方法。

碳化硅 MOSFET 质量不断改善推动产品商业化。自 2010 年以来，碳化硅功率 MOSFET 在汽车、光伏及铁路 等多个市场取代硅技术，科瑞公司于 2011 年推出了市场上第一个垂直 N 沟道增强型碳化硅功率 MOSFET，碳化 硅 MOSFET 市场规模不断扩大。当前，碳化硅 MOSFET 的质量不断改善，已基本达到业界使用的要求。以市售的 1200V 碳化硅 MOSFET 为例，其沟道迁移率已经提高到适当水平，多数主流工业设计的氧化物寿命达到了可接 受的水平，阈值电压变得越来越稳定。因此，在碳化硅 MOSFET 质量不断改善的激励下，目前其商用在不断推 进，市场上有多家供应商可以供应生产水平量的碳化硅 MOSFET。

碳化硅 MOSFET 国外厂商已实现量产，MOSFET 稳定性需要时间验证。目前英飞凌、ST、罗姆等国际大厂 600-1700V 碳化硅 SBD、MOSFET 均已实现量产，而国内所有碳化硅 MOSFET 器件制造平台仍在搭建中，部分公 司的产线仍处于计划阶段，离正式量产还有很长一段距离。同时，最新的 Gen 4 Trench SiC MOSFET 专利被国 外公司掌握，未来可能存在专利方面的问题。产线方面 WolfSpeed、英飞凌等已开始布局 8 英寸线，而国内厂 商还在往 6 英寸线过渡。此外，碳化硅 MOSFET 的产品稳定性需要时间验证。根据英飞凌 2020 年功率半导体应 用大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚开始商用（Model 3 中率先 使用了 SiC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时间等技术指标没有提供足够多的验证，SiC MOSFET 在车载 和工控等领域验证自己的稳定性和寿命等指标需要较长时间。

3.4 碳化硅衬底迎来产能爆发期，未来价格有望下降

近年来，全球发达国家及中国不断推出相关政策支持第三代半导体材料发展。据不完全统计，2002 年2019 年，美国共计出台了 23 项第三代半导体相关的规划政策，总投入经费超过 22 亿美元。2020 年全年，虽 然美国并未正式出台相关政策，但本年度相关提案涉及的经费超过 480 亿美元。2020 年，欧盟 24 个国家中有 17 个国家联合发布了《欧洲处理器和半导体科技计划联合声明》，宣布了未来 2-3 年内对半导体领域的投入将 达到 1450 亿欧元。韩国于 2020 年 6 月，抛出万亿韩元半导体振兴计划，从 2020 年到 2029 年在系统级芯片 （SoC）领域投资总计 1 万亿韩元（约 59 亿元人民币）。日本大力巩固第三代半导体领域技术优势，日本经产 省准备资助日企和大学围绕 GaN 材料部署研发项目，预计 2021 年将拨款 2030 万美元，未来 5 年斥资 8560 万 美元。我国自 2015 年发布《中国制造 2025》规划以来，近五年不断推出相关产业政策，大力支持国内第三代 半导体材料的发展。

在宽禁带半导体产业的政策支持和行业快速发展刺激下，国内厂商开始布局碳化硅产业链。当前，在国内 政策支持和行业发展吸引下，国内诸多企业开始进入第三代半导体产业链制造中，如露笑科技、三安光电、天 通股份等上市公司均已公告进入碳化硅领域；斯达半导在今年 3 月宣布加码车规级 SiC 模组产线；而比亚迪半 导体、闻泰科技、华润微等也有从事 SiC 器件业务。此外，天科合达、山东天岳等国内厂商也都走在扩产路上。2021 年 8 月，山东天岳子公司上海天岳总投资 25 亿元计划建设碳化硅半导体材料项目开工，在达产年将形成 年产导电型碳化硅晶锭 2.6 块，对应衬底产品 30 万片的产能。项目计划于 2022 年试生产，预计 2026 年 100% 达产，其中 6 英寸半绝缘型衬底预计在 2023 年形成量产。湖南三安半导体基地一期项目于 2021 年正式投产， 该项目将打造国内首条、全球第三条碳化硅全产业生产线，项目全面建成投产后，月产能将达到 3 万片 6 英寸 碳化硅晶圆。

随着碳化硅衬底制备技术的提升及产能扩张，碳化硅衬底及外延单位面积价格或将下降。目前主流厂商均 有能力制备低微管密度衬底（<1/cm2），TSD、BPD 密度的降低将会成为衬底厂商研发工作的重点，因此预计衬 底中的 TSD 及 BPD 密度将会不断下降。此外，随着衬底直径不断扩大、单晶可用厚度不断增加，单位面积衬底 成本将不断降低。伴随大直径衬底占比不断提高，衬底单位面积生长成本下降，以直径 150mm 单晶与直径 100mm 单晶为例作比较，150mm生长成本大约为 100mm 的 1.5-2 倍，可用面积却是 100mm 的 2.25 倍。

当前单晶 可用厚度在不断增加，以直径 100mm 单晶为例，2015 年前大部分单晶厂商制备单晶平均可用厚度在 15mm 左右， 2017 年底已经达到 20mm 左右，预期单晶的平均可用厚度仍会持续增加。据半导体时代产业数据中心（TD）预 测，在 2020 年至 2025年期间，碳化硅晶片在半导体领域出货量的复合增长率将达到 43.8%，到 2025 年还将 达到 80 万片，可大规模应用于电动汽车等领域，碳化硅衬底价格有望下降。碳化硅衬底是碳化硅外延的主要成本来源，未来单位面积价格有望下降。在外延价格构成中，衬底占据了外延 50%以上的成本，随着衬底价格 下降，碳化硅外延价格也有望降低。碳化硅外延的成本构成还包括设备、厂务和人工成本部分，随着设备的改进，此类成本也将降低。随着客户对外延质量要求的提高，研发和良率损失部分成本也将保持在 7%左右。

碳化硅电力电子器件价格进一步下降，与同类型 Si 器件价差缩小。当前碳化硅器件成本约为硅的 4-5 倍， 而器件的主要成本来源是碳化硅衬底，在上游衬底材料商纷纷扩产后，未来 2-3年碳化硅衬底供应加大，衬底 价格下降有望带动碳化硅器件的成本下降。以汽车级碳化硅 MOSFET 器件为例，由于使用碳化硅 MOSFET 器 件可以大幅提高汽车性能，目前是新能源汽车电机控制器、车载电源器件制备的首选，但受制于碳化硅衬底产 能的影响当前价格较高。2020 年受疫情影响，产品供货周期延长，但从全年情况来看，碳化硅器件有所下降， 与传统产品的价差持续缩小。

SiC SBD 产品价格略有下降，降幅较前两年有所收窄。根据 CASA 中 Mouser 数 据显示，650V 的碳化硅 SBD 年底均价较 2019 年底下降了 13.2%，1200V 的碳化硅 SBD 均价 2020 年较 2019 年下降了 8.6%，与硅器件的差距在 4.5 倍左右。SiC MOSFET 降价明显，与硅器件价差收窄到 2.5~3 倍之间。根据 CASA 中的 Mouser 数据，650V、900V、1200V、1700V 的 SiC MOSFET 在 2020 年底的平均价格分别同 比下降了 13%、2%、27.62%、33.4%。而从实际成交价格来看，650V、1200V 的 SiC MOSFET 价格较 2019 年 下降幅度达 30%-40%，与 Si 器件价差也缩小至 2.5~3 倍之间。因此，随着 6 英寸晶圆不断扩产形成规模经济 后，碳化硅 MOSFET 的价格有望下降。

来源：中信建投证券